微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護(hù)閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進(jìn)入閥內(nèi)的隔離閥，-三重防護(hù)閘閥：屏蔽1和2+保護(hù)環(huán)的3重隔離系統(tǒng)，還有步進(jìn)電機(jī)閘閥和鋁閘閥，屏蔽門閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；三級(jí)預(yù)防閘閥，三重防護(hù)閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次?包括屏蔽功能；步進(jìn)電機(jī)閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次?包括屏蔽功能；步進(jìn)電機(jī)閘閥；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動(dòng)?維護(hù)前可用次數(shù)：10萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽ｉl閥高度大，啟閉時(shí)間長(zhǎng)。閘板的啟閉行程較大，升降是通過(guò)螺桿進(jìn)行的。極高真空閘閥楔式閘閥

微泰，三(多)位閘閥、三位閘閥、多位閘閥應(yīng)用于? 蒸發(fā)?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴(kuò)散?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。其特點(diǎn)是*3個(gè)位置功能-閥門打開(kāi),閥門關(guān)閉,第3位置*設(shè)備可通過(guò)連接到閥門的9 Pin D-Sub來(lái)讀取閥門狀態(tài)*手動(dòng)和氣動(dòng)閥門組合*應(yīng)用:需要壓力控制的任何其他過(guò)程*應(yīng)用:需要壓力控制的地方。三位閘閥、多位閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：氣動(dòng)、法蘭尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法蘭類型ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開(kāi)始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動(dòng)壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)超真空閘閥法蘭閘閥微泰高壓閘閥的特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:隔離泵。

微泰，控制系統(tǒng)閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。其特點(diǎn)是? 主體材質(zhì)：不銹鋼? 緊湊型設(shè)計(jì)? 帶步進(jìn)電機(jī)的集成壓力控制器? 應(yīng)用：需要壓力控制和隔離的地方。控制系統(tǒng)閘閥規(guī)格如下：法蘭尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：閥體(STS304)/機(jī)構(gòu)STS304、STS420、饋通：旋轉(zhuǎn)饋通、執(zhí)行器：步進(jìn)電機(jī)、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、壓力范圍：1×10-8 mbar to 1.4 bar、閘門上的壓差≤1.4bar、維護(hù)前可用次數(shù)：100,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤35°C、安裝位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。

微泰，大閘閥、大型閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：氣動(dòng)、法蘭尺寸（內(nèi)徑）：16? ~ 30?、 法蘭型：ISO、JIS、ASA 、饋通：Viton O-Rin、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間：可調(diào)節(jié)、工作壓力范圍：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護(hù)前可用次數(shù)：10,000 ~ 100,000次、開(kāi)啟時(shí)壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6~ 8 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽?閘閥的結(jié)構(gòu)緊湊，閥門剛性好，通道流暢，流阻數(shù)小，密封面采用不銹鋼和硬質(zhì)合金，使用壽命長(zhǎng)。

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，這里介紹一下閥門控制器-主控制器（Valve Controller Introduction）1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸-本地控制器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸 -遙控器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸。1，開(kāi)放/關(guān)閉速度LCD顯示；2，當(dāng)閥門或泵錯(cuò)誤時(shí)，燈點(diǎn)亮：3，自動(dòng)關(guān)閉功能-防止泵跳閘中的逆流；4，有閥門開(kāi)關(guān)位置的信號(hào)輸出信號(hào)；5，鎖定功能-本地/遙控器在解鎖后進(jìn)行快速操作；6，無(wú)噪音，功耗低；7，歷史管理-打開(kāi)/關(guān)閉/泵關(guān)閉等；8，UPS功能（1秒），微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。微泰，高壓閘閥應(yīng)用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。HV閘閥蝶閥

介質(zhì)可向兩側(cè)任意方向流動(dòng)，易于安裝。閘閥通道兩側(cè)是對(duì)稱的。極高真空閘閥楔式閘閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，控制系統(tǒng)閘閥，控制閘閥、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動(dòng)方式操作，可以在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。如半導(dǎo)體等高真空工藝應(yīng)用?？刂葡到y(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶指定的值，通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁?。極高真空閘閥楔式閘閥