1、比較高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規(guī)定了比較高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。2、反向電流反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和比較高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5uA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。3、比較大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的比較大正向電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管比較大整流電流值。 二極管可以被視為止回閥的電子版本。這種單向行為稱為整流，用于將交流電（ac）轉換為直流電（dc）。代理艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源

    [4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結構成。發(fā)光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優(yōu)點，廣用于信號指示等電路中。[4]在電子技術中常用的數碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當發(fā)光二極管正向偏置通過電流時會發(fā)出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。[4]二極管特性參數編輯用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。[4]二極管伏安特性二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖所示[5]。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過，電流開始按指數規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約，二極管處于完全導通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示[4]。對于鍺二極管，開啟電壓為。 福建艾賽斯IXYS二極管模塊廠家直銷早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。

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    電路中電流增加很快，燈泡發(fā)光。隨著電流增大，二極管VD兩端電壓維持在0．6～0．7V之間不再增加。由此可見，在正向偏置情況下，二極管表現出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準確描述這個物理現象，可以記錄每個電壓下對應的電流，從而描繪成曲線，可得到圖(b)所示的二極管正向電流、電壓關系特性在圖(b)所示正向特性中，當正向電壓較小時，正向電流幾乎為零(曲線OA段)，這時二極管并未真正導通，這一段所對應的電壓稱為二極管的死區(qū)電壓或閾值電壓，通常硅管約為0．5V，鍺管約為0．2V。當正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流迅速增加，這時二極管才真正導通，由圖(b)可見，在A點以后曲線很陡，說明二極管兩端電壓幾乎恒定，硅管約為0．6～0．7V，鍺管約為0．2～0．3v。2．反向偏置與截止狀態(tài)二極管陽極接低電位，陰極接高電位，連接電路如圖(a)所示，這種連接稱為二極管的反向偏置。此時調節(jié)串聯在電路中的電阻大小發(fā)現，即使二極管兩端反向電壓較高時，電路中仍然幾乎沒有電流，燈泡不發(fā)光。當二極管兩端反向電壓到達足夠大時(對于各種二極管該電壓數值不同)，二極管會突然導通，并造成二極管的長久損壞。同樣可將反向偏置情況下的二極管電流與電壓關系描繪成曲線。 半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。

    Schottky）二極管的大特點是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全考慮。肖特基二極管的作用及其接法肖特基二極管的作用及其接法,肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。1、肖特基二極管的作用及其接法-整流利用肖特基二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。在電路中，電流只能從肖特基二極管的正極流入，負極流出。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加電壓使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為）,稱為正向導通狀態(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態(tài)。肖特基二極管主要用于各種低頻半波整流電路，全波整流。整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個肖特基二極管封在一起。半橋是將四個肖特基二極管橋式整流的一半封在一起。 PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。上海艾賽斯IXYS二極管模塊貨源充足

貼片穩(wěn)壓二極管是電源電路中常用的元件之一，有別于普通二極管，工作在PN結的反向擊穿區(qū)。代理艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發(fā)，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。 代理艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源