MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內(nèi)，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應(yīng)電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面?zhèn)鞑?，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現(xiàn)在晶體基片表面上。于是當(dāng)信號在器件的輸入和輸出端之間行進(jìn)時，就容易對信號進(jìn)行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術(shù)難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術(shù)，實現(xiàn)的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 MEMS的光學(xué)超表面是什么？重慶標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

消費電子產(chǎn)品在MEMSDrive出現(xiàn)之前，手機(jī)攝像頭主要由音圈馬達(dá)移動鏡頭組的方式實現(xiàn)防抖(簡稱鏡頭防抖技術(shù))，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術(shù)：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補(bǔ)償抖動，但由于這個技術(shù)體積龐大、耗電量超出手機(jī)載荷，一直無法在手機(jī)上應(yīng)用。憑著微機(jī)電在體積和功耗上的突破，新的技術(shù)MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達(dá)，帶動圖像傳感器在三個旋轉(zhuǎn)軸移動。MEMSDrive的防抖技術(shù)是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達(dá)應(yīng)做的移動幅度并做出快速補(bǔ)償。這一系列動作都要在百分之一秒內(nèi)做完，你得到的圖像才不會因為抖動模糊掉。 重慶標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工超透鏡的電子束直寫和刻蝕工藝其實并不復(fù)雜。

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問題，如應(yīng)用在回轉(zhuǎn)儀(gyroscopes)及硬盤機(jī)的讀取頭等微機(jī)電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發(fā)展下一代晶圓級的高密度構(gòu)造連接上的解決方案。考慮到有關(guān)高深寬比的主要問題，是等離子進(jìn)出蝕刻反應(yīng)區(qū)的狀況：包括蝕刻劑進(jìn)入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實現(xiàn))，以及反應(yīng)副產(chǎn)品受制于孔洞中無法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準(zhǔn)直性(loncollimation)運動本身就會將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉(zhuǎn)移，這些細(xì)微變化可能會改變蝕刻過程中的輪廓。一般說來，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會減少。導(dǎo)致過多的高分子聚合反應(yīng)，和蝕刻出漸窄的線寬。針對上述問題，設(shè)備制造商已發(fā)展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強(qiáng)的硬件及工藝，這樣即可補(bǔ)償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。

MEMS制作工藝-太赫茲特性：

1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動的電偶極子振蕩產(chǎn)生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術(shù)能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數(shù)等。

2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠(yuǎn)小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質(zhì)，適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。

3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質(zhì)，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強(qiáng)的穿透能力，在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用

4.吸收性:大多數(shù)極性分子對THz有強(qiáng)烈的吸收作用，可以用來進(jìn)行醫(yī)療診斷與產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控

5.瞬態(tài)性:相比于傳統(tǒng)電磁波與光波，THz典型脈寬在皮秒量級，通過光電取樣測量技術(shù)，能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾，在小于3THz時信噪比達(dá)10人4:1。

6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個周期的電磁振蕩，!單個脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍，便于在大的范圍內(nèi)分析物質(zhì)的光譜信息。 基于柔性PI材料的MEMS太赫茲超表面器件在military project領(lǐng)域和生物科技上應(yīng)用非常有前景。

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料：

碳納米管（CNT）由于其高的本征載流子遷移率，導(dǎo)電性和機(jī)械靈活性而成為用于柔性電子學(xué)的有前途的材料，既作為場效應(yīng)晶體管（FET）中的溝道材料又作為透明電極。管狀碳基納米結(jié)構(gòu)可以被設(shè)想成石墨烯卷成一個無縫的圓柱體，它們獨特的性質(zhì)使其成為理想的候選材料。因為它們具有高的固有載流子遷移率和電導(dǎo)率，機(jī)械靈活性以及低成本生產(chǎn)的潛力。另一方面，薄膜基碳納米管設(shè)備為實現(xiàn)商業(yè)化提供了一條實用途徑。 基于MEMS技術(shù)的SAW器件是什么？天津MEMS微納米加工電話

汽車上的MEMS傳感器有哪些？重慶標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工

基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理：

聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過外加一正電壓產(chǎn)生聲波，并通過襯底進(jìn)行傳播，然后轉(zhuǎn)換成電信號輸出。聲表面波傳感器中起主導(dǎo)作用的主要是壓電效應(yīng)，其設(shè)計時需要考慮多種因素:如相對尺寸、敏感性、效率等。一般地，無線無源聲表面波傳感器的信號頻率范圍從40MHz 到幾個GHz。圖2 所示為聲表面波傳感器常見的結(jié)構(gòu)，主要部分包括壓電襯底天線、敏感薄膜、IDT等 。傳感器的敏感層通過改變聲表面波的速度來實現(xiàn)頻率的變化。

無線無源聲表面波系統(tǒng)包:發(fā)射器、接收器、聲表面波器件、通信頻道。發(fā)射器和接收器組合成收發(fā)器或者解讀器的單一模塊。圖3為聲表面波系統(tǒng)及其相互關(guān)聯(lián)的基礎(chǔ)部件。解讀器將功率傳送給聲表面波器件，該功率可以是收發(fā)器輸入的連續(xù)波，脈沖或者喝啾 。一般地，聲表面波器件獲得 的功率大小具有一定限制，以降低發(fā)射功率，從而得到相同平均功率的喝啾 。根據(jù)各向同性的輻射體，接收的信號一般能通過高效的輻射功率天線發(fā)射。 重慶標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工