二極管算是半導體家族中的元老了,早在***次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器,從1930年開始,半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為:快恢復二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流在幾個安培以內(nèi),電壓比較高1000多V,但是反向恢復素很快,只有幾個ns至幾十個ns,用在小功率開關電源做輸出整流,或需要頻繁開關的場合,其封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等。二極管模塊指封裝成模塊的二極管,功率較大,幾十、幾百安培,主要用于整流,在大功率設備上使用,如電焊機等,反向恢復時間很快,但比二極管慢,一般在幾十個ns至幾百個ns之間。那二極管模塊應如何選型呢?1、快恢復二極管模塊快恢復二極管是一種能快速從通態(tài)轉變到關態(tài)的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合(電路接通),截止時相當于開關打開(電路切斷)。特性是開關速度快,快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高器件的使用頻率和改善波形??旎謴投O管模塊分400V快恢復二極管模塊,600V快恢復二極管模塊,1200V快恢復二極管模塊等。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關斷。天津替換模塊
其次對TTL電平的相關定義進行了介紹,**后闡述了電...發(fā)表于2018-03-1310:02?221次閱讀淺談欠壓檢測門限的選定方法關于如何設置上/下門限電壓、如何設置回差電壓、如何選擇**芯片,以及關于回差電壓。檢測門限電壓、穩(wěn)壓...發(fā)表于2018-03-0516:44?118次閱讀理解電壓基準:簡單灌電流使用運算放大器反饋和電壓基準可以簡單直接產(chǎn)生任意大小的直流電流。本篇文章將討論一種**簡化的實現(xiàn)灌電...發(fā)表于2018-03-0110:38?283次閱讀簡單材料制作多電壓變壓器對于電子愛好者來說,新鮮的事物或者實驗都是他們**大的興趣,本文將介紹如何制作方便適用的多電壓變壓器,...發(fā)表于2018-02-1408:41?388次閱讀電阻絲的發(fā)熱功率計算本文主要介紹了電阻絲的發(fā)熱功率改怎么計算,電阻絲爐的基本原理和工作原理分析。電熱絲發(fā)熱的原理是電流的...發(fā)表于2018-02-0314:41?913次閱讀選擇合適的工業(yè)連接器需要做的3件事情選擇一個工業(yè)連接器,需要做下面幾件事插頭、插座哪個需要固定,哪個需要移動判定使用環(huán)境...發(fā)表于2018-02-0210:59?618次閱讀電機功率與電流對照表本文開始介紹了電機的分類,其次介紹了直流式電機工作原理。安徽貿(mào)易模塊量大從優(yōu)IGBT模塊的應用非常***,它可以用于汽車、船舶、飛機、電梯、電力系統(tǒng)、電力調節(jié)器。
我國的功率半導體技術包括芯片設計、制造和模塊封裝技術目前都還處于起步階段。功率半導體芯片技術研究一般采取“設計+代工”模式,即由設計公司提出芯片設計方案,由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線,只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工,所以設計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比,大功率器件有許多特有的技術難題,如芯片的減薄工藝,背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術,更需要先進的工藝設備,這些都是我國功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結構設計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型,在改善IGBT的開關性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設計在工藝上實現(xiàn)卻有相當大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化,背面的減薄國內(nèi)的做的都不是很好。低溫藥芯錫絲薄片工藝,特定耐壓指標的IGBT器件,芯片厚度也是特定的,需要減薄到200-100um,甚至到80um,現(xiàn)在國內(nèi)可以將晶圓減薄到175um,再低就沒有能力了。比如在100~200um的量級,當硅片磨薄到如此地步后,后續(xù)的加工處理就比較困難了。
圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中:1為多晶硅層,2為氧化層,21為***氧化層,22為第二氧化層,23為**氧化層,3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖,包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內(nèi)的兩個溝槽柵結構,兩個溝槽柵結構對稱,溝槽柵結構設置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,***氧化層21設置在溝道區(qū),第二氧化層22設置在非溝道區(qū),第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,與現(xiàn)有技術相比,本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術中的厚度,因此本實施例的結電容更小。需要說明的是,本實施例減小結電容的方式是通過增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度,***氧化層21厚度不變,因此本實施例在減小結電容的同時并不會造成器件整體性能變差。普通PPS的CTI值大約在150V左右,遠遠滿足不了要求,我們研發(fā)團隊通過特殊配方對PPS材料進行改性.
下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極,紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發(fā)信號,表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通;**后脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測管具有觸發(fā)能力。3.檢查關斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負向觸發(fā)信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關斷能力。4.估測關斷增益βoff進行到第3步時,先不接入表Ⅱ,記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強迫GTO關斷,記下表Ⅱ的正向偏轉格數(shù)n2。**后根據(jù)讀取電流法按下式估算關斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是。問世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達林頓管等。推廣模塊哪家好
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高。天津替換模塊
數(shù)字隔離數(shù)字隔離+關注數(shù)字隔離技術常用于工業(yè)網(wǎng)絡環(huán)境的現(xiàn)場總線、***電子系統(tǒng)和航空航天電子設備中,尤其是一些應用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點,選型及應用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。硬件工程師硬件工程師+關注硬件工程師HardwareEngineer職位要求熟悉計算機市場行情;制定計算機組裝計劃;能夠選購組裝需要的硬件設備,并能合理配置、安裝計算機和**設備;安裝和配置計算機軟件系統(tǒng);保養(yǎng)硬件和**設備;清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。循跡小車循跡小車+關注做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認識,它是自動引導機器人系統(tǒng)的基本應用,那么***小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理,智能循跡小車的應用,智能循跡小車程序,循跡小車用途等知識吧!MPU6050MPU6050+關注MPU-6000(6050)為全球首例整合性6軸運動處理組件,相較于多組件方案,免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題,減少了大量的封裝空間。K60K60+關注wifi模塊wifi模塊+關注Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層。天津替換模塊
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