日照生產(chǎn)加工擠條機(jī)廠家(歡迎光臨-2024已更新)海昌機(jī)械,今年來，擠出機(jī)市場前景發(fā)展旺盛。從世界范圍看，塑料機(jī)械的種類主要由注塑機(jī)塑料擠出機(jī)/擠出生產(chǎn)線和吹塑機(jī)三大類商品組成，它們占到了塑料機(jī)械總產(chǎn)值的80%以上，商場受歡迎程度高居不下。而中國塑料機(jī)械職業(yè)近兩年開展對(duì)比達(dá)觀，擠出機(jī)商場也有了不小的前進(jìn)與打破。

到了70年代初期，已制造出每小時(shí)產(chǎn)量為5000噸*大給料直徑達(dá)2000毫米的大型旋回破碎機(jī)，和可將物料磨細(xì)到粒度小于0.01微米的膠體磨。這些粉碎機(jī)械的出現(xiàn)，大大提高了粉碎作業(yè)的***。但是，由于各種物料的粉碎特性互有差異，不同行業(yè)對(duì)產(chǎn)品的粒度要求也彼此不同，于是又先后創(chuàng)制出按不同工作原理進(jìn)行粉碎作業(yè)的多種粉碎機(jī)械，如輪碾機(jī)振動(dòng)磨渦輪粉碎機(jī)氣流粉碎機(jī)風(fēng)扇磨煤機(jī)砂磨機(jī)膠體磨等。

若以天然氣或石油為原料合成氨,整個(gè)過程由加氫脫硫轉(zhuǎn)化變換甲烷化及氨合成等8個(gè)工序構(gòu)成。氨由氮和氫來合成。不用催化劑來制備氫的方法有水電解法或重油部分氧化法等。每個(gè)工序都要使用催化劑。氮從空氣中獲取,而氫則來自含氫化合物,如水或烴類。由于這些方法的成本大,所以現(xiàn)代大型氨廠,多采用技術(shù)良好經(jīng)濟(jì)合理的烴類水蒸氣轉(zhuǎn)化法。

陶粒形狀因工藝不同而各異。生產(chǎn)頁巖陶粒的設(shè)備有破碎機(jī)篩選機(jī)皮帶輸送機(jī)上料機(jī)出料機(jī)等。它的表面是一層堅(jiān)硬的外殼，這層外殼呈陶質(zhì)或釉質(zhì)，具有隔水保氣作用，并且賦予陶粒較高的強(qiáng)度。加濕輪碾機(jī)廠家。陶砂的密度略高，化學(xué)和熱穩(wěn)定性好。陶粒的顆粒部分稱為陶砂。與普通的混凝土相比它的耐酸、耐堿、抗凍性能比，吸水率也較低，經(jīng)久耐用也是它的一大特點(diǎn)之一，優(yōu)異的抗?jié)B性比普通的混凝土好太多，陶粒的應(yīng)用很廣泛，目前的是建筑中的應(yīng)用，也可稱它為建筑陶粒，優(yōu)質(zhì)黏土陶粒具有輕質(zhì)、高強(qiáng)、隔熱保溫、耐火、隔音、環(huán)保等特點(diǎn)的新型自保溫墻體材料，是一種新型綠色建材，陶粒的外觀特征大部分呈圓形或橢圓形球體，但也有一些仿碎石陶粒不是圓形或橢圓形球體，而呈不規(guī)則碎石狀?！　∩a(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)陶粒的主體設(shè)備主要包括原料貯存?zhèn)}降塵室引風(fēng)機(jī)主窯體噴煤系統(tǒng)控制柜等。陶粒一般用來取代混凝土中的碎石和卵石。生產(chǎn)粉煤灰及黏土陶粒的設(shè)備有輪碾機(jī)雙軸攪拌機(jī)制粒機(jī)篩選機(jī)上料皮帶機(jī)等。優(yōu)質(zhì)黏土陶粒價(jià)格陶砂主要用于代替天然河砂或山砂配制輕集料混凝土、輕質(zhì)砂漿，也可作耐酸、耐熱混凝土細(xì)集料。噪音低，運(yùn)用壽命長。其中原料倉下部的喂料器窯體轉(zhuǎn)速和拱煤量均為無級(jí)調(diào)速，以便調(diào)整其工藝參數(shù)，在產(chǎn)品質(zhì)量的前提下大的產(chǎn)量。陶粒本身的重量較輕，彈性模量低，所以它的抗變形能力也強(qiáng)，抗震性能比比。在陶粒中有許多小于5㎜的細(xì)顆粒，在生產(chǎn)中用篩分機(jī)將這部分顆粒篩分出來，習(xí)慣上稱之為陶砂。頁巖采礦—一次破碎—二次破碎—篩選—暫存—喂料—燒結(jié)—成品分級(jí)篩選—堆放—運(yùn)輸裝袋在操作中，應(yīng)注意喂料量給煤量窯體轉(zhuǎn)速引風(fēng)量它們之間的匹配關(guān)系，使它們調(diào)整到佳的工藝狀態(tài)。陶粒的粒徑一般為5～20㎜粒徑為25㎜。主要品種有黏土陶砂頁巖陶砂和粉煤灰陶砂等。

