如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說(shuō)，一個(gè)雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來(lái)等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會(huì)有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通。對(duì)雙向晶閘管來(lái)說(shuō)，無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極。它的任何一個(gè)主電極，對(duì)圖3(b)中的兩個(gè)晶閘管管子來(lái)講，對(duì)一個(gè)管子是陽(yáng)極，對(duì)另一個(gè)管子就是陰極，反過(guò)來(lái)也一樣。因此，雙向晶閘管無(wú)論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通。不*如此，雙向晶閘管還有一個(gè)重要的特點(diǎn)，這就是：不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何，也就是不管所加的觸發(fā)信號(hào)電壓UG對(duì)T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。雙向晶閘管的這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒(méi)有的?？焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因?yàn)槠骷膶?dǎo)通或關(guān)斷需要一定時(shí)間，同時(shí)陽(yáng)極電壓上升速度太快時(shí)，會(huì)使元件誤導(dǎo)通；陽(yáng)極電流上升速度太快時(shí)，會(huì)燒毀元件。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。新疆大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）日本富士

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下。福建半導(dǎo)體igbt可控硅（晶閘管）富士IGBT其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開(kāi)始導(dǎo)通，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時(shí)門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷，像一個(gè)二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時(shí)，它才會(huì)截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個(gè)可控的時(shí)刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個(gè)不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來(lái)模擬，如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時(shí)，BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)電路基本上沒(méi)有電流流過(guò)負(fù)載電阻RL，當(dāng)柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓時(shí)BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開(kāi)始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升高，BG1的基極電位進(jìn)一步下降，經(jīng)過(guò)這一個(gè)正反饋過(guò)程使BG1和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài)，這時(shí)柵極就算沒(méi)有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時(shí)在陽(yáng)極和陰極加上反向電壓，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止，另外如果加大負(fù)載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少，當(dāng)減少到某一個(gè)值時(shí)由于電路的正反饋?zhàn)饔?，電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，我們稱這個(gè)電流為維持電流。

適應(yīng)多于六個(gè)晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備。具有完善故障、報(bào)警檢測(cè)和保護(hù)功能。實(shí)時(shí)檢測(cè)過(guò)流、過(guò)壓、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障。設(shè)有開(kāi)機(jī)給定回零、軟啟動(dòng)、截流、截壓、急停保護(hù)。調(diào)試簡(jiǎn)便，數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬(wàn)用表。每一塊控制板均經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的軟件測(cè)試、硬件老化，以確保工作穩(wěn)定可靠。三相晶閘管觸發(fā)板適用電路①三相全控橋式可控整流電路。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。③變壓器原邊交流調(diào)壓，副邊二極管整流電路。④三相零式整流電路。⑤三相半控橋式可控整流電路。⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路三相晶閘管觸發(fā)板正常使用條件⑴海拔高度不超過(guò)2000M。⑵環(huán)境溫度：-40℃-+50℃。⑶空氣比較大相對(duì)濕度不超過(guò)90%(在相當(dāng)于空氣溫度20±5℃)。⑷運(yùn)行地點(diǎn)無(wú)導(dǎo)電塵埃，沒(méi)有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。⑸無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊。三相晶閘管觸發(fā)板工作原理本控制板是以工業(yè)級(jí)的單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)系統(tǒng)。金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過(guò)模塊的標(biāo)稱值，但有效值會(huì)超過(guò)模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；（2）可以采用開(kāi)關(guān)電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開(kāi)關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體或氣體。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。山西ABB可控硅（晶閘管）富士IGBT

雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。新疆大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）日本富士

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開(kāi)關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過(guò)門極（控制極）只能控制其開(kāi)通而不能控制其關(guān)斷，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源，即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開(kāi)關(guān)器件等組成的強(qiáng)迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統(tǒng)更為復(fù)雜、可靠性降低。二是因?yàn)榇祟惼骷⒆阌诜至⒃Y(jié)構(gòu)，開(kāi)通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應(yīng)用范圍。1970年代末，隨著可關(guān)斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標(biāo)志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。新疆大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）日本富士