場效應(yīng)管電*：所有的FET都有柵*（gate）、漏*（drain）、源*（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基*（base）、集電*（collector）和發(fā)射*（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的，湖州雙*場效應(yīng)管用途，湖州雙*場效應(yīng)管用途，湖州雙*場效應(yīng)管用途。在圖中柵*的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵*限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。漏*與源*之間的電壓由VDS表示。湖州雙*場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管的歷史:場效應(yīng)晶體管的點(diǎn)項由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團(tuán)隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后，在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來。1950年，日本工程師西澤潤一和渡邊發(fā)明了點(diǎn)種結(jié)型場效應(yīng)管一一靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場效應(yīng)管。1959年，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場效應(yīng)管，并對數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。湖州雙*場效應(yīng)管用途場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏*電流）。

場效應(yīng)管注意事項:為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的*限值。各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的*性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵*不能加正偏壓；P溝道管柵*不能加負(fù)偏壓，等等。MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗*高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵*擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時比較好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮。

場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵*與其它電*完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用為普遍的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等�！“礈系腊雽�(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。功率mos管選擇深圳盟科電子。

場效應(yīng)管注意事項:在安裝場效應(yīng)管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，較大功率才能達(dá)到30W。多管并聯(lián)后，由于*間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個，而且在每管基*或柵*上串接防寄生振蕩電阻。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。湖州雙*場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵*之間的絕緣方法來區(qū)分。湖州雙*場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss 一 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵*電壓UGS=0時的漏源電流.Up 一 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵*電壓.　Ut 一 開啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵*電壓.gM 一 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS 一 對漏*電流ID的控制能力,即漏*電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS 一 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項*限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM 一 較大耗散功率,也是一項*限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率.使用時,場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM 一 較大漏源電流.是一項*限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的較大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM湖州雙*場效應(yīng)管用途

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