日照生產(chǎn)加工擠條機(jī)廠家(歡迎光臨-2024已更新)，目前，在茂金屬催化劑產(chǎn)業(yè)化方面，已有數(shù)家科研機(jī)構(gòu)取得了成績。中國石化北京研究開發(fā)的茂金屬催化劑已完成了1次工業(yè)試驗(yàn)。我國催化劑載體研究始于上世紀(jì)80年代末，以高等院校和科研院所居多。中國石油石油化工研究院研發(fā)的茂金屬催化劑已開展了氣相淤漿法中試研究，中試產(chǎn)品已應(yīng)用于膜產(chǎn)品及遠(yuǎn)洋運(yùn)輸用液體集裝箱的制造。

日照生產(chǎn)加工擠條機(jī)廠家(歡迎光臨-2024已更新)，根據(jù)實(shí)際需要系統(tǒng)凈化含硫氣體，生產(chǎn)純凈氣或鍋爐焚燒符合環(huán)保要求。適用于硫化氫含量低、處理氣量少、脫硫精度高的氣體。干法脫硫塔和濕式生物硫化塔是我廠專門針對(duì)硫磺氣中的硫化氫脫除而設(shè)計(jì)的。干法脫硫具有簡單、管理方便、脫硫設(shè)備成本低、使用壽命長、運(yùn)行可靠等優(yōu)點(diǎn)。氧化鐵脫硫劑設(shè)備在運(yùn)行過程中的費(fèi)用及脫硫塔、脫水塔對(duì)阻燃管閥的要求

生產(chǎn)粉煤灰及黏土陶粒的設(shè)備有：輪碾機(jī)、雙軸攪拌機(jī)、制粒機(jī)、篩選機(jī)、上料皮帶機(jī)等。其中原料倉下部的喂料器、窯體轉(zhuǎn)速和拱煤量均為無級(jí)調(diào)速，以便調(diào)整其工藝參數(shù)，在產(chǎn)品質(zhì)量的前提下獲得大的產(chǎn)量。生產(chǎn)頁巖陶粒的設(shè)備有：破碎機(jī)、篩選機(jī)、皮帶輸送機(jī)、上料機(jī)、出料機(jī)等。

[4]廢鉑、錸催化劑回收其一，物資再生利用研究所與長嶺煉油廠合作，采取“全溶法”浸出，離子交換吸附鉑錸，沉淀劑分離鉑錸的方法。后續(xù)處理包括火法冶金、濕法冶金和生物方法等。其二，清華大學(xué)與北京稀金屬提煉廠合作。非金屬物質(zhì)主要是印刷電路板材料等，一般呈浮渣物分離去除，而金屬與其它金屬呈合金態(tài)流出，再精煉或電解處理。廢催化劑用40%硫酸溶解，溶解液中用40%二異辛基亞砜萃取錸，反萃液生產(chǎn)錸酸鉀，硫酸不溶渣灼燒除碳，酸溶浸鉑，浸鉑液經(jīng)40%二異辛基亞砜萃取鉑，反萃液還原沉鉑?！　≡摲椒ň哂泄に嚭唵魏突厥章矢叩奶攸c(diǎn)，可以處理所有形式的電子廢棄物，回收的主要金屬是Au，Ａg，Ｐd等?！　』鸱ㄒ苯鸬幕驹硎抢靡苯馉t高溫加熱剝離非金屬物質(zhì)，使金屬熔融于其它金屬熔煉物料或熔鹽中，再加以分離。已申請(qǐng)。用萃取法回收廢催化劑中的鉑錸。火法冶金主要有焚燒熔出工藝、高溫氧化熔煉工藝、浮渣技術(shù)、電弧爐燒結(jié)工藝等。鉑回收率大于98%，錸收率大于93%，鉑錸產(chǎn)品純度均大于99.95%，尾液硫酸鋁可做為生產(chǎn)催化劑載體原料。金屬和氧化物載體的結(jié)合是一種降低金屬催化劑成本，改善納米催化劑在化學(xué)反應(yīng)中穩(wěn)定性的有效方法。

