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山西pvd真空鍍膜設(shè)備spts

來源: 發(fā)布時間:2022-03-07

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜內(nèi)白霧】: 白霧形成在膜內(nèi),無法用擦拭方法去除。 可能成因: 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料,可能對某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進罩前(洗凈后)受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良,洗凈痕跡,擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過重 9. 環(huán)境濕度大 改善對策:基片本身的問題可能時主要的鍍膜室盡量彌補,鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問題。 1. 改進膜系,第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開門時間 3. 真空室在更換護板、清潔后,Zui好能空罩抽真空烘烤一下,更換的護板等真空室部件必須干燥、干凈 4. 改善環(huán)境 5. 妥善保護進罩前在傘片上的鏡片,免受污染 6. 改善洗凈、擦拭效果 7. 改善膜匹配(考慮第yi層用Al2O3) 8. 改善膜充氧和蒸發(fā)速率(降低) 9. 加快前工程的流程。前工程對已加工光面的保護加強。 10. 拋光加工完成的光面,必須立即清潔干凈,不能有拋光粉或其他雜質(zhì)附著干結(jié)。 真空鍍膜設(shè)備品牌有很多,你如何選擇?山西pvd真空鍍膜設(shè)備spts

【磁控濺射鍍膜的歷史】: 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面,特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地擴展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶原子,靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響,被束縛在靶面的等離子體區(qū)域,二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動,在運動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊,電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點】: 優(yōu)點:工藝重復(fù)性好,薄膜純度高,膜厚均勻,附著力好。 缺點:設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜,靶材利用率低。 天津手機真空鍍膜設(shè)備廠家真空鍍膜設(shè)備升級改造。

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】: 除蒸發(fā)法和濺射法外,人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點,取長補短,發(fā)展出一些新的方法,如:等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點,特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面,具有其它手段無可比擬的優(yōu)點。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實際的鍍膜機照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上,在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源,從而實現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵,而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比,由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同,HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵,從而能對靶的材料實現(xiàn)全mian積均勻。

【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】: 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu),表面硬度不高,容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括: 1. 在膜系設(shè)計允許的條件下,膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層,二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂(但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂)。鍍膜后離子轟擊幾分鐘,牢固度效果會更好。(但表面會變粗) 2. 鏡片取出真空室后,放置在較為干燥潔凈的地方,防止鏡片快速吸潮,表面硬度降低。 真空鍍膜設(shè)備是什么?

【真空鍍膜設(shè)備之渦輪分子泵】: 渦輪分子泵:渦輪分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的動葉輪將動量傳給氣體分子,使氣體產(chǎn)生定向流動而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空,屬于干泵,極限真空10&7~10&8Torr,烘烤后可到10&10Torr,抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉(zhuǎn)動的渦輪轉(zhuǎn)子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機械真空泵。泵的轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/分到50000轉(zhuǎn)/分,這種泵的抽速范圍很寬,但不能直接對大氣排氣,需要配置前級泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關(guān),如對氫的抽速比對空氣的抽速大20%。 關(guān)于真空鍍膜設(shè)備,你知道多少?江西真空鍍膜設(shè)備控制系統(tǒng)

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【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜料點】: 膜料點不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個常見問題,在日企、臺企把膜料點稱為“斑孔”。顧名思義,膜料點就是蒸鍍中,大顆粒膜料點隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點狀的突起,有時是個別點,嚴重時時成片的細點,大顆粒點甚至打傷基片表面。 改善對策: 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時,防止坩堝轉(zhuǎn)動中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮,將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 山西pvd真空鍍膜設(shè)備spts