晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過(guò)模塊的標(biāo)稱值,但有效值會(huì)超過(guò)模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±;紋波電壓≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開(kāi)關(guān)電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開(kāi)關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體或氣體??煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。河南ABB可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中,可控硅元件可以多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)進(jìn)行如何有效保護(hù)晶閘管在行業(yè)應(yīng)用晶閘管越來(lái)越廣,作為行業(yè)增加應(yīng)用范圍。晶閘管的功能更加。但有時(shí),在晶閘管的過(guò)程中會(huì)造成一定的傷害。為了保證晶閘管的生活,我們?nèi)绾胃玫乇Wo(hù)區(qū)晶閘管呢?1、過(guò)電壓保護(hù)晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感,當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,引發(fā)電路故障;當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),晶閘管就會(huì)立即損壞。因此,必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的主要原因是所提供的電力或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或系統(tǒng)中積累的電磁能量來(lái)不及消散。主要發(fā)現(xiàn)開(kāi)關(guān)開(kāi)閉引起的雷擊和沖擊電壓等外部沖擊引起的過(guò)電壓有兩種類型。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰。吉林igbt供應(yīng)商可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。
采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常稱之為吸收回路或緩沖電路。(4)阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率,因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,為防止出現(xiàn)振蕩,常加阻尼電阻,構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè)、直流側(cè),或并接在晶閘管的陽(yáng)極與陰極保護(hù)之間。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無(wú)感電容,接線應(yīng)盡量短。(5)吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電,抑制過(guò)電壓的效果較差。因此,一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān),溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,能多次使用,當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)。
具有單向?qū)щ娞匦?,而?yáng)極A與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此,通過(guò)用萬(wàn)用表的R×100或R×1kQ檔測(cè)量普通晶閘管各引腳之間的電阻值,即能確定三個(gè)電極。具體方法是:將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極,紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),而另一次阻值為幾百歐姆(Ω),則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中,紅表筆接的是陰極K,而在阻值為幾千歐姆的那次測(cè)量中,紅表筆接的是陽(yáng)極A,若兩次測(cè)出的阻值均很大,則說(shuō)明黑表筆接的不是門極G,應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極,直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間的正、反向電阻,若正、反向電阻均接近無(wú)窮大,則兩極即為陽(yáng)極A和陰極K,而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來(lái)判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A,較細(xì)的引線端為門極G,較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,平面端為陽(yáng)極A,另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,其外殼為陽(yáng)極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽(yáng)極A,且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發(fā)能力檢測(cè):對(duì)于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,可用萬(wàn)用表R×1檔測(cè)量。不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。
其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,其直徑為英寸,單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開(kāi)關(guān)所能承受的反向電壓較低,因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶閘管屬于半控型器件,通過(guò)門極(控制極)只能控制其開(kāi)通而不能控制其關(guān)斷,導(dǎo)通后控制極即不再起作用,要關(guān)斷必須切斷電源,即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性,必須另外配以由電感、電容及輔助開(kāi)關(guān)器件等組成的強(qiáng)迫換流電路,從而使裝置體積增大,成本增加,而且系統(tǒng)更為復(fù)雜、可靠性降低。二是因?yàn)榇祟惼骷⒆阌诜至⒃Y(jié)構(gòu),開(kāi)通損耗大,工作頻率難以提高,限制了其應(yīng)用范圍。1970年代末,隨著可關(guān)斷晶閘管(GTO)日趨成熟,成功克服了普通晶閘管的缺陷,標(biāo)志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。大;**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。安徽可關(guān)斷可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口
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否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí),熱量來(lái)不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相,負(fù)載過(guò)載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。常用的晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢,吹它尚未被燒毀晶閘管保險(xiǎn)絲之前;不能用于保護(hù)晶閘管。埋銀保險(xiǎn)石英砂內(nèi)快速熔斷器,熔斷時(shí)間很短,它可以用來(lái)保護(hù)晶閘管。業(yè)績(jī)快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后,若無(wú)同型號(hào)的晶閘管更換,可以通過(guò)選用中國(guó)與其工作性能設(shè)計(jì)參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號(hào)晶閘管來(lái)代換。在應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)中,通常有很大的余量。更換晶閘管時(shí),只需注意其額定峰值電壓(重復(fù)峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流)、柵極觸發(fā)電壓和柵極觸發(fā)電流,特別是這兩個(gè)指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應(yīng)與設(shè)備損壞或者晶閘管的開(kāi)關(guān)發(fā)展速度…致。例如:在脈沖控制電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進(jìn)行損壞后,只能我們選用同類型的快速改變晶閘管,而不能用一個(gè)普通晶閘管來(lái)代換。河南ABB可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