1)斷態(tài)重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,其數值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時,可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,此電壓數值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞,因而在選用的時候,額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為安全系數。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下,晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內)的平均值,稱為額定通態(tài)平均電流IT,簡稱額定電流。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,維持元件繼續(xù)導通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安~一百多毫安,其數值與元件的溫度成反比,在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半。當晶閘管的正向電流小于這個電流時,晶閘管將自動關斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型:晶閘管有多種類型,應根據應用電路的具體要求合理選用。普通晶閘管(SCR)靠門極正信號觸發(fā)之后,撤掉信號亦能維持通態(tài)。北京哪里有美國IR可控硅&晶閘管模塊
金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,快速晶閘管包括所有專為快速應用而設計的晶閘管,有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,可分別應用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。(備注:高頻不能等同于快速晶閘管)晶閘管的作用與工作原理:我們分析晶閘管的作用與原理的時候可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如上圖所當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導通。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用。北京定制美國IR可控硅&晶閘管模塊供應晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和。
認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產品,并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導體結構,形成三個PN結,分別稱:陽極,陰極和控制極。圖1晶閘管的結構晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導通,這是晶閘管的閘流特性,即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。晶閘管的種類1.雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,其他兩個極稱為主電極Tl和T2。結構是一種N—P—N—P—N型五層結構的半導體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導通。它無所謂陽極和陰極,不管觸發(fā)信號的極性如何,雙向晶閘管都能被觸發(fā)導通。這個特點是普通晶閘管所沒有的。2.快速晶閘管人們在普通晶閘管的制造工藝和結構上采取了一些改進措施。
人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施,做出了能適應于高頻應用的晶閘管,我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關斷時間(toff)短導通的晶閘管,當切斷正向電流時。并不能馬上“關斷”,這時如立即加上正向電壓,它還會繼續(xù)導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間,叫做關斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關斷過程,實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,把金摻到硅中減少基區(qū)少數載流子的壽命。硅中摻金量越多,t0仟越小,但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)控制極觸發(fā)導通的晶閘管??偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導通,然后逐漸向外擴展,直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50~100微秒以上才能***積導通。初始導通面積小時,必須限制初始電流的上升速度,否則將發(fā)生局部過熱現象,影響元件的性能,甚至燒壞。高頻工作時這種現象更為嚴重。為此,仿造了集成電路的方法,在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管??刂茦O觸發(fā)小晶閘管后,小晶閘管的初始導通電流將橫向經過硅片流向主晶閘管陰極,觸發(fā)主晶閘管。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。
從而實際強觸發(fā),加速了元件的導通,提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個P—N結組成的。每個結相當于一個電容器。結電壓急劇變化時,就有很大的位移電流流過元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用??赡苁咕чl管誤導通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導通現象發(fā)生,快速晶閘管采取了短路發(fā)射結結構。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來,即使電壓上升率較高,晶閘管的電流放大系數仍幾乎為零,不致使晶閘管誤導通。只是在電壓上升率進一步提高,結電容位移電流進一步增大,在短路點上產生電壓降足夠大時,晶閘管才能導通。具有短路發(fā)射結結構的晶閘管,用控制極電流觸發(fā)時,控制極電流首先也是從短路點流向陰極。只是當控制極電流足夠大,在短路點電阻上的電壓降足夠大,PN結正偏導通電流時,才同沒有短路發(fā)射結的元件一樣,可被觸發(fā)導通。因此,快速晶閘管的抗干擾能力較好??焖倬чl管的生產和應用都進展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,關斷時間*為20微妙的大功率快速晶閘管,同時還做出了**高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。這類應用一般多應用在電力試驗設備上,通過變壓器,調整晶閘管的導通角輸出一個可調的直流電壓。北京定制美國IR可控硅&晶閘管模塊供應
晶體閘流管(Thyristor)又稱作可控硅整流器,曾被簡稱為可控硅。北京哪里有美國IR可控硅&晶閘管模塊
晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內,如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時,當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時,晶閘管才接通?,F在,繪制其波形(圖4(c)和(d)),可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時,負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時,晶閘管導通時間較早;UG到達較晚時,晶閘管導通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時間,可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術中,交流電的半周常被設定為180度,稱為電角。因此,在U2的每一個正半周期中,從零值到觸發(fā)脈沖到達時刻的電角稱為控制角α,每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ。顯然,α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內的通斷范圍。通過改變控制角度0或導通角theta,可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現可控整流器。北京哪里有美國IR可控硅&晶閘管模塊