電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開關(guān)過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產(chǎn)生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關(guān)斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管，電容必須是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。 MUR3020CS是什么類型的管子？浙江快恢復(fù)二極管MURB3040CT

    這一圈套起到了一定的限制效用，使電子不易抽走，而與空穴在此復(fù)合，從而延長了反向恢復(fù)時間中tb這一段，提高了迅速二極管的軟度因子S。3．快速軟恢復(fù)二極管模塊通態(tài)特點顯示，在額定電流下正向電壓降不受溫度影響，從而使它更適用于并聯(lián)工作。在125℃時的動態(tài)損耗比標(biāo)準(zhǔn)化摻鉑FRED減小50%。以上特點使得該軟恢復(fù)二極管特別適宜工業(yè)應(yīng)用。運用上述FRED二極管和SONIC二極管我們開發(fā)了迅速軟恢復(fù)二極管模塊，有絕緣型和非絕緣型二大類，絕緣型電流從40A～400A，電壓達到1200V，絕緣電壓大于2500V，反向回復(fù)時間很小為40ns；非絕緣型電流為200A（單管100A），電壓從400V至1200V，反向回復(fù)時間根據(jù)用戶要求，可從40ns至330ns。由于使用模塊構(gòu)造，寄生電感較小，并且預(yù)防了高頻干擾電壓和過電壓尖峰。下面為200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復(fù)二極管模塊外觀和大小以及連接圖。圖6200A絕緣型快速軟恢復(fù)二極管模塊圖7200A非絕緣型雙塔結(jié)構(gòu)超快速二極管模塊4.迅速軟恢復(fù)二極管及其模塊的應(yīng)用快速軟恢復(fù)二極管的阻斷電壓范圍寬，使它們能夠作為開關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器，以及逆變器和焊接電源中的功率開關(guān)的保護二極管和續(xù)流二極管。湖北快恢復(fù)二極管MUR1060CAMUR3040CD是什么類型的管子？

    下降開關(guān)速度或采用緩沖電路可以減低尖峰電壓。增加緩沖電路會增加電路成本并且使電路設(shè)計變繁復(fù)。這都是我們所不期望的。本文介紹了迅速軟恢復(fù)二極管及其模塊。該模塊電壓范圍從400V到1200V，額定電流從60A～400A不等。設(shè)計上該模塊使用外延二極管芯片，該芯片使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化(圖1)并有硅橡膠維護。恢復(fù)特點如圖2所示。圖1圖2快速軟恢復(fù)二極管的基區(qū)和正極之間使用緩沖層構(gòu)造，使得在空間電荷區(qū)擴張后的剩余基區(qū)內(nèi)駐留更多的殘存電荷，并且駐留時間更長，提高了二極管的軟度。快回復(fù)二極管的軟度由圖2定義。軟度因子反向峰值電壓由下式確定：VR為加在二極管上的反向電壓。二極管道軟度因子越大，在關(guān)斷過程中產(chǎn)生的反向峰值電壓越低，使開關(guān)器件及整個電路處于較安全的狀況。一般國內(nèi)生產(chǎn)的迅速二極管其反向回復(fù)時間較長，大概在1～6μs，軟度因子約為，國內(nèi)有多家整流器制造公司也在研究迅速軟恢復(fù)二極管，電流較大，但軟度因子在～。傳統(tǒng)的迅速整流二極管用到摻金或鉑的外延片以支配載流子壽命，但這些二極管表現(xiàn)出了以下的技術(shù)缺陷：1．正向電壓降Vf隨著溫度的升高而下降；2．高溫下漏電流大；3．高溫下迅速di/dt時開關(guān)不平穩(wěn)。

