快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場(chǎng)合。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源。MUR1560是快恢復(fù)二極管嗎？江西快恢復(fù)二極管MURB860

    快恢復(fù)二極管FRD（FastRecoveryDiode）是近年來(lái)問世的新型半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積小、安裝簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。超快恢復(fù)二極管SRD（SuperfastRecoveryDiode），則是在快恢復(fù)二極管基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，其反向恢復(fù)時(shí)間trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。它們可用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管，是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。1．性能特點(diǎn)（1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的定義是：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時(shí)刻達(dá)到反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。。福建快恢復(fù)二極管MUR1660CAIGBT模塊中快恢復(fù)二極管的作用與選型。

    以及逆變器和焊接電源中的功率開關(guān)的保護(hù)二極管和續(xù)流二極管。2．迅速軟恢復(fù)二極管的一種方法使用緩沖層構(gòu)造明顯改善了二極管的反向恢復(fù)屬性。為了縮短二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，提高反向回復(fù)軟度，同時(shí)使二極管具備較高的耐壓，使用了緩沖層構(gòu)造，即運(yùn)用雜質(zhì)控制技術(shù)由輕摻雜的N1區(qū)及較重?fù)诫s的N2區(qū)構(gòu)成N基區(qū)；二極管的正極使用由輕摻雜的P區(qū)與重?fù)诫s的P＋區(qū)鑲嵌構(gòu)成，該P(yáng)－P＋構(gòu)造可以操縱空穴的注入效應(yīng)，從而達(dá)到支配自調(diào)節(jié)發(fā)射效率和縮短反向回復(fù)時(shí)間的目的。圖4使用緩沖層構(gòu)造二極管示意圖芯片設(shè)計(jì)原始硅片根據(jù)二極管電壓要求，同常規(guī)低導(dǎo)通壓降二極管設(shè)計(jì)參數(shù)相同。使用正三角形P+短路點(diǎn)構(gòu)造，輕摻雜的P區(qū)表面濃度約為1017cm－3，短路點(diǎn)濃度約為1019cm－3。陰極面N1表面濃度約為1018cm－3，N2表面濃度約為1020cm－3。少子壽命控制目前少子壽命控制方式基本上有三種，摻金、摻鉑和輻照，輻照也有多種方式，常用的方式是高能電子輻照。緩沖層構(gòu)造的迅速二極管的少子壽命控制方式是使用金輕摻雜和電子輻照相結(jié)合的辦法。圖5緩沖層構(gòu)造的迅速二極管的能帶示意圖從能帶示意圖中可以看出，在兩個(gè)高補(bǔ)償區(qū)之間形成一個(gè)電子圈套。當(dāng)二極管處于反偏時(shí)，電子從二極管陰極面抽走。

快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ鞫O管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)，正反向電壓變化的時(shí)間慢于恢復(fù)時(shí)間，普通整流二極管就不能正常實(shí)現(xiàn)單向?qū)?，這時(shí)就要用快恢速?gòu)?fù)整流二極管。 快速恢復(fù)二極管的特點(diǎn)就是它的恢復(fù)時(shí)間很短，這一特點(diǎn)使其適合高頻(如電視機(jī)中的行頻)整流。快速恢復(fù)二極管有一個(gè)決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復(fù)時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間的定義是，二極管從正向?qū)顟B(tài)急劇轉(zhuǎn)換到截止?fàn)顟B(tài)，從輸出脈沖下降到零線開始，到反向電源恢復(fù)到IRM的10%所需要的時(shí)間，常用符號(hào)trr表示。普通快速恢復(fù)整流二極管的trr為幾百納秒(10-9s)，超快速恢復(fù)二極管的trr一般為幾十納秒。Trr越小的快速恢復(fù)二極管的工作頻率越高。MUR3020CD是什么類型的管子？

快恢復(fù)二極管是一種半導(dǎo)體器件，用于高頻整流時(shí)具有短的反向恢復(fù)時(shí)間?？焖倩謴?fù)時(shí)間對(duì)于高頻交流信號(hào)的整流至關(guān)重要。由于具有超高的開關(guān)速度，二極管主要用于整流器中。 傳統(tǒng)二極管的主要問題是具有相當(dāng)長(zhǎng)的恢復(fù)時(shí)間。因此，傳統(tǒng)二極管無(wú)法進(jìn)行高頻整流。 快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)與普通二極管相似。這些二極管與傳統(tǒng)二極管的結(jié)構(gòu)主要區(qū)別在于存在復(fù)合中心。在快恢復(fù)二極管中，將金（Au）添加到半導(dǎo)體材料中。這會(huì)增加復(fù)合中心的數(shù)量，從而降低載流子的壽命（τ）。MUR3020CT是快恢復(fù)二極管嗎？福建快恢復(fù)二極管MUR1660CA

MURF1060CT是什么類型的管子？江西快恢復(fù)二極管MURB860

    20世紀(jì)80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場(chǎng)效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對(duì)電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ)，同時(shí)，為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化，為高效、節(jié)電、節(jié)材，實(shí)現(xiàn)機(jī)電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時(shí)，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因?yàn)?，隨著裝置工作開關(guān)頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨(dú)特作用，這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr，反向峰值電流IRM)的作用所致，合適參數(shù)的FRED與高頻開關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開關(guān)器件換相所引起的過電壓尖峰，高頻干擾電壓以及EMI降低，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮，F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開關(guān)電源、高頻逆變電焊機(jī)、高頻逆變開關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場(chǎng)合使用，結(jié)果非常令人滿意。本文將簡(jiǎn)要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu)，技術(shù)參數(shù)。江西快恢復(fù)二極管MURB860