目前處于規(guī)劃階段的焦?fàn)t煤氣制LNG項(xiàng)目要充分考慮周邊市場情況，加強(qiáng)與政溝通，利用好相關(guān)支持政，合理布置LNG加氣站，發(fā)展LNG下游產(chǎn)業(yè)，為LNG的銷售尋找更好的出路。脫硫劑設(shè)備的工具——煙氣脫硫除塵器具有很高的經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。

(4)部分VOCs可毀壞臭氧層。分子篩設(shè)備在高濃度忽然作用下，偶爾會(huì)形成急性中，甚而去逝。VOCs是強(qiáng)揮發(fā)、有氣味、有性、有的有機(jī)氣體，部分己被列為致癌物，如氯乙烯、苯、多環(huán)芳烴等。這些污染物同時(shí)也會(huì)危害農(nóng)作物的生長，甚而形成農(nóng)作物的去逝。(3)大無數(shù)VOCs都易燃，在高濃度排放時(shí)易釀成。其危害重點(diǎn)有：(1)在陽光映射下，NOx和大氣中的VOCs產(chǎn)生光化學(xué)反應(yīng)，生成臭氧、過氧硝基酞(PAN)、醛類等光化學(xué)煙霧，形成二次污染，人的眼睛和呼吸體系，生產(chǎn)分子篩危害人的形骸健康。(2)大無數(shù)VOCs有、有惡臭，使人簡易染上積聚性呼吸道疾病。

