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晶片膜厚儀推薦型號

來源: 發(fā)布時間:2024-12-03

測量有機發(fā)光顯示器有機發(fā)光顯示器(OLEDs)有機發(fā)光顯示器正迅速從實驗室轉(zhuǎn)向大規(guī)模生產(chǎn)。明亮,超薄,動態(tài)的特性使它們成為從手機到電視顯示屏的手選。組成顯示屏的多層薄膜的精密測量非常重要,但不能用傳統(tǒng)接觸型的輪廓儀,因為它會破壞顯示屏表面。我們的F20-UV,F(xiàn)40-UV,和F10-RT-UV將提供廉價,可靠,非侵入測量原型裝置和全像素化顯示屏。我們的光譜儀還可以測量大氣敏感材料的化學(xué)變化。測量透明導(dǎo)電氧化膜不論是銦錫氧化物,氧化鋅,還是聚合物(3,4-乙烯基),我們獨有的ITO光學(xué)模型,加上可見/近紅外儀器,可以測得厚度和光學(xué)常數(shù),費用和操作難度瑾是光譜橢偏儀的一小部分?;旧纤泄饣?、半透明的或低吸收系數(shù)的薄膜都可以測量。晶片膜厚儀推薦型號

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銦錫氧化物與透明導(dǎo)電氧化物液晶顯示器,有機發(fā)光二極管變異體,以及絕大多數(shù)平面顯示器技術(shù)都依靠透明導(dǎo)電氧化物(TCO)來傳輸電流,并作每個發(fā)光元素的陽極。和任何薄膜工藝一樣,了解組成顯示器各層物質(zhì)的厚度至關(guān)重要。對于液晶顯示器而言,就需要有測量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法,對有機發(fā)光二極管而言,則需要測量發(fā)光、電注入和封裝層的厚度。在測量任何多個層次的時候,諸如光譜反射率和橢偏儀之類的光學(xué)技術(shù)需要測量或建模估算每一個層次的厚度和光學(xué)常數(shù)(反射率和k值)。不幸的是,使得氧化銦錫和其他透明導(dǎo)電氧化物在顯示器有用的特性,同樣使這些薄膜層難以測量和建模,從而使測量在它們之上的任何物質(zhì)變得困難。Filmetrics的氧化銦錫解決方案Filmetrics已經(jīng)開發(fā)出簡便易行而經(jīng)濟(jì)有效的方法,利用光譜反射率精確測量氧化銦錫。將新型的氧化銦錫模式和F20-EXR,很寬的400-1700nm波長相結(jié)合,從而實現(xiàn)氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。氧化銦錫層的特性一旦得到確定,剩余顯示層分析的關(guān)鍵就解決了。晶片膜厚儀推薦型號所有的 Filmetrics 型號都能通過精確的光譜反射建模來測量厚度 (和折射率)。

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F40系列將您的顯微鏡變成薄膜測量工具F40產(chǎn)品系列用于測量小到1微米的光斑。對大多數(shù)顯微鏡而言,F(xiàn)40能簡單地固定在c型轉(zhuǎn)接器上,這樣的轉(zhuǎn)接器是顯微鏡行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)配件。F40配備的集成彩色攝像機,能夠?qū)y量點進(jìn)行準(zhǔn)確監(jiān)控。在1秒鐘之內(nèi)就能測定厚度和折射率。像我們所有的臺式儀器一樣,F(xiàn)40需要連接到您裝有Windows計算機的USB端口上并在數(shù)分鐘內(nèi)完成設(shè)定。F40:20nm-40μm400-850nmF40-EXR:20nm-120μm400-1700nmF40-NIR:40nm-120μm950-1700nmF40-UV:4nm-40μm190-1100nmF40-UVX:4nm-120μm190-1700nm

更可加裝至三個探頭,同時測量三個樣品,具紫外線區(qū)或標(biāo)準(zhǔn)波長可供選擇。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外,可提供*小5um光點(100倍放大倍數(shù))來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作臺,由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通過快速掃瞄功能,可取得整片樣品厚度分布情況(mapping)。F70:瑾通過在F20基本平臺上增加鏡頭,使用Filmetrics*新的顏色編碼厚度測量法(CTM),把設(shè)備的測量范圍極大的拓展至。F10-RT:在F20實現(xiàn)反射率跟穿透率的同時測量,特殊光源設(shè)計特別適用于透明基底樣品的測量。PARTS:在垂直入射光源基礎(chǔ)上增加70o光源,特別適用于超薄膜層厚度和n、k值測量。**膜厚測量儀系統(tǒng)F20使用F20**分光計系統(tǒng)可以簡便快速的測量厚度和光學(xué)參數(shù)(n和k)。您可以在幾秒鐘內(nèi)通過薄膜上下面的反射比的頻譜分析得到厚度、折射率和消光系數(shù)。任何具備基本電腦技術(shù)的人都能在幾分鐘內(nèi)將整個桌面系統(tǒng)組裝起來。F20包括所有測量需要的部件:分光計、光源、光纖導(dǎo)線、鏡頭集和和Windows下運行的軟件。您需要的只是接上您的電腦。膜層實例幾乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能測。包括:sio2(二氧化硅)sinx(氮化硅)dlc(類金剛石碳)photoresist。監(jiān)測控制生產(chǎn)過程中移動薄膜厚度。高達(dá)100 Hz的采樣率可以在多個測量位置得到。

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FSM膜厚儀簡單介紹:FSM128厚度以及TSV和翹曲變形測試設(shè)備:美國FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年,總部位于圣何塞,多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測量設(shè)備,客戶遍布全世界,主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測量設(shè)備:三維輪廓儀、拉曼光譜、薄膜應(yīng)力測量設(shè)備、紅外干涉厚度測量設(shè)備、電學(xué)測量設(shè)備:高溫四探針測量設(shè)備、非接觸式片電阻及漏電流測量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析(EOT)。請訪問我們的中文官網(wǎng)了解更多的信息。一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。 測量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。重慶膜厚儀有哪些應(yīng)用

FSM413SP半自動機臺人工取放芯片。晶片膜厚儀推薦型號

TotalThicknessVariation(TTV)應(yīng)用規(guī)格:測量方式:紅外干涉(非接觸式)樣本尺寸:50、75、100、200、300mm,也可以訂做客戶需要的產(chǎn)品尺寸測量厚度:15—780μm(單探頭)3mm(雙探頭總厚度測量)掃瞄方式:半自動及全自動型號,另2D/3D掃瞄(Mapping)可選襯底厚度測量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可選粗糙度:20—1000?(RMS)重復(fù)性:0.1μm(1sigma)單探頭*0.8μm(1sigma)雙探頭*分辨率:10nm請訪問我們的中文官網(wǎng)了解更多關(guān)于本產(chǎn)品的信息。晶片膜厚儀推薦型號