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HV閘閥HV GATE VALVE

來源: 發(fā)布時間:2024-06-24

微泰半導體閘閥的特點:已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備,設備廠批量供貨,已得到品質(zhì)認可,已完成對半導體Utility設備和批量生產(chǎn)設備的驗證。1,采用陶瓷球機構(gòu),抗沖擊和震動,保證使用25萬次,檢修方便,較低維護成本。2,無Particle(顆粒)產(chǎn)生,采用陶瓷球無腐蝕和顆粒產(chǎn)。3,屏蔽保護:屏蔽式保護功能,閘閥閥體與擋板之間的距離小于1mm,可防止粉末侵入閥內(nèi),壽命為半永久性。4,保護環(huán):Protecrion Ring通過流速上升設計防止粉末凝固,并通過打磨(研磨)工藝防止粉末堆積。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。閘閥的結(jié)構(gòu)長度(系殼體兩連接端面之間的距離)較小。HV閘閥HV GATE VALVE

閘閥

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,晶圓輸送閥Transfer Valve,傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。采用L型輸送閥L-motion防止產(chǎn)生微粒(Particle),無需從設備上拆卸閥門,即可更換閘門和O形圈。大量采用缸套運動導軌Liner (motion guide),實現(xiàn)高精度、高耐用性.微泰晶圓輸送閥L型輸送閥L-motion,Transfer Valve,傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥Butterfly Valve有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。VAT閘閥TRANSFER VALVE閘閥不易產(chǎn)生水錘現(xiàn)象。原因是關(guān)閉時間長。

HV閘閥HV GATE VALVE,閘閥

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,控制系統(tǒng)閘閥,控制閘閥、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動方式操作,可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用??刂葡到y(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值,通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散)、CVD(化學氣相沉積)等設備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?。

微泰,傳輸閥 (I-MOTION)、I型轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥應用于晶圓加工,半導體加工,可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用:半導體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,傳輸閥 (I-MOTION)、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥規(guī)格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (I-MOTION)、右動轉(zhuǎn)換閥、驅(qū)動方式:氣動、法蘭尺寸(內(nèi)徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式:焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差:≤ 30 mbar、開啟時壓差: ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數(shù): ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰尽U婵臻l閥由一個滑動門或板組成,可以移動以阻止或允許通過真空閥體,從而有效地將腔室與外部環(huán)境隔離。

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微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。這節(jié)介紹加熱閘閥、加熱式閘閥護套、加熱器插入式閥門。帶加熱器閘閥,加熱器插入閘閥:產(chǎn)品范圍:2~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù):20萬次?響應時間:0.2秒~3秒;客戶指定法蘭,加熱溫度:450℃;蝶形閥;蝶閥:產(chǎn)品范圍:DN40、DN50隔離?泄漏率:1.0E-9mbar·l/秒;有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰靖邏洪l閥結(jié)構(gòu)簡單,制造和維修比較方便。工作行程小,啟閉時間短。密封性好,密封面間磨擦力小,壽命較長。超大型真空閘閥ALUMINUM GATE VALVE

控制系統(tǒng)和蝶閥使用步進電機操作,而多定位閘閥使用氣動控制操作。HV閘閥HV GATE VALVE

微泰,三(多)位閘閥、三位閘閥、多位閘閥應用于? 蒸發(fā)?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴散?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*3個位置功能-閥門打開,閥門關(guān)閉,第3位置*設備可通過連接到閥門的9 Pin D-Sub來讀取閥門狀態(tài)*手動和氣動閥門組合*應用:需要壓力控制的任何其他過程*應用:需要壓力控制的地方。三位閘閥、多位閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:氣動、法蘭尺寸:2.5英寸~ 12英寸、法蘭類型ISO, JIS, ASA, CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:Viton O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù):200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績HV閘閥HV GATE VALVE