IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。IGBT是能源轉換與傳輸?shù)钠骷?，是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)射極。在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制。1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態(tài)。2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。3）當集-射極電壓UCE＞0時。比較高柵源電壓受比較大漏極電流限制，其比較好值一般取為15V左右。河北Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

    增加電力網的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調速、串激調速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調壓（脈沖調壓）斬波調壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點功率靜態(tài)開關（固態(tài)開關）作為功率開關元件，代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合晶閘管導通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當正向門極電壓，使晶閘管導通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導通后，門極就對它失去控制作用，通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導通，但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷，可降低陽極電壓，或增大負載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當門極斷開時，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零，之后再提高電壓或減小負載電阻，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性，可以總結出：1．門極斷開時。河北Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷62mm封裝(俗稱“寬條”):IGBT底板的銅極板增加到62mm寬度。

    TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標準：QB-02-091．晶閘管關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，在關斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側過電壓及其保護由于交流側電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程，會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經電容耦合到次級，出現(xiàn)瞬時過電壓。

    這樣能降低柵電容，增強器件短路電流的能力，提高器件的抗沖擊能力。3、本發(fā)明一實施例還設置了電荷存儲層14，電荷存儲層14結合第二屏蔽電極結構能更好的防止集電區(qū)9注入的少子進入到溝道區(qū)域中，從而能降低降低器件的飽和壓降。本發(fā)明第二實施例igbt器件：如圖2所示，是本發(fā)明實施例第二實施例igbt器件的結構示意圖，本發(fā)明第二實施例igbt器件包括：本發(fā)明第二實施例器件和本發(fā)明一實施例器件的區(qū)別之處為，本發(fā)明第二實施例器件中，在各所述單元結構中，所述源極接觸孔11和鄰近的一個所述屏蔽接觸孔合并成一個接觸孔，鄰近的所述屏蔽接觸孔外側的所述屏蔽接觸孔11a呈結構。本發(fā)明一實施例方法：如圖3a至圖3g所示，是本發(fā)明一實施例方法各步驟中器件的結構示意圖，本發(fā)明一實施例igbt器件的制造方法包括如下步驟：步驟一、如圖3a所示，提供一半導體襯底，在所述半導體襯底表面形成由一導電類型輕摻雜區(qū)組成的漂移區(qū)1。所述半導體襯底為硅襯底。在所述硅襯底表面形成有硅外延層，所述漂移區(qū)1直接由一導電類型輕摻雜的所述硅外延層組成，所述阱區(qū)2形成于所述漂移區(qū)1表面的所述硅外延層中。步驟二、如圖3a所示，在所述半導體襯底中形成多個溝槽101。正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發(fā)展的需求。

    B）車載空調控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用；2）智能電網IGBT廣泛應用于智能電網的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：1、從發(fā)電端來看，風力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2、從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關鍵器件。4、從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅動等都對IGBT有大量的需求。3）軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動技術是現(xiàn)代軌道交通的技術之一，在交流傳動系統(tǒng)中牽引變流器是關鍵部件，而IGBT又是牽引變流器的器件之一。IGBT國內外市場規(guī)模2015年國際IGBT市場規(guī)模約為48億美元，預計到2020年市場規(guī)?？梢赃_到80億美元，年復合增長率約10%。2014年國內IGBT銷售額是，約占全球市場的1∕3。預計2020年中國IGBT市場規(guī)模將超200億元，年復合增長率約為15%。從公司來看，國外研發(fā)IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、東芝、富士等。中國功率半導體市場占世界市場的50%以上。普通的交流220V供電，使用600V的IGBT。河北Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。河北Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

    所述發(fā)射區(qū)通過頂部的對應的接觸孔連接到所述金屬源極；令所述發(fā)射區(qū)頂部對應的接觸孔為源極接觸孔11，所述源極接觸孔11還和穿過所述發(fā)射區(qū)和所述阱區(qū)2接觸。所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b也分布通過對應的接觸孔連接到所述金屬源極。步驟十、如圖1所示，對所述半導體襯底進行背面減薄，進行第二導電類型重摻雜注入并進行退火在所述漂移區(qū)1的底部表面形成有由第二導電類重摻雜區(qū)組成的集電區(qū)9。更擇為，在背面減薄之后以及形成所述集電區(qū)9之前，還包括進行一導電類型重摻雜注入并進行退火在所述漂移區(qū)1的底部表面形成有由一導電類重摻雜區(qū)組成的電場中止層8，后續(xù)形成的所述集電區(qū)9位于所述電場中止層8的背面。步驟十一、如圖1所示，在所述集電區(qū)9的底部表面形成由背面金屬層13組成的金屬集電極。通過形成于所述柵極結構兩側的具有溝槽101式結構的所述第二屏蔽電極結構降低igbt器件的溝槽101的步進，從而降低igbt器件的輸入電容、輸出電容和逆導電容，提高器件的開關速度；通過將所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b和所述金屬源極短接提高器件的短路電流能力；通過所述電荷存儲層14減少器件的飽和壓降。河北Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