【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之灰點臟】： 現(xiàn)象：鏡片膜層表面或內(nèi)部有一些電子（不是膜料點），有些可擦除，有些不能擦除。并且會有點狀脫膜產(chǎn)生。 原因： 1. 真空室臟 2. 鏡圈或碟片臟 3. 鏡片上傘時就有灰塵點，上傘時沒有檢查挑選。 4. 鍍制完成后的環(huán)境污染是膜外灰點的主要成因，特別是當鏡片熱的時候，更容易吸附灰塵，而且難以擦除。 改善思路：杜絕灰塵源 1. 工作環(huán)境改造成潔凈車間，嚴格按潔凈車間規(guī)范實施。 2. 盡可能做好環(huán)境衛(wèi)生。盡量利用潔凈工作臺。 3. 真空室周期打掃，保持清潔。 真空鍍膜設(shè)備品牌排行。北京臥式真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜磁控濺射法】： 濺射鍍膜Zui初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射，它的優(yōu)點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0．1 Pa)下進行；不能濺射絕緣材料等缺點限制了其應(yīng)用。 磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。 廣東小尺寸釹鐵硼磁體表面真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護？

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點，取長補短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實際的鍍膜機照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現(xiàn)全mian積均勻。

【真空鍍膜之真空的概念】： “真空”是指在給定空間內(nèi)低于一個大氣壓力的氣體狀態(tài)，也就是該空間內(nèi)氣體分子密度低于該地區(qū)大氣壓的氣體分子密度。不同的真空狀態(tài)，就意味著該空間具有不同的分子密度。在標準狀態(tài)（STP：即0℃，101325Pa，也就是1標準大氣壓，760Torr）下，氣體的分子密度為2.68E24/m3，而在真空度為1.33E&4 Pa（1E&6Torr）時，氣體的分子密度只有3.24E16/m3。完全沒有氣體的空間狀態(tài)為Jue對真空。Jue對真空實際上是不存在的。磁控濺射真空鍍膜設(shè)備是什么？

【濺射鍍膜定義】： 定義：所謂濺射，就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下，形成氣體等離子體（輝光放電），其中的陽離子在電場力作用下高速向靶材沖擊，陽離子和靶材進行能量交換，使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出（其中逸出的還可能包含靶材離子）。這一整個的動力學過程，就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時，將其部分能量傳輸給表層晶格原子，引起靶材中原子的運動。有的原子獲得能量后從晶格處移位，并克服了表面勢壘直接發(fā)生濺射；有的不能脫離晶格的束縛，只能在原位做振動并波及周圍原子，結(jié)果使靶的溫度升高；而有的原子獲得足夠大的能量后產(chǎn)生一次反沖，將其臨近的原子碰撞移位，反沖繼續(xù)下去產(chǎn)生高次反沖，這一過程稱為級聯(lián)碰撞。級聯(lián)碰撞的結(jié)果是部分原子達到表面，克服勢壘逸出，這就形成了級聯(lián)濺射，這就是濺射機理。當級聯(lián)碰撞范圍內(nèi)反沖原子密度不高時，動態(tài)反沖原子彼此間的碰撞可以忽略，這就是線性級聯(lián)碰撞。真空鍍膜設(shè)備主要用途？遼寧真空鍍膜設(shè)備研發(fā)

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【真空鍍膜設(shè)備的分類】： 這個問題如果在十年之前，其實是很容易回答的，就是兩個大類，物理沉積設(shè)備和化學沉積設(shè)備?，F(xiàn)在這樣回答也是沒錯的，但現(xiàn)在再這樣回答就沒辦法把事情說清楚了，所以從應(yīng)用領(lǐng)域上可以分成以下幾類： 傳統(tǒng)光學器件（鏡片，濾光片）所用的鍍膜設(shè)備：單腔體或多腔體蒸發(fā)式鍍膜設(shè)備，濺射式鍍膜設(shè)備。 新材料領(lǐng)域的柔性設(shè)備：卷對卷柔性鍍膜設(shè)備。 光通訊行業(yè)：離子束濺射鍍膜設(shè)備。 半導體及相似工藝：化學氣相沉積設(shè)備。 功能膜：多弧離子鍍設(shè)備，濺射設(shè)備，蒸發(fā)設(shè)備 玻璃工藝：濺射式連續(xù)線 其余的就得歸到“工藝定制設(shè)備”這個范圍里面了，例如車燈鍍膜設(shè)備，太陽能的共蒸發(fā)設(shè)備，光纖鍍膜設(shè)備，太陽能管設(shè)備等等 北京臥式真空鍍膜設(shè)備

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