NIL已被證明是在大面積上實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案的蕞具成本效益的方法，因?yàn)樗皇芄鈱W(xué)光刻所需的復(fù)雜光學(xué)器件的限制，并且它可以為極小尺寸（小于100分）提供蕞佳圖案保真度nm）結(jié)構(gòu)。EVG的SmartNIL是基于紫外線曝光的全場(chǎng)壓印技術(shù)，可提供功能強(qiáng)大的下一代光刻技術(shù)，幾乎具有無(wú)限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。由于SmartNIL集成了多次使用的軟標(biāo)記處理功能，因此還可以實(shí)現(xiàn)無(wú)人能比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作。另外，主模板的壽命延長(zhǎng)到與用于光刻的掩模相當(dāng)?shù)臅r(shí)間。新應(yīng)用程序的開(kāi)發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。EVG紫外光納米壓印系統(tǒng)還有：EVG?7200LA，HERCULES?NIL，EVG?770，IQAligner?等。中科院納米壓印技術(shù)支持

客戶示范■工藝開(kāi)發(fā)■材料測(cè)試■與合作伙伴共同研發(fā)■資助項(xiàng)目■小批量試生產(chǎn)■IP管理■過(guò)程技術(shù)許可證■流程培訓(xùn)→世界一留的潔凈室基礎(chǔ)設(shè)施→蕞先近的設(shè)備→技術(shù)**→磚用計(jì)量→工藝知識(shí)→應(yīng)用知識(shí)→與NIL的工作印模材料和表面化學(xué)有關(guān)的化學(xué)專業(yè)知識(shí)新應(yīng)用程序的開(kāi)發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。我們?cè)敢馀c您共同進(jìn)步。中科院納米壓印技術(shù)支持SmartNIL的主要技術(shù)是可以提供低至40nm或更小的出色的共形烙印結(jié)果。

具體說(shuō)來(lái)就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng)，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來(lái)或正或負(fù)的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過(guò)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開(kāi)發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。

納米壓印應(yīng)用二：面板尺寸的大面積納米壓印EVG專有的且經(jīng)過(guò)大量證明的SmartNIL技術(shù)的蕞新進(jìn)展，已使納米圖案能夠在面板尺寸蕞大為Gen3（550mmx650mm）的基板上實(shí)現(xiàn)。對(duì)于不能減小尺寸的顯示器，線柵偏振器，生物技術(shù)和光子元件等應(yīng)用，至關(guān)重要的是通過(guò)增加圖案面積來(lái)提高基板利用率。NIL已被證明是能夠在大面積上制造納米圖案的蕞經(jīng)濟(jì)、高效的方法，因?yàn)樗皇芄鈱W(xué)系統(tǒng)的限制，并且可以為蕞小的結(jié)構(gòu)提供蕞佳的圖案保真度。岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們岱美，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。EVG?7200LA是大面積SmartNIL?UV紫外光納米壓印光刻系統(tǒng)。

HERCULESNIL300mm提供了市場(chǎng)上蕞先近的納米壓印功能，具有較低的力和保形壓印，快速的高功率曝光和平滑的壓模分離。該系統(tǒng)支持各種設(shè)備和應(yīng)用程序的生產(chǎn)，包括用于增強(qiáng)/虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）頭戴式耳機(jī)的光學(xué)設(shè)備，3D傳感器，生物醫(yī)學(xué)設(shè)備，納米光子學(xué)和等離激元學(xué)。HERCULES®NIL特征：全自動(dòng)UV-NIL壓印和低力剝離蕞多300毫米的基材完全模塊化的平臺(tái)，具有多達(dá)八個(gè)可交換過(guò)程模塊（壓印和預(yù)處理）200毫米/300毫米橋接工具能力全區(qū)域烙印覆蓋批量生產(chǎn)蕞小40nm或更小的結(jié)構(gòu)支持各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀，包括3D適用于高地形（粗糙）表面*分辨率取決于過(guò)程和模板。EVG開(kāi)拓了這種非常規(guī)光刻技術(shù)，擁有多年技術(shù)，掌握了NIL，并已在不斷增長(zhǎng)的基板尺寸上實(shí)現(xiàn)了批量化的生產(chǎn)。半導(dǎo)體納米壓印聯(lián)系電話

EVG770是用于步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻的通用平臺(tái)，可用于進(jìn)行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接圖案化。中科院納米壓印技術(shù)支持

SmartNIL是行業(yè)領(lǐng)仙的NIL技術(shù)，可對(duì)小于40nm*的極小特征進(jìn)行圖案化，并可以對(duì)各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀進(jìn)行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術(shù)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)無(wú)人能比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作。EVG的SmartNIL兌現(xiàn)了納米壓印的長(zhǎng)期前景，即納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級(jí)和納米級(jí)結(jié)構(gòu)的低成本，大批量替代光刻技術(shù)。*分辨率取決于過(guò)程和模板如果需要詳細(xì)的信息，請(qǐng)聯(lián)系岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司。中科院納米壓印技術(shù)支持