在物理學家關于氣體或其他有重物體所形成的理論觀念同麥克斯韋關于所謂空虛空間中的電磁過程的理論之間，有著深刻的形式上的分歧。這就是，我們認為一個物體的狀態(tài)是由數目很大但還是有限個數的原子和電子的坐標和速度來完全確定的；與此相反，為了確定一個空間的電磁狀態(tài)，我們就需要用連續(xù)的空間函數，因此，為了完全確定一個空間的電磁狀態(tài)，就不能認為有限個數的物理量就足夠了。按照麥克斯韋的理論，對于一切純電磁現象因而也對于光來說，應當把能量看作是連續(xù)的空間函數，而按照物理學家的看法，一個有重客體的能量，則應當用其中原子和電子所帶能量的總和來表示。一個有重物體的能量不可能分成任意多個、任意小的部分，而按照光的麥克斯韋理論（或者更一般地說，按照任何波動理論），從一個點光源發(fā)射出來的光束的能量，則是在一個不斷增大的體積中連續(xù)地分布的。緊湊，適用于設備集成。山東激光干涉儀形貌測量

不同變比電流互感器。這種型號的電流互感器具有同一個鐵心和一次繞組，而二次繞組則分為兩個匝數不同、各自獨自的繞組，以滿足同一負荷電流情況下不同變比、不同準確度等級的需要，例如在同一負荷情況下，為了保證電能計量準確，要求變比較小一些（以滿足負荷電流在一次額定值的2/3左右），準確度等級高一些（如1K1.1K2為200/5.0.2級）；而用電設備的繼電保護，考慮到故障電流的保護系數較大，則要求變比較大一些，準確度等級可以稍低一點（如2K1.2K2為300/5.1級）。上海電子激光干涉儀在三個直徑為400、315和200μm的金屬圓筒上進行輪廓測量。

利用不同構形的彈性敏感元件可測量各種物體的應力、應變、壓力、扭矩、加速度等機械量。半導體應變片與電阻應變片(見電阻應變片相比，具有靈敏系數高（約高 50～100倍）、機械滯后小、體積小、耗電少等優(yōu)點。P型和N型硅的靈敏系數符號相反，適于接成電橋的相鄰兩臂測量同一應力。早期的半導體應變片采用機械加工、化學腐蝕等方法制成，稱為體型半導體應變片。它的缺點是電阻和靈敏系數的溫度系數大、非線性大和分散性大等。這曾限制了它的應用和發(fā)展。自70年代以來，隨著半導體集成電路工藝的迅速發(fā)展，相繼出現擴散型、外延型和薄膜型半導體應變片，上述缺點得到一定克服。半導體應變片主要應用于飛機、導彈、車輛、船舶、機床、橋梁等各種設備的機械量測量。

外觀檢查規(guī)定

1 表盤上或外殼上至少應有下述標志符號：A.儀表名稱或被測之量的標志符號；B.型號；C.系別符號；D.準確度等級；E.廠名或廠標；F.制造標準號；G.制造年月或出廠編號；H.電流種類或相數，三相儀表中測量機構的元件數量；I.正常工作位置；J.互感器的變比(指與互感器聯用的儀表)；K.定值導線值(或符號)和分流器額定電壓降值(對低量限電壓表的要求)。

2 儀表的端鈕和轉換開關上應有用途標志；

3 從外表看，零部件完整，無松動，無裂縫，無明顯殘缺或污損。當傾斜或輕搖儀表時，內部無撞擊聲；

4 向左右兩方向旋動機械調零器，指示器應轉動靈活，左右對稱； 低電子噪聲和良好的光學穩(wěn)定性。

擴散型半導體應變片

這種應變片是將 P型雜質擴散到一個高電阻N型硅基底上，形成一層極薄的P型導電層，然后用超聲波或熱壓焊法焊接引線而制成（圖2）。它的優(yōu)點是穩(wěn)定性好，機械滯后和蠕變小，電阻溫度系數也比一般體型半導體應變片小一個數量級。缺點是由于存在P-N結，當溫度升高時，絕緣電阻大為下降。半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。是一種利用半導體單晶硅的壓阻效應制成的一種敏感元件。新型固態(tài)壓阻式傳感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用擴散法制成的。 IDS與各種目標和目標材料兼容。上海電子激光干涉儀

在環(huán)境條件下懸臂的共振頻率，不施加壓電致動器的任何振蕩。山東激光干涉儀形貌測量

(3)非接觸測頭以及各種掃描探針顯微鏡。航空航天行業(yè)對此已經提出迫切要求，這是今后坐標測量機發(fā)展的關鍵技術。目前接觸式測頭已完全被國外所壟斷，非接觸測頭還沒有發(fā)展成熟，我們有參與競爭的機遇。以前較多采用的激光三角法原理受到很多限制，難以有突破性進展，但可在原理創(chuàng)新上下功夫。應該突破0.1～0.5μm分辨率。

(5)新器件，新材料。過去，科研評價體系存在偏重于整機和系統(tǒng)，忽視材料和器件的趨向。新的突破點可能出現在新光源、新型高頻探測器。目前探測器的響應頻率只有10的9次方，而光頻高達10的14次方，目前干涉儀實際上是起著混頻器的作用，適應探測器的不足(如果探測器的響應果真能超過光頻，干涉儀也就沒有用了)。如果探測器的性能得到顯著提高，對于通訊也是很大的突破。 山東激光干涉儀形貌測量