如果能夠減少該晶圓層120的電阻值，就可以減少圖1與圖2的電流路徑的總電阻值。此種改進(jìn)能減少消耗功率，降低熱耗損，增進(jìn)芯片的使用壽命。想要減低該晶圓層120的電阻值，可以減少該晶圓層120的厚度。但如前所述，如何在減少該晶圓層120的厚度之后，還能維持相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)強(qiáng)度，以便抗拒應(yīng)力與/或熱應(yīng)力造成的損害。本申請?zhí)岢龅慕鉀Q方案之一，是至少在芯片的邊緣處具有較厚的晶圓層，但是降低在芯片中間有半導(dǎo)體元器件之處的晶圓厚度。如此一來，可以在降低該晶圓層120的電阻值的同時(shí)，可以維持相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)強(qiáng)度。請參考圖3所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)300的一剖面示意圖。該結(jié)構(gòu)300依序包含一半導(dǎo)體組件層130、一晶圓層320與一金屬層310。該晶圓層320夾在該金屬層310與半導(dǎo)體組件層130之間。該半導(dǎo)體組件層130已經(jīng)于圖1與圖2的說明中提到過，可以包含一或多個(gè)半導(dǎo)體組件。這些半導(dǎo)體組件可以包含垂直型的晶體管，特別是金氧半導(dǎo)體場效晶體管。在一實(shí)施例當(dāng)中，該半導(dǎo)體組件層130的厚度可以是介于2-4um之間。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，該半導(dǎo)體組件層130可以包含一或多個(gè)半導(dǎo)體組件，本申請并不限定該半導(dǎo)體組件層130的厚度、層數(shù)與其他的參數(shù)。進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓的優(yōu)勢？大連半導(dǎo)體晶圓價(jià)格信息

    結(jié)構(gòu)500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結(jié)構(gòu)400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應(yīng)于該金屬層的第三表面513的剖面。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離，要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)500的金屬層510的大部分比該結(jié)構(gòu)400的金屬層310的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請參考圖5b所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖。圖5b所示的實(shí)施例是圖5a所示實(shí)施例的一種變形。和圖5a的金屬層510相比，圖5b所示實(shí)施例的金屬層510比較厚。圖5b所示實(shí)施例的其余特征均與圖5a所示實(shí)施例相同。請參考圖6所示，為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面600的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面600可以是圖3所示結(jié)構(gòu)300的aa線剖面，也可以是圖4所示結(jié)構(gòu)400的aa線剖面，還可以是圖5b所示結(jié)構(gòu)500的bb線剖面。為了方便說明起見，圖6所示的實(shí)施例是圖3所示的結(jié)構(gòu)300，因此使用了金屬層310與晶圓層320的符號。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面600可以適用于結(jié)構(gòu)400或500。威海應(yīng)該怎么做半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體晶圓推薦廠家..

    因此需要更長的時(shí)間τ1。通過縮短時(shí)間τ2來提高氣泡的溫度。通常，在本發(fā)明的晶圓清洗工藝中所應(yīng)用的的超聲波或兆聲波的頻率在。圖23揭示了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的用于執(zhí)行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的一示范性的晶圓清洗裝置。該晶圓清洗裝置包括用于承載晶圓23010的晶圓卡盤23014，在清洗過程中由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置23016驅(qū)動(dòng)晶圓卡盤23014帶著晶圓23010一起旋轉(zhuǎn)。該晶圓清洗裝置還包括噴頭23064，用于輸送如清洗化學(xué)液或去離子水23060等清洗液至晶圓23010。與噴頭23064相結(jié)合的超聲波或兆聲波裝置23062用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液。由超聲波或兆聲波裝置23062產(chǎn)生的超聲波或兆聲波通過由噴頭23064噴出的清洗液23060傳遞至晶圓23010。圖24揭示了根據(jù)本發(fā)明的用于執(zhí)行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的另一實(shí)施例的晶圓清洗裝置的剖視圖。該晶圓清洗裝置包括容納清洗液24070的清洗槽24074，用于裝載多片晶圓24010的晶圓盒24076，該多片晶圓24010浸沒在清洗液24070中。該晶圓清洗裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在清洗槽24074的壁上的超聲波或兆聲波裝置24072，用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液。至少有一個(gè)入口(圖中未顯示)用于使清洗槽24074充滿清洗液24070，因此。