還有就是某些指標(biāo)數(shù)值的值在各個(gè)企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。而企業(yè)作為加工應(yīng)用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個(gè)企業(yè)投入研究可能負(fù)擔(dān)較重，因此同類應(yīng)用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應(yīng)當(dāng)聯(lián)合起來形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團(tuán)隊(duì)，形成共有共享的技術(shù)，從而促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體質(zhì)量的不斷提高,對(duì)碳化硅(SiC)基半導(dǎo)體器件已開始大量研究開發(fā)[1-2].由于SiC晶體具有很強(qiáng)的共價(jià)鍵,高溫?cái)U(kuò)散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學(xué)氣相外延(CVD)方法同質(zhì)外延一層結(jié)晶質(zhì)量高,摻雜可控的功能層是目前進(jìn)行器件制備的一個(gè)重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺(tái)階側(cè)向生長的方法可以實(shí)現(xiàn)晶型的穩(wěn)定延續(xù),即使在較低的生長溫度下也可獲得高結(jié)晶質(zhì)量的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設(shè)備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統(tǒng)具有設(shè)備相對(duì)簡單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點(diǎn),適合生長微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統(tǒng)的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設(shè)備上實(shí)現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設(shè)備,在1400℃下進(jìn)行4H-SiC外延膜生長研究.1實(shí)驗(yàn)方法1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實(shí)驗(yàn)使用的是Cree公司生長的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行生長.生長過程分為兩步:首先在1300℃進(jìn)行原位腐蝕處理;單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場價(jià)格相差很大。高C/Si時(shí),外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺(tái)階側(cè)向生長所占比例降低,空間螺旋生長所占比例增加,提高了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長速率時(shí),由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對(duì)較平穩(wěn),因此外延膜表面較少.但在高生長速率時(shí),初期界面的轉(zhuǎn)換非常劇烈,導(dǎo)致初期在界面處波動(dòng)太大,形成大量的中心,從而在后續(xù)正常生長中引入大量的點(diǎn),根據(jù)三角形產(chǎn)生的機(jī)制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長速率密切影響.高生長速率時(shí)在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長界面處形成.通過在生長初期逐漸增加源氣體流量,控制生長初期時(shí)生長界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時(shí),直接外延生長和改進(jìn)后的外延膜表面的光學(xué)照片,從圖中可以看出改進(jìn)初期生長條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質(zhì)量.利用熔融KOH腐蝕對(duì)有無初期生長的外延膜結(jié)晶做了對(duì)比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長能外延生長初期的形成,從而極大降低高速生長時(shí)外延膜中的密度,因此引入初期生長是提高高速生長外延膜質(zhì)量的重要手段之一。2.強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新模式我國的材料應(yīng)用企業(yè)一般規(guī)模不大。目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質(zhì)、脫硫劑、設(shè)備(扒渣機(jī)、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準(zhǔn)上比較非常困難。企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時(shí)，除了對(duì)比成本外，還要結(jié)合企業(yè)自身?xiàng)l件和特點(diǎn)，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個(gè)工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。之后升溫至1400℃并通入源氣體進(jìn)行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源系統(tǒng)為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長過程.1.2測試方法生長后得到的外延膜通過光學(xué)顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認(rèn)晶型.通過斷面SEM計(jì)算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長時(shí)外延膜的晶型.如圖2所示,對(duì)比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實(shí)驗(yàn)樣品中折疊縱光學(xué)(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會(huì)明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,980cm1對(duì)應(yīng)的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實(shí)驗(yàn)通過霍爾(Hall)對(duì)樣品測試得到的結(jié)果相吻合.因?yàn)?C-SiC的折疊橫光學(xué)(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對(duì)外延膜進(jìn)行了進(jìn)一步的KOH腐蝕實(shí)驗(yàn).根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會(huì)出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實(shí)驗(yàn)中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認(rèn)即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能獲得結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會(huì)呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準(zhǔn)確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時(shí)的生長速率關(guān)系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關(guān)系可以分為兩個(gè)區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個(gè)區(qū)域,系統(tǒng)內(nèi)反應(yīng)物質(zhì)處于非飽和狀態(tài),因此生長速率由反應(yīng)物的質(zhì)量輸運(yùn)過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關(guān)系.在區(qū)域Ⅱ,生長速率已達(dá)到系統(tǒng)的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長速率.對(duì)于本實(shí)驗(yàn)設(shè)備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時(shí),生長速率達(dá)到飽和狀態(tài),反應(yīng)受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對(duì)應(yīng)的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學(xué)顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現(xiàn)的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長方向,在臺(tái)階流上方的頂點(diǎn)處深,其對(duì)應(yīng)的底邊通常與臺(tái)階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時(shí)外延膜的表面形貌光學(xué)照片.在低的生長速度下外延膜表面較少,隨著生長速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當(dāng)生長速率達(dá)到6μm/h時(shí),表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進(jìn)一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時(shí),在外延膜表面形成大量的“逗號(hào)”狀的凹坑.通過Raman測試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴(yán)重過量,導(dǎo)致表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā)過程.但C/Si比大于1.5時(shí),外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對(duì)生長機(jī)制的分析,可以認(rèn)為三角形凹坑是由臺(tái)階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺(tái)階控制”生長理論模型,同質(zhì)外延利用臺(tái)階的側(cè)向生長以復(fù)制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當(dāng)外延生長過程中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個(gè)點(diǎn)(可能是晶體、外來粒子等),就會(huì)阻礙此處臺(tái)階的側(cè)向移動(dòng).隨著生長的不斷進(jìn)行,點(diǎn)不斷阻止側(cè)向生長的進(jìn)行,而在臺(tái)階流下方會(huì)逐漸恢復(fù)到正常的生長過程.終就會(huì)在外延膜表面留下一個(gè)臺(tái)階流上方頂點(diǎn)處凹陷下去的三角形,且三角形在臺(tái)階流上方的頂點(diǎn)深,而對(duì)應(yīng)邊與臺(tái)階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會(huì)形成一些結(jié)晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對(duì)應(yīng)著基平面位錯(cuò)(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲?huì)演變形成堆垛層錯(cuò),造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(cuò)(對(duì)應(yīng)7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對(duì)器件性能的影響則相對(duì)較小.因此,在SiC外延生長過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對(duì)提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時(shí)外延膜表面腐蝕后的光學(xué)照片(MP).生長速率為2.2μm/h時(shí),外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(cuò)(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當(dāng)生長速度增加到3.5μm/h時(shí),由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度提高后,外延膜生長過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長的外延膜也進(jìn)行了KOH腐蝕試驗(yàn).結(jié)果表明,低C/Si時(shí),外延膜中仍存在著BPDs;另外成本中有些指標(biāo)很難準(zhǔn)確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價(jià)值等。由于鑄件是承壓件需要，因此白模應(yīng)該致密，不能有珠粒融合的疏松，進(jìn)而在刷涂料時(shí)會(huì)造成涂料內(nèi)滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會(huì)有滲漏現(xiàn)象。

日照生產(chǎn)加工擠條機(jī)廠家(歡迎光臨-2024已更新)，在α型氧化鋁的晶格中，氧離子為方緊密堆積，Al3+對(duì)稱地分布在氧離子圍成的八面體配位，晶格能很大，故熔點(diǎn)沸點(diǎn)很高。γ型氧化鋁是在110-120°C的低溫環(huán)境下脫水制得，工業(yè)上也叫活性氧化鋁鋁膠。其結(jié)構(gòu)中氧離子近似為立方面心緊密堆積，Al3+不規(guī)則地分布在由氧離子圍成的八面體和面體空隙之中。