DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)椋贒DR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)這個(gè)特性，會(huì)延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中，我們會(huì)在DDR2和DDR3的信號(hào)體制中，更加深刻地感覺到能量信號(hào)對(duì)于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然，除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大小？山西DDR3測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

"DDRx"是一個(gè)通用的術(shù)語，用于表示多種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個(gè)數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長的計(jì)算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn)：DDR2：DDR2是第二代DDR技術(shù)，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能，如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術(shù)，進(jìn)一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內(nèi)存。DDR4：DDR4是第四代DDR技術(shù)，具有更高的頻率和帶寬，較低的電壓和更高的密度。DDR4內(nèi)存模塊相對(duì)于之前的DDR3模塊來說，能夠提供更大的容量和更高的性能。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)有自己的規(guī)范和時(shí)序要求，以確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性。DDR技術(shù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器、嵌入式設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，能夠提供快速和高效的數(shù)據(jù)訪問和處理能力。山西DDR3測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠在DDR3一致性測(cè)試期間能否繼續(xù)進(jìn)行其他任務(wù)？

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)，為這些信號(hào)網(wǎng)絡(luò)分組并定義單個(gè)或者多個(gè)網(wǎng)絡(luò)組。選擇網(wǎng)絡(luò)DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標(biāo)右鍵單擊Assign interface菜單項(xiàng)，定義接口名稱為Data,

設(shè)置完成后，岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網(wǎng)絡(luò)組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網(wǎng)絡(luò)組設(shè)置完成。

單擊設(shè)置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設(shè) 置：勾選阻抗和耦合系數(shù)檢查兩個(gè)選項(xiàng)；設(shè)置走線耦合百分比為1%，上升時(shí)間為lOOps；選 擇對(duì)網(wǎng)絡(luò)組做走線檢查(Check by NetGroup)；設(shè)置交互高亮顯示顏色為白色。

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時(shí) 鐘信號(hào)頻率為166?533MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的雙沿釆樣；控制信號(hào)速率為166?533Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿 采樣；一般用于板載(Memory?down)設(shè)計(jì)，信號(hào)通常為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)?，沒有ODT功能。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V； 時(shí)鐘信號(hào)頻率為667?1066MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的雙沿釆樣；控制信號(hào)速率為667?1066Mbps,通過時(shí)鐘上升 沿釆樣；一般用于板載設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)信號(hào)一般為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)拓?fù)?，命令地址和控制信?hào)一般也釆用 Fly-by走線，有些情況下可以使用樹形走線；數(shù)據(jù)和選通信號(hào)支持ODT功能；也支持使用 Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間的延時(shí)偏移。 DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試包括哪些內(nèi)容？

DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來說明，如何在一個(gè) DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。是某項(xiàng)目中，對(duì) DDR 系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對(duì) DDR 的設(shè)計(jì)需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個(gè) DDR 功能模塊由四個(gè) 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲(chǔ)芯片 MT46V64M8BN-75。每個(gè) DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存儲(chǔ)單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個(gè) Bank，尋址信號(hào)為 BA<1..0>。

DDR3一致性測(cè)試的目標(biāo)是什么？HDMI測(cè)試DDR3測(cè)試修理

如何選擇適用于DDR3一致性測(cè)試的工具？山西DDR3測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為800?1600MHz； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為1600?3200Mbps；數(shù)據(jù)命令和控制信號(hào)速率為800?1600Mbps。DDR4的時(shí) 鐘、地址、命令和控制信號(hào)使用Fly-by拓?fù)渥呔€；數(shù)據(jù)和選通信號(hào)依舊使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓 撲，并支持動(dòng)態(tài)ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號(hào)都釆用對(duì)稱的樹形拓?fù)?；DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號(hào)也延用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洹Ｉ?jí)到DDR2后，為了改進(jìn)信號(hào)質(zhì)量，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號(hào)設(shè)計(jì)了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時(shí)序提供了差分的選通信號(hào)。DDR3速率更快，時(shí)序裕量更小，選通信號(hào)只釆用差分信號(hào)。 山西DDR3測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