    也不限定這些芯片采用同一種剖面設(shè)計(jì)，更不限定使用同一種基板結(jié)構(gòu)。在執(zhí)行晶圓級芯片封裝時(shí)，可以根據(jù)同一片晶圓上所欲切割的芯片的設(shè)計(jì)，來對該片晶圓執(zhí)行特定的制程。請參考圖15所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓制作方法1500的前列程示意圖。圖15所示的晶圓制作方法1500可以是晶圓級芯片封裝方法的一部分。該晶圓級芯片封裝方法可以是先在一整片晶圓上進(jìn)行制作、封裝與測試，然后經(jīng)切割后，再將芯片放置到個(gè)別印刷電路板的過程。本申請所欲保護(hù)的部分之一是在封裝測試之前，針對于基板結(jié)構(gòu)的制作方法。當(dāng)然本申請也想要保護(hù)一整套的晶圓級芯片封裝方法。圖15的晶圓制作方法1500所作出的芯片，可以包含圖3~14所述的各種基板結(jié)構(gòu)與剖面。請?jiān)賲⒖紙D16a~16j，其為根據(jù)本申請實(shí)施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。圖16a~16j的各圖是針對晶圓當(dāng)中的某一個(gè)芯片來繪制。在說明圖15的各步驟時(shí)，可以參考圖16a~16j的各圖。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到雖然圖16a~16j是針對一個(gè)芯片的剖面進(jìn)行繪制，但可以根據(jù)晶圓的設(shè)計(jì)，普遍地適用于整個(gè)晶圓。另外，在圖16a~16j當(dāng)中，主要是針對基板結(jié)構(gòu)1000來繪制。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到。晶圓的基本工藝有哪些？

    無法有效去除被困在通孔或槽內(nèi)的顆粒、殘留物和其他雜質(zhì)。但如圖20a所示，在時(shí)間τ2內(nèi)關(guān)閉超/兆聲波電源以冷卻氣泡，由于氣泡縮小，這種狀態(tài)將更替到下一個(gè)狀態(tài)。在冷卻狀態(tài)下，新鮮清洗液有機(jī)會(huì)進(jìn)入到通孔或槽內(nèi)以便清洗其底部和側(cè)壁。當(dāng)超/兆聲波電源在下一個(gè)打開周期打開時(shí)，顆粒、殘留物和其他雜質(zhì)受到氣泡體積增量產(chǎn)生的外拉力移出通孔或槽。如果在清洗過程中這兩個(gè)狀態(tài)交替進(jìn)行，可以達(dá)到使用超聲波/兆聲波有效清洗具有高深寬比的通孔，槽或凹進(jìn)區(qū)域的晶圓的目的。時(shí)間段τ2內(nèi)的冷卻狀態(tài)在清洗過程中起到關(guān)鍵作用，且需要在τ1<τi的條件下限制氣泡尺寸。以下用實(shí)驗(yàn)方法可以確定時(shí)間段τ2以在冷卻狀態(tài)下縮小氣泡尺寸，以及時(shí)間段τ1以限制氣泡膨脹到堵塞尺寸。實(shí)驗(yàn)使用超/兆聲波裝置結(jié)合清洗液來清洗具有通孔和槽等微小特征的圖案化晶圓，存在可追蹤的殘留物以評估清洗效果。***步是選擇足夠大的τ1以堵塞圖案結(jié)構(gòu)，可以像基于方程式(20)計(jì)算τi那樣計(jì)算出τ1；第二步是選擇不同的時(shí)間τ2運(yùn)行doe，選擇的時(shí)間τ2至少是10倍的τ1，***屏測試時(shí)**好是100倍的τ1；第三步是確定時(shí)間τ1和功率p0，分別以至少五種條件清洗特定的圖案結(jié)構(gòu)晶圓，此處，p0為運(yùn)行連續(xù)模式。西安怎么樣半導(dǎo)體晶圓?威海半導(dǎo)體晶圓商家

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    圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖。具體實(shí)施方式以下將以附圖公開本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式。為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。附圖與說明書中盡可能使用相同的元件符號表示相同或相似的部分。除非另外定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包含技術(shù)以及科學(xué)術(shù)語)對于所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員通常理解的涵義。還應(yīng)理解到，諸如常用的字典中定義的術(shù)語的解讀，應(yīng)使其在相關(guān)領(lǐng)域與本發(fā)明中具有一致的涵義，且將不以理想化或過度正式的意義解釋，除非明確如此定義。請參照圖1，其為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖。半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100是用以干燥半導(dǎo)體晶圓200，半導(dǎo)體晶圓200為包含半導(dǎo)體材料的圓形薄片，其常用于集成電路的制造。在本實(shí)施方式中，如圖1所示，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含基座110、殼體120以及微波產(chǎn)生器130。基座110被配置成承載半導(dǎo)體晶圓200。殼體120以金屬制成。大連半導(dǎo)體晶圓價(jià)格信息

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