焊使用工具將導線施加到微芯片上時對其產(chǎn)生壓力。將導線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍，但它也被認為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當指導的情況下嘗試進行球焊或楔焊，因為焊線的敏感性和損壞電路的風險。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個過程都可以完全自動化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。 EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500套。西藏鍵合機售后服務(wù)

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程?？梢允褂眠m合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機。晶圓鍵合類型■陽極鍵合■黏合劑鍵合■共熔鍵合■瞬間液相鍵合■熱壓鍵合EVG鍵合機特征■基底高達200mm■壓力高達100kN■溫度高達550°C■真空氣壓低至1·10-6mbar■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器EVG鍵合機加工服務(wù)EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下：■等離子活化直接鍵合■ComBond®-硅和化合物半導體的導電鍵合■高真空對準鍵合■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離■混合鍵合■黏合劑鍵合■集體D2W鍵合。 內(nèi)蒙古SUSS鍵合機EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。

1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復雜的實際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實現(xiàn)圖形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導電性和相對鍵合溫度，通常jin應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習，然后再嘗試進行引線鍵合。 EVG下的GEMINI系列是自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。

GEMINI ® FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。晶圓鍵合機（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵合機所有功能。內(nèi)蒙古SUSS鍵合機

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EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG®850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護膜剝離 光學對準 加熱層壓西藏鍵合機售后服務(wù)