微泰，屏蔽閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? 濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)? Coating（涂層）? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設備上?？商娲鶹AT閘閥。其特點是*閥體和阻斷器之間的間隙小于1mm*防止流入的氣體（粉末）進入閥體內部*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵，氣流中的高水平工藝。屏蔽閘閥規(guī)格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：2.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績閘閥體內設一個與介質流向成垂直方向的平面閘板，靠這一閘板的升降來開啟或關閉介質的通路。電動閘閥Micron

微泰半導體閘閥的特點：已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備，設備廠批量供貨，已得到品質認可，已完成對半導體Utility設備和批量生產設備的驗證。1，采用陶瓷球機構，抗沖擊和震動，保證使用25萬次，檢修方便，較低維護成本。2，無Particle（顆粒）產生，采用陶瓷球無腐蝕和顆粒產。3，屏蔽保護：屏蔽式保護功能，閘閥閥體與擋板之間的距離小于1mm，可防止粉末侵入閥內，壽命為半永久性。4，保護環(huán)：Protecrion Ring通過流速上升設計防止粉末凝固，并通過打磨（研磨）工藝防止粉末堆積。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上?？商娲鶫VA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽tch閘閥氣動閥微泰，高壓閘閥應用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。

微泰，定制大型轉移閥，定制大型輸送閥，?應用：大型涂層系統(tǒng)。定制大型轉移閥，定制大型輸送閥規(guī)格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸：（內徑）80×500、（內徑）100×400、（內徑）200×1800、（內徑）650×1050等法蘭類型：定制、饋通焊接波紋管/O形密封圈、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門上的壓差≤1000 mbar、泄漏率：泄漏率< 5×10 -9 Mbar/秒、維護前可用次數：10,000 ~ 200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：材料：不銹鋼304、A5083~A7075、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6 ~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設置溫度）-規(guī)格：適用雙金屬（達到200度時，斷電后溫度下降后重新啟動），應用于去除粉末/氣體設備。微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。加熱閘閥規(guī)格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。微泰控制系統(tǒng)閥門是安裝在半導體CVD設備中的主要閥門?？刂葡到y(tǒng)閥門起到調節(jié)腔內壓力的作用。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，有氣動多位置閘閥（氣動多定位閘閥、多定位插板閥、Pneumatic Multi Position）、氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥，蝶閥，Butterfly Valve，步進電機插板閥Stepper Motor Gate Valve，加熱插板閥（加熱閘閥Heating gate valve），鋁閘閥（AL Gate Valve），三重防護閘閥，應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）等設備。韓國進口閘閥閘板閥

控制系統(tǒng)和蝶閥使用步進電機操作，而多定位閘閥使用氣動控制操作。電動閘閥Micron

微泰，大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上?？商娲鶹AT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸（內徑）：16? ~ 30?、 法蘭型：ISO、JIS、ASA 、饋通：Viton O-Rin、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：可調節(jié)、工作壓力范圍：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數：10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。 電動閘閥Micron