在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通。畫(huà)出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見(jiàn)可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早,可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱(chēng)為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流??煽毓柙頍o(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其明顯特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng)。可控硅原理產(chǎn)品特性編輯可控硅陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向。按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。江西哪里有可控硅值得推薦
通常用兩個(gè)雙控開(kāi)關(guān)控制一個(gè)燈或其它電器,意思就是可以有兩個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)控制燈具等電器的開(kāi)關(guān),比如,在下樓時(shí)打開(kāi)開(kāi)關(guān),到樓上后關(guān)閉開(kāi)關(guān)。如果是采取傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)的話,想要把燈關(guān)上,就要跑下樓去關(guān),采用雙控開(kāi)關(guān),就可以避免這個(gè)麻煩。另外雙控開(kāi)關(guān)還用于控制應(yīng)急9誰(shuí)知道點(diǎn)開(kāi)關(guān)面板有幾種目前市場(chǎng)墻壁關(guān)、墻壁插座按尺寸劃規(guī)格主要規(guī)格120系列、118系列、86系列等。120系列指關(guān)插座產(chǎn)品度120毫米寬度78毫米。86系列指關(guān)插座產(chǎn)品度86毫米寬度86毫米。118系列指關(guān)插座產(chǎn)品度118毫米寬度78毫米。西門(mén)子、TCL-羅格朗、松下電工、西蒙、奇勝、梅蘭日蘭、朗能、鴻雁、飛雕電器、松本。是開(kāi)關(guān)面板品牌。10裝飾開(kāi)關(guān)有那些產(chǎn)品品牌裝飾開(kāi)關(guān)比較好的品牌有飛雕開(kāi)關(guān)插座、西門(mén)子開(kāi)關(guān)插座、施耐德開(kāi)關(guān)插座、西蒙開(kāi)關(guān)插座、松下開(kāi)關(guān)插座、正泰開(kāi)關(guān)插座、龍勝開(kāi)關(guān)插座、家的開(kāi)關(guān)插座、羅格朗開(kāi)關(guān)插座、格蘭開(kāi)關(guān)插座,全國(guó)開(kāi)關(guān)品牌,如果你買(mǎi)品牌開(kāi)關(guān),可以去了解一下。遼寧常見(jiàn)可控硅報(bào)價(jià)可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍。
TC=℃)------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門(mén)極觸發(fā)電流VGT=V------------門(mén)極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QB-02-091.晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓(換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓)及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿(mǎn)元件內(nèi)部,在關(guān)斷過(guò)程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時(shí),元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓(換相過(guò)電壓)。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2.交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程,會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級(jí)之間存在分布電容,初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。
并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣。組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),如:四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等;四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)一個(gè)字母)帶“W”的,均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;型號(hào)如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流,各個(gè)廠家的含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F(xiàn)=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流字母沒(méi)有統(tǒng)一的定義,以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值,而非“=”一個(gè)參數(shù)值。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。
其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),可控硅就導(dǎo)通;這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持,一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位角wt1),在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,使可控硅導(dǎo)通,根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性,這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中,0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,這一范圍稱(chēng)為控制角,常用a表示;而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,這一范圍稱(chēng)為導(dǎo)通角,常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅(對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始,對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間(或相位),即改變了導(dǎo)通角j(或控制角a)的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高,燈就越亮。從上述可控硅調(diào)光原理可知,調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。江西哪里有可控硅值得推薦
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。江西哪里有可控硅值得推薦
改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等??煽毓梃b別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)??煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓桦妷簻y(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。江西哪里有可控硅值得推薦
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司屬于電子元器件的高新企業(yè),技術(shù)力量雄厚。是一家有限責(zé)任公司(自然)企業(yè),隨著市場(chǎng)的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,與多家企業(yè)合作研究,在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過(guò)不斷改進(jìn),追求新型,在強(qiáng)化內(nèi)部管理,完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí),良好的質(zhì)量、合理的價(jià)格、完善的服務(wù),在業(yè)界受到寬泛好評(píng)。公司始終堅(jiān)持客戶(hù)需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器。江蘇芯鉆時(shí)代以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,打造高指標(biāo)的服務(wù),引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。