低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高V(C)的ESD保護(hù)二極管。ESD波形曲線下的面積越小，受保護(hù)器件（DUP）受到的損壞越小。因此，具有低V(C)的ESD保護(hù)二極管可提供更好的ESD脈沖保護(hù)。此外，一些ESD保護(hù)二極管在ESD進(jìn)入后不會立即響應(yīng)。因此，如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護(hù)二極管的V(C)，則可能施加到受保護(hù)器件，造成故障或破壞。ESD保護(hù)二極管響應(yīng)速度高于其他類型保護(hù)器件。此外，東芝正在優(yōu)化芯片工藝和內(nèi)部器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低***個峰值電壓，從而在初始階段對ESD峰值電壓提供更可靠的保護(hù)。齊納二極管在超過其齊納電壓時導(dǎo)通，用于限制電壓峰值。廣東標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL售價

       ESD保護(hù)二極管考慮到要保護(hù)的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護(hù)二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調(diào)制數(shù)字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負(fù)的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護(hù)二極管可用于高于和低于GND范圍的信號，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負(fù)的信號。)在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護(hù)器件的電流（即增加分流到ESD保護(hù)二極管的電流）是十分重要的。廣東常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR15D3BL近期價格DW05DLC-B-S：東沃品牌的型號，工作電壓為 5V，保護(hù)線路數(shù)為單路。

      ESD保護(hù)二極管總電容（C(T)）相對于受保護(hù)信號線的頻率是否足夠低：圖3.3顯示ESD保護(hù)二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時，pn結(jié)交界面形成耗盡層，如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護(hù)信號線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護(hù)二極管，否則信號質(zhì)量會下降。圖3.4顯示了總電容（C(T)）分別為5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保護(hù)二極管插入損耗特性。電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘枺?pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。

       ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻（RDYN）。RDYN是反向?qū)Ｊ较耉F–IF曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動態(tài)電阻ESD保護(hù)二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護(hù)二極管分流，減少流入受保護(hù)器件的電流，從而降低損壞的可能性。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護(hù)二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護(hù)器件的電流。因此，ESD保護(hù)二極管有助于防止手保護(hù)啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試用于納秒級寬度短脈沖，根據(jù)隨時間變化的電流-電壓關(guān)系可研究二極管的電流-電壓（I-V）特性。下圖中，TLP I和TLP V分別電流和電壓。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管：在靜電放電時能夠迅速導(dǎo)通，提供低阻抗路徑。

      SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區(qū)別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應(yīng)速度的特點，能夠有效保護(hù)電子設(shè)備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護(hù)二極管時，需要根據(jù)具體應(yīng)用場景來選擇合適的型號，以達(dá)到保護(hù)效果。在使用ESD保護(hù)二極管時，還需要注意以下幾點：正確安裝：ESD保護(hù)二極管應(yīng)正確安裝在需要保護(hù)的信號線上，以確保其能夠有效地工作。合理布局：在電路設(shè)計中，應(yīng)合理布局ESD保護(hù)二極管，以避免信號線之間的干擾。ESD保護(hù)二極管”用于便攜式電子設(shè)備：如智能手機、平板電腦等，在生產(chǎn)和使用過程中容易受到靜電的影響。常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號報價

靜電放電測試：模擬靜電放電事件，測試二極管的響應(yīng)時間和保護(hù)能力。廣東標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL售價

        電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容?。?.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘枺?pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但任何一種方式都會導(dǎo)致ESD抗擾度下降。當(dāng)兩個二極管串聯(lián)時，它們的組合電容減小。此外，二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容（Ct）ESD保護(hù)二極管采用ESD二極管陣列工藝（EAP）制造，多個二極管組合在一起減小電容，不影響ESD抗擾度。廣東標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL售價