    我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在我們開發(fā)產(chǎn)品的過程中，高低溫環(huán)境對電子元器件的影響才是產(chǎn)品穩(wěn)定工作的障礙。環(huán)境溫度對絕大部分電子元器件的影響無疑是巨大的，快恢復(fù)二極管當(dāng)然也不例外，在高低溫環(huán)境下通過對該快恢復(fù)二極管的實測數(shù)據(jù)表1與圖3的關(guān)系曲線可知道：快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降與環(huán)境溫度成反比。在環(huán)境溫度為-45℃時雖導(dǎo)通壓降達到峰值，卻不影響快恢復(fù)二極管的穩(wěn)定性，但在環(huán)境溫度為75℃時，外殼溫度卻已超過了數(shù)據(jù)手冊給出的125℃，則該快恢復(fù)二極管在75℃時就必須降額使用。這也是為什么開關(guān)電源在某一個高溫點需要降額使用的因素之一。 快恢復(fù)二極管的型號有哪些？

    迅速軟恢復(fù)二極管模塊化技術(shù)與應(yīng)用著者：海飛樂技術(shù)時間：2018-05-2320:43摘要在高頻應(yīng)用中為了減小電路損耗和防范過電壓尖峰對器件的損壞，需迅速軟恢復(fù)二極管。硬開關(guān)過程中存在二極管反向回復(fù)電流（Irm）增加了開關(guān)器件開通損耗率和過電壓尖峰，并且在迅速di/dt開關(guān)時能夠產(chǎn)生電磁干擾。本文介紹了使用特別工藝設(shè)計的迅速軟恢復(fù)二極管。該二極管是為高頻應(yīng)用而設(shè)計的，在高頻應(yīng)用方面有著平穩(wěn)的開關(guān)屬性。本文還介紹了用該二極管制造的200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復(fù)二極管模塊及其應(yīng)用。1．快速軟恢復(fù)二極管介紹大功率快速軟恢復(fù)二極管主要運用在高頻電力電子電路中，它與主回路中的晶閘管或IGBT等新型電力半導(dǎo)體開關(guān)器件相并聯(lián)，開關(guān)器件反向時，流過負載中的無功電流，減少電容的充電時間，同時抑止因負載電流瞬時反向而感應(yīng)的過電壓尖峰。為了提高開關(guān)器件及電力電子線路的可靠性和穩(wěn)定性，須要采用迅速軟恢復(fù)二極管。快速軟恢復(fù)二極管可以減小高頻電路的損耗。在硬開關(guān)過程中存在的主要疑問是：二極管反向回復(fù)電流（Irm）增加了開關(guān)器件開通損耗率，并且在迅速di/dt開關(guān)時能夠產(chǎn)生電磁干擾。如果反向回復(fù)電流迅速返回零點，就會產(chǎn)生尖峰電壓和電磁干擾。MURF2020CT是什么類型的管子？四川快恢復(fù)二極管MUR3060CTR

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    GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結(jié)的保護上。OJ結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，采用涂膠保護結(jié)，然后在200度左右溫度進行固化。保護P-N結(jié)獲得電壓。GPP結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，芯片的P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下，玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而OJ的保護膠，是覆蓋在P-N結(jié)的表面。3．特性比較1）由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外界應(yīng)力產(chǎn)生（比如進行彎角處理），器件進行冷熱沖擊，如果塑料封裝體有漏氣，等等情況下。OJ的產(chǎn)品，其保護膠和硅片結(jié)合的不牢固，就會出現(xiàn)保護不好的情況，使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會出現(xiàn)類似的情況。2）GPP二極管的可靠性高。首先，GPP常溫下，漏電比OJ的就要小。尤其重要的是HTRB（高溫反向偏置，是衡量產(chǎn)品可靠性的重要標(biāo)志參數(shù)）GPP要好很多，OJ的產(chǎn)品能承受100度左右的HTRB。而GPP在溫度達到150度時，仍然表現(xiàn)非常出色。4．說明：以前OJ的產(chǎn)品限于DO系列的軸向封裝，所以很多客戶都使用片式封裝（SMD）產(chǎn)品。因為片式產(chǎn)品，當(dāng)時只能使用GPP芯片進行封裝。但是，現(xiàn)在也出現(xiàn)了片式封裝OJ產(chǎn)品。所以在選用上一定要注意分清。 浙江快恢復(fù)二極管MURB3040CT