【光學(xué)薄膜理論基礎(chǔ)】： 光學(xué)薄膜基本上是借由干涉作用而達(dá)到效果的。是在光學(xué)元件上或獨(dú)li的基板上鍍一層或多層的介電質(zhì)膜或金屬膜或介電質(zhì)膜或介電質(zhì)膜與金屬膜組成的膜堆來(lái)改變廣播傳到的特性。因此波在薄膜中行進(jìn)才會(huì)發(fā)生投射、反射、吸收、散射、相位偏移等變化。 光波經(jīng)過(guò)薄膜后在光譜上會(huì)起變化，因此這些變化會(huì)使得光學(xué)薄膜至少具有下列功能： &反射的提高或穿透的降低 &反射的降低或穿透的提高 &雙色、偏極光的分光作用 &光譜帶通或戒指等濾光作用 &輻射器之光通量調(diào)整 &光電資訊的儲(chǔ)存及輸入真空鍍膜設(shè)備的主要應(yīng)用。重慶真空鍍膜設(shè)備進(jìn)口

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜色差異】： 膜色差異有兩種（不含色斑），一種時(shí)整罩上、中、下膜色不一致，即分光測(cè)試曲線有差異；二是單片膜色不一致。 改善對(duì)策： 1. 調(diào)整修正版，盡量考慮高低折射率膜料的平衡兼容，如果有兩個(gè)蒸發(fā)源，可能的條件下，獨(dú)li使用各自的修正板，避免干擾。 2. 條件許可，采用行星夾具。 3. 傘片整形。 4. 加強(qiáng)傘片管理。 5. 改善膜料狀況 6. 能夠自動(dòng)預(yù)熔的膜料，盡量自動(dòng)預(yù)熔 注：修正板對(duì)物理膜厚的修正有效，但對(duì)折射率的修正是力不從心的，所以完全靠修正板解決分光均勻性，是很困難的。如果一個(gè)修正板對(duì)應(yīng)二把電子搶?zhuān)ㄕ舭l(fā)源）、以及多種膜料，就會(huì)有較大困難。 廣西科潤(rùn)真空鍍膜設(shè)備廠離子真空鍍膜設(shè)備是什么？

【真空鍍膜設(shè)備之真空的獲得】： 真空泵：真空泵是指利用機(jī)械、物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法對(duì)被抽容器進(jìn)行抽氣而獲得真空的器件或設(shè)備。通俗來(lái)講，真空泵是用各種方法在某一封閉空間中改善、產(chǎn)生和維持真空的裝置。 按真空泵的工作原理，真空泵基本上可以分為兩種類(lèi)型，即氣體捕集泵和氣體傳輸泵。其廣fan用于冶金、化工、食品、電子鍍膜等行業(yè)。 A、粗真空泵（Rough Vacuum Pump）：一般用于抽粗真空，有油泵和 干泵。從結(jié)構(gòu)上可分幾種： 旋轉(zhuǎn)葉片泵：油泵，極限真空可達(dá)10&3Torr，抽速1~650CFM 隔膜泵：干泵，極限真空1Torr左右，抽速<10CFM 往復(fù)式活塞泵：干泵，極限真空10&2Torr，抽速6~32CFM 渦旋式真空泵：干泵，極限真空10&2Torr，抽速12~25CFM 螺旋泵：干泵，極限真空10&3Torr，抽速30~318CFM

【真空鍍膜磁控濺射法】： 濺射鍍膜Zui初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0．1 Pa)下進(jìn)行；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。 磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng)，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問(wèn)題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì)；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。 真空鍍膜設(shè)備為什么會(huì)越來(lái)越慢？

【近些年來(lái)出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，取長(zhǎng)補(bǔ)短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn)，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場(chǎng)的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場(chǎng)的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對(duì)靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。 真空鍍膜設(shè)備詳細(xì)鍍膜方法。江西手機(jī)真空鍍膜設(shè)備

真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。重慶真空鍍膜設(shè)備進(jìn)口

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱(chēng)為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 重慶真空鍍膜設(shè)備進(jìn)口