微泰,傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當(dāng)將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外，它極大限度地減少了由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負(fù)責(zé)門控半導(dǎo)體晶圓轉(zhuǎn)移的傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型? Product Range : 32 x 222 / 46 x 236 ，50 x 336 / 56 x 500 ，? Cycles of first service : 1,000,000 ? Response Time : 2sec ? Customer Specified Flanges ，轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導(dǎo)體系統(tǒng)和隔離工藝室。本型的特點是葉片在垂直方向上快速移動，確保完美的腔室壓力維持。它采用具有LM導(dǎo)向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機(jī)構(gòu)，保證高耐用性和長壽命。二、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造，其特點是設(shè)計緊湊，易于維護(hù)。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動，并且對溫度變化非常穩(wěn)定，確保了較長的使用壽命。此外，即使長時間使用柵極，它們產(chǎn)生的顆粒也很少，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進(jìn)的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力。為特定的真空系統(tǒng)和工藝選擇適當(dāng)尺寸和類型的真空閘閥對于確保高效運行和可靠的真空完整性至關(guān)重要。HVA閘閥

微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當(dāng)將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外，它極大限度地減少了由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負(fù)責(zé)門控半導(dǎo)體晶圓轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型。一、I型轉(zhuǎn)移閥。I型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導(dǎo)體系統(tǒng)和隔離工藝室。本型的特點是葉片在垂直方向上快速移動，確保完美的腔室壓力維持。它采用具有LM導(dǎo)向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機(jī)構(gòu)，保證高耐用性和長壽命。二、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造，其特點是設(shè)計緊湊，易于維護(hù)。L型轉(zhuǎn)移閥的特點是閘門在兩個階段從垂直到水平方向移動，確保完美的腔室壓力維護(hù)。它的內(nèi)部機(jī)構(gòu)，包括一個LM導(dǎo)向系統(tǒng)和滯留彈簧和楔形營地結(jié)構(gòu)，保證了高耐用性和長壽命，同時提供穩(wěn)定和精確的運動。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動，并且對溫度變化非常穩(wěn)定，確保了較長的使用壽命。此外，即使長時間使用柵極，它們產(chǎn)生的顆粒也很少，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進(jìn)的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力。HVA閘閥高壓閘閥結(jié)構(gòu)簡單，制造和維修比較方便。工作行程小，啟閉時間短。密封性好，密封面間磨擦力小，壽命較長。

微泰高壓閘閥可以應(yīng)用于多種設(shè)備，如蒸發(fā)、濺射、金剛石生長、PECV、PVD集群、卷對卷、涂層、蝕刻、擴(kuò)散和CVD等。它具有陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒和易于維護(hù)等特點，可替代VAT閘閥。該閥門的規(guī)格包括手動或氣動驅(qū)動方式、1.5英寸至14英寸的法蘭尺寸、CF法蘭類型、焊接波紋管連接方式、氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM閥門密封、氟橡膠O型圈閥蓋密封、≤2秒響應(yīng)時間、1.5?至6?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1400 mbar，8?至14?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的開始時壓差、≤1400 mbar的6?以下閘門差動壓力和≤1200 mbar的8?至14?閘門差動壓力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次維護(hù)前可用次數(shù)、閥體溫度≤200°、機(jī)構(gòu)溫度≤80°C、烤爐溫度≤150°C、閥體不銹鋼304或316L和驅(qū)動器鋁6061陽極氧化、任意安裝位置和4至7 bar的N2操作壓力。此外，微泰高壓閘閥已在中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其他設(shè)備上得到應(yīng)用。如果您需要了解更多關(guān)于微泰高壓閘閥的信息，請聯(lián)系上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。

微泰半導(dǎo)體閘閥的工作原理主要是通過閘板的升降來控制流體的通斷。當(dāng)閘板升起時，閘閥打開，允許流體通過；當(dāng)閘板降下時，閘閥關(guān)閉，阻止流體通過。在具體工作中，它利用各種機(jī)構(gòu)和設(shè)計來實現(xiàn)精確的控制和可靠的密封，以滿足半導(dǎo)體設(shè)備中對工藝控制的要求。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁?。微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護(hù)閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）等設(shè)備。

微泰半導(dǎo)體閘閥具有獨特的特點：其插板閥主滑閥采用球機(jī)構(gòu)方式，并且在量產(chǎn)工藝設(shè)備上經(jīng)過了性能驗證。該閘閥由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成，陶瓷與金屬接觸驅(qū)動時不會產(chǎn)生顆粒。目前已向中國臺灣的 Micron、UMC、AKT，新加坡的 Micron、Global Foundries，馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體，日本的 Micron、三星半導(dǎo)體等眾多設(shè)備廠批量供貨，且品質(zhì)得到認(rèn)可，同時也完成了對半導(dǎo)體 Utility 設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗證。與其他廠家閘閥的金屬與金屬接觸驅(qū)動會產(chǎn)生大量顆粒不同，微泰半導(dǎo)體閘閥采用鋼陶瓷球，在與金屬摩擦?xí)r不會損壞，且金屬與陶瓷球之間不會產(chǎn)生 Particle。半永久板簧（SUS 鋼板）的應(yīng)用確保了閥門驅(qū)動的同步性，同時還采用了固定球?qū)蚱骱弯撎沾?。微泰半?dǎo)體閘閥廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVIA閘閥、VAT 閘閥。此外，該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁ｉl閥按閘板結(jié)構(gòu)形式分為單閘板和雙閘板兩種。蝕刻閘閥I型轉(zhuǎn)移閥

微泰，高壓閘閥能應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD。HVA閘閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，插板閥，氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥-按產(chǎn)品尺寸和法蘭類型排列-ID為1.5英寸至30英寸，ISO、CF&JIS和ASA法蘭等-現(xiàn)有手動閘閥的鎖定功能（Exist Manual GV of Locking Function）。微泰氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。HVA閘閥