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加熱閘閥I型轉(zhuǎn)移閥

來源: 發(fā)布時間:2024-05-22

微泰,鋁閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。期特點是*不論什么工藝的設備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:手動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 10英寸、閥體:AL6061 (Anodizing)、機械裝置:AL6061 (Anodizing)、閥門:O型圈(VITON)、真空密封:O型圈(VITON)、響應時間≤ 3 sec、驅(qū)動器:氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍:< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差:≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構(gòu)溫度≤ 60 °C、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績??商娲鶹AT閥門。真空閘閥是真空系統(tǒng)中用于控制氣體進出真空室的機械裝置。加熱閘閥I型轉(zhuǎn)移閥

閘閥

微泰,傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。I型和L型轉(zhuǎn)移閥是用于半導體PVD CVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它們的作用是將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽,并極大限度地減少由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化,以維持腔室內(nèi)的真空壓力。I型轉(zhuǎn)移閥由鋁或不銹鋼制成,用于傳輸晶圓小于450毫米的半導體系統(tǒng)和隔離工藝室。其特點是葉片在垂直方向上快速移動,以確保完美的腔室壓力維持。而L型轉(zhuǎn)移閥也由鋁或不銹鋼制造,其特點是設計緊湊,易于維護。L型轉(zhuǎn)移閥的閘門在兩個階段從垂直到水平方向移動,以確保完美的腔室壓力維護。這兩種類型的轉(zhuǎn)移閥都具有高耐用性和長壽命的優(yōu)點,并且在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動,對溫度變化也非常穩(wěn)定,以確保較長的使用壽命。如果您需要了解更多關(guān)于微泰傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥的信息,請聯(lián)系上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰尽6喽ㄎ婚l閥Micron真空閘閥由一個滑動門或板組成,可以移動以阻止或允許通過真空閥體,從而有效地將腔室與外部環(huán)境隔離。

加熱閘閥I型轉(zhuǎn)移閥,閘閥

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。這節(jié)介紹加熱閘閥、加熱式閘閥護套、加熱器插入式閥門。帶加熱器閘閥,加熱器插入閘閥:產(chǎn)品范圍:2~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù):20萬次?響應時間:0.2秒~3秒;客戶指定法蘭,加熱溫度:450℃;蝶形閥;蝶閥:產(chǎn)品范圍:DN40、DN50隔離?泄漏率:1.0E-9mbar·l/秒;有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?/p>

微泰的傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導體 PVD CVD 設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng),起著將工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的關(guān)鍵作用,就像一條溝槽。這些閥門能極大程度地減少閘板開閉時造成的真空壓力變化,使腔室內(nèi)的真空壓力得以穩(wěn)定維持。負責門控半導體晶圓轉(zhuǎn)移的傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥分為 I 型和 L 型兩種。其產(chǎn)品范圍包括多種尺寸規(guī)格,如 32 x 222、46 x 236、50 x 336、56 x 500 等。維護前使用周期可達 100 萬次,響應時間為 2 秒,并可根據(jù)客戶要求定制法蘭。這些轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品有鋁制或不銹鋼制兩種,用于傳輸晶圓小于 450 毫米的半導體系統(tǒng)和隔離工藝室。I 型的特點是葉片能在垂直方向上快速移動,保證腔室壓力完美維持,它采用具有 LM 導向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機構(gòu),確保高耐用性和長壽命。L 型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品則設計緊湊,易于維護。I 型和 L 型轉(zhuǎn)移閥在閘門開啟和關(guān)閉過程中能極大限度地減少振動,且對溫度變化非常穩(wěn)定,能確保較長的使用壽命。此外,它們即使長時間使用,產(chǎn)生的顆粒也很少,能避免晶圓缺陷和主器件污染。微泰不斷創(chuàng)新,在壓力控制和控制閥制造方面持續(xù)努力,專注于真空閘閥的研發(fā)。為了避免在顆粒敏感應用中產(chǎn)生顆粒,滑動閘門機構(gòu)的設計旨在避免閥殼處的摩擦。

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微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,鋁閘閥(AL Gate Valve)-產(chǎn)品范圍:1.5英寸~10英寸-12英寸可生產(chǎn)的產(chǎn)品尺寸,閥體材料:鋁、氣動、緊湊設計、重量輕。閘門,閥蓋密封:Viton O-Ring使用次數(shù):100000次,易于維護,低顆粒(陶瓷球機構(gòu))。- Body Material : Aluminum  - Pneumatic - Compact Design- Light of weight - Gate, Bonnet Seal : Viton O-Ring - Cycles until first service : 100,000 - Easy Maintenance - Low Particle (Ceramic Ball Mechanism),微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,可替代HVA閘閥、VAT閘閥。閘閥啟閉時較省力。是與截止閥相比而言,因為無論是開或閉,閘板運動方向均與介質(zhì)流動方向相垂直。三防閘閥蝶形控制閥

真空閘閥的密封裝置確保關(guān)閉時的高真空完整性,防止泄漏并維持腔室內(nèi)的真空壓力。加熱閘閥I型轉(zhuǎn)移閥

微泰半導體閘閥的特點,首先介紹一下起三重保護的保護環(huán)機能,采用鋁質(zhì)材料減少重量,并提高保護環(huán)的內(nèi)部粗糙度,防止工程副產(chǎn)物堆積黏附。提升保護環(huán)內(nèi)部流速設計,保護環(huán)逐步收窄,提升流速,防止粉塵黏附。采用三元系O型圈,保證保護環(huán)驅(qū)動穩(wěn)定(保證30萬次驅(qū)動)。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上??商娲鶫VA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。加熱閘閥I型轉(zhuǎn)移閥