可控硅有多種分類方法。按關(guān)斷QS3861QG、導通及控制方式不同，可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種可控硅，特種可控硅又分為逆導型可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅及光控可控硅等多種；按電流容量大小不同，可控硅可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅；按引腳和極性不同可控硅可分為二極可控硅、三極可控硅管和四極可控硅管；按封裝形式不同，可控硅管可分為金屬封裝可控硅管、塑封可控硅管和陶瓷封裝可控硅管三種類型（金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種，塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種）；按關(guān)斷速度不同，可控硅管可分為普通可控硅管和高頻（快速）可控硅管。

讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個典型應用。天津IGBT逆變器模塊可控硅（晶閘管）富士IGBT

否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。常用的晶閘管過電流保護方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險絲之前;不能用于保護晶閘管。埋銀保險石英砂內(nèi)快速熔斷器，熔斷時間很短，它可以用來保護晶閘管。業(yè)績快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號的晶閘管更換，可以通過選用中國與其工作性能設(shè)計參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號晶閘管來代換。在應用電路的設(shè)計中，通常有很大的余量。更換晶閘管時，只需注意其額定峰值電壓(重復峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流)、柵極觸發(fā)電壓和柵極觸發(fā)電流，特別是這兩個指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應與設(shè)備損壞或者晶閘管的開關(guān)發(fā)展速度…致。例如：在脈沖控制電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進行損壞后，只能我們選用同類型的快速改變晶閘管，而不能用一個普通晶閘管來代換。山西半導體igbt可控硅（晶閘管）SCR系列晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關(guān)斷。

中頻爐ABB脈沖可關(guān)斷單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關(guān)斷可控硅晶閘管、快速晶閘管普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的簡稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被***用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關(guān)等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。

這種接法就相當于給予萬用表串接上了，使檢測電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)光二極管的正、負電極。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見，內(nèi)部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。[8]2.先測量紅個發(fā)光二極管的正、反向電阻，通常正向電阻應在30k左右，反向電阻要在500k以上，這樣的管子才可正常使用。[8]二極管紅外接收二極管1.識別管腳極性（1）從外觀上識別。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時，面對受光窗口，從左至右，分別為正極和負極。另外在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面，通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極，另一端為正極。[8]（2）先用萬用表判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值，正常時，所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為準，紅表筆所接的管腳步為負極，黑表筆所接的管腳為正極。可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓：當參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟沖擊產(chǎn)生電流值來表示。因為企業(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降，當大到某一部分電流時，標稱電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此我們必須進行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過電壓能力強；平時漏電流小，放電后不會有續(xù)流，元件的標稱電壓等級多，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴格的控制。在使用過程中，晶閘管對過電壓是很敏感的。湖北igbt供應商可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。天津IGBT逆變器模塊可控硅（晶閘管）富士IGBT

有三個不同電極、陽極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生，而且動作快、壽命長、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。可控硅分為單向的和雙向的，符號也不同。單向可控硅有三個PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。雙向可控硅有其獨特的特點：當陽極接合，陽極接合或柵極的正向電壓，但沒有施加電壓時，它不導通，并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時，它將被關(guān)上。一旦開啟，控制電壓有它的作用失去了控制，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓，將保持在接通狀態(tài)。關(guān)斷，只有在陽極電壓減小到一個臨界值，或反之亦然。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2、g順序從左到右排列(電極引腳向下，面向側(cè)面有字符)。當施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時，其傳導電流的大小可以改變。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時，其導通方向就隨著不同極性的變化而改變，從而能夠進行控制提供交流電系統(tǒng)負載。天津IGBT逆變器模塊可控硅（晶閘管）富士IGBT