一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓下降很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷回復(fù)時(shí)間極短，所以適合工作在高頻狀況下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場(chǎng)上常見的肖特基管結(jié)溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種(結(jié)溫越高表示產(chǎn)品抗高溫屬性越好。即工作在此溫度以下不會(huì)引起失效。5、它也有一些缺陷：是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時(shí)要全盤考慮。肖特基二極管一般用在電源次級(jí)輸出整流上面。二、肖特基常見型號(hào)封裝圖關(guān)于封裝通過型號(hào)識(shí)別封裝外形：MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CTMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。型號(hào)前面第四個(gè)字母B,表示TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CTMBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:"PT"表示TO-3P封裝，原MOTOROLA（今ON）稱做SOT-93SD1045:D表示TO-251三、肖特基二極管常見型號(hào)及參數(shù)1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，普遍應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護(hù)二極管采用。MBR40100PT是什么種類的管子？廣東肖特基二極管MBR3045CT

    肖特基二極管和快恢復(fù)二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流?chǎng)合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，將導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向壓降低()、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場(chǎng)合。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~!前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流。 湖北肖特基二極管MBRF2045CT肖特基二極管的封裝有哪些？

    其半導(dǎo)體材質(zhì)使用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和迅速開關(guān)的完美器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池組或發(fā)光二極管。快恢復(fù)二極管：有，35-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間，在導(dǎo)通和截止之間很快變換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復(fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電源中做整流元件.快回復(fù)二極管FRD（FastRecoveryDiode）是近年來問世的新型半導(dǎo)體器件，有著開關(guān)特點(diǎn)好，反向回復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積小、安裝簡單等優(yōu)點(diǎn)。超快恢復(fù)二極管SRD（SuperfastRecoveryDiode），則是在快回復(fù)二極管根基上發(fā)展而成的，其反向回復(fù)時(shí)間trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。它們可普遍用以開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電意念變頻調(diào)速（VVVF）、高頻加熱等設(shè)備中，作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管。

    肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變小；反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對(duì)管又有共陰（兩管的負(fù)極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。 MBRF3045CT是什么類型的管子？

    反向漏電流的組成主要由兩部分：一是來自肖特基勢(shì)壘的注入；二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是：半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加，導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來越大，溫度也越來越高，如此惡性循環(huán)引起過熱點(diǎn)半導(dǎo)體材料的晶體熔化。此時(shí)在兩電極之間形成較低阻的電流通道，電流密度驟增，導(dǎo)致肖特基二極管還未達(dá)到擊穿電壓值就已經(jīng)損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的。流經(jīng)二極管的平均電流并未達(dá)到二次擊穿的擊穿電壓值，但是功率二極管還是會(huì)產(chǎn)生二次擊穿。[2]參考資料1.孫子茭．4H_SiC肖特基二極管的研究：電子科技大學(xué)，20132.苗志坤．4H_SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究：哈爾濱工程大學(xué)，2013詞條標(biāo)簽：科學(xué)百科數(shù)理科學(xué)分類。肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于電腦機(jī)箱電源上。肖特基二極管MBR3060PT

肖特基二極管和普通整流二極管有哪些不同？廣東肖特基二極管MBR3045CT

    二極管本體2為具有溝槽式的常用肖特基二極管，其會(huì)焊接在線路板本體1，以及設(shè)置在線路板本體1上的二極管本體2和穩(wěn)定桿6，穩(wěn)定桿6的數(shù)量為兩個(gè)并以二極管本體2的豎向中軸線為中心左右對(duì)稱設(shè)置，二極管本體2的外壁套設(shè)有半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4，半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4朝向穩(wěn)定桿6的一端設(shè)置有導(dǎo)桿31，穩(wěn)定桿6上設(shè)置導(dǎo)孔61，導(dǎo)孔61與導(dǎo)桿31滑動(dòng)套接，導(dǎo)孔61與導(dǎo)桿31的側(cè)向截面均為方形狀結(jié)構(gòu)，可以避免半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4在側(cè)向方向上產(chǎn)生自轉(zhuǎn)現(xiàn)象，導(dǎo)桿31上設(shè)置有擋塊32，擋塊32可以避免導(dǎo)桿31從導(dǎo)孔61上滑脫，半環(huán)套管3上設(shè)置有插塊5，第二半環(huán)套管4上設(shè)置有插槽41，插塊5和插槽41插接，半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4的插塊5插接位置設(shè)置有插柱7，插柱7的上端設(shè)置有柱帽8，插柱7的數(shù)量為兩個(gè)并以半環(huán)套管3的橫向中軸線為中心上下對(duì)稱設(shè)置，插塊5上設(shè)置有卡接槽51，卡接槽51的內(nèi)壁面上通過樹脂膠粘接有阻尼墊52，第二半環(huán)套管4上設(shè)置有插接孔42，插柱7穿過插接孔42與卡接槽51插接，插柱7上設(shè)置有滑槽71，滑槽71內(nèi)滑動(dòng)連接有滑塊72，該滑動(dòng)結(jié)構(gòu)可以避免滑塊72以及限位塊74整體從滑槽71內(nèi)滑脫，滑塊72的右端與滑槽71之間設(shè)置有彈簧73，滑塊72的左端設(shè)置有限位塊74。廣東肖特基二極管MBR3045CT