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湖南真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-07-19

【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】: 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu),表面硬度不高,容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括: 1. 在膜系設(shè)計(jì)允許的條件下,膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層,二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂(但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂)。鍍膜后離子轟擊幾分鐘,牢固度效果會(huì)更好。(但表面會(huì)變粗) 2. 鏡片取出真空室后,放置在較為干燥潔凈的地方,防止鏡片快速吸潮,表面硬度降低。 真空鍍膜設(shè)備故障解決方法?湖南真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

【為什么要在真空中鍍膜】: 1.鍍的過程中不會(huì)受空氣分子碰撞,有較大的動(dòng)量到達(dá)待鍍件表面 2.防止氣體“污染”.如:鍍金屬膜時(shí)可以防止氧化 3.成膜過程不受氣體影響,致密牢固 4.真空(負(fù)壓)狀態(tài)下,鍍膜材料的熔點(diǎn)教常壓下低,易于融化蒸發(fā)(對(duì)于蒸發(fā)類型的鍍膜) 真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù),是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜,從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導(dǎo)電、導(dǎo)磁、絕緣和裝飾等許多優(yōu)于固體材料本身的優(yōu)越性能,達(dá)到提高產(chǎn)品質(zhì)量、延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命、節(jié)約能源和獲得明顯技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益的作用。因此真空鍍膜技術(shù)被譽(yù)為Zui具發(fā)展前途的重要技術(shù)之一,并已在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場(chǎng)前景。這種新興的真空鍍膜技術(shù)已在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域得到應(yīng)用,如航空、航天、電子、信息、機(jī)械、石油、化工、環(huán)保、Jun事等領(lǐng)域。 湖南真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件電子束蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備是什么?

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】: 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見問題,在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義,膜料點(diǎn)就是蒸鍍中,大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起,有時(shí)是個(gè)別點(diǎn),嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn),大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策: 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí),防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮,將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。

【離子鍍膜法之直流二極型(DCIP)】: 直流二極型(DCIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;被鍍基體作為陰極,利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升大、繞射性好、附著性好,膜結(jié)構(gòu)及形貌差,若用電子束加熱必須用差壓板;可用于鍍耐腐蝕潤(rùn)滑機(jī)械制品。 【離子鍍膜法之多陰極型】: 多陰極型:利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,有時(shí)需要對(duì)基板加熱;可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。 錦成國(guó)泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣?

【濺射鍍膜定義】: 定義:所謂濺射,就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下,形成氣體等離子體(輝光放電),其中的陽離子在電場(chǎng)力作用下高速向靶材沖擊,陽離子和靶材進(jìn)行能量交換,使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出(其中逸出的還可能包含靶材離子)。這一整個(gè)的動(dòng)力學(xué)過程,就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時(shí),將其部分能量傳輸給表層晶格原子,引起靶材中原子的運(yùn)動(dòng)。有的原子獲得能量后從晶格處移位,并克服了表面勢(shì)壘直接發(fā)生濺射;有的不能脫離晶格的束縛,只能在原位做振動(dòng)并波及周圍原子,結(jié)果使靶的溫度升高;而有的原子獲得足夠大的能量后產(chǎn)生一次反沖,將其臨近的原子碰撞移位,反沖繼續(xù)下去產(chǎn)生高次反沖,這一過程稱為級(jí)聯(lián)碰撞。級(jí)聯(lián)碰撞的結(jié)果是部分原子達(dá)到表面,克服勢(shì)壘逸出,這就形成了級(jí)聯(lián)濺射,這就是濺射機(jī)理。當(dāng)級(jí)聯(lián)碰撞范圍內(nèi)反沖原子密度不高時(shí),動(dòng)態(tài)反沖原子彼此間的碰撞可以忽略,這就是線性級(jí)聯(lián)碰撞。 磁控濺射真空鍍膜設(shè)備是什么?湖南真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

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【光譜分光不良的補(bǔ)救(補(bǔ)色)之停電】: 分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測(cè)試分光不良,此類不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確,補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之停電: 對(duì)于停電這種情況,比較好處理,只要確認(rèn)前面鍍的沒錯(cuò),程序沒有用錯(cuò),就可以繼續(xù)原來的程序,要注意的是:如果某一層鍍了一部分繼續(xù)鍍下去時(shí),交接處要減少一些膜厚(根據(jù)膜料、蒸發(fā)速率決定減少多少,一般時(shí)0.2~1nm左右),如果該層剩下的膜厚不足15~20秒蒸鍍時(shí),要考慮降低蒸發(fā)速率或干脆不讀,通過后續(xù)層調(diào)整膜厚解決。 湖南真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

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