20A以下的快恢復及超快恢復二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看，可分為單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復二極管（單管）的外形及內(nèi)部構(gòu)造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝，主要技術指標見表1。幾十安的快恢復二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2．檢測方法1）測量反向恢復時間測量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號，運用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的日子到IR=Irr日子所經(jīng)歷的時間。設器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr，有關系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知，當IRM為一定時，反向回復電荷愈小，反向回復時間就愈短。2）常規(guī)檢測方式在業(yè)余條件下，運用萬用表能檢測快回復、超快恢復二極管的單向?qū)щ娦裕约皟?nèi)部有無開路、短路故障，并能測出正向?qū)▔航怠Ｈ襞湟哉讱W表，還能測量反向擊穿電壓。實例：測量一只超快恢復二極管，其主要參數(shù)為：trr=35ns。MUR3040CT是快恢復二極管嗎？山東快恢復二極管MUR860

    所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物。所述散熱桿至少設有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種，所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層，所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面，所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面，所述電隔離層為pfa塑料制成的電隔離層，所述電隔離層為單層膜結(jié)構(gòu)、雙層膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu)。（三）有益于效用本實用新型提供了一種高壓快回復二極管芯片，具有有以下有益于效用：本實用設立了芯片本體，芯片本體裹在熱熔膠內(nèi)，使其不收損害，熱熔膠封裝在封裝外殼內(nèi)，多個散熱桿呈輻射狀固定在所述芯片本體上，封裝外殼的殼壁設有容納腔，容納腔與散熱桿的內(nèi)部連接，芯片工作產(chǎn)生熱能傳送到熱熔膠，熱熔膠裹在散熱桿的表面，散熱桿展開傳遞熱能，散熱桿以及容納腔的內(nèi)部設有冰晶混合物，冰晶混合物就會由固態(tài)漸漸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)，此為吸熱過程，從而不停的開展散熱，封裝外殼也是由金屬材質(zhì)制成，可以為冰晶混合物與外界空氣換熱。附圖說明圖1為本實用新型的構(gòu)造示意圖；圖2為本實用新型的絕緣涂層的構(gòu)造示意圖。圖中：1、芯片本體；2、熱熔膠；3、封裝外殼；4、散熱桿；5、絕緣膜；6、冰晶混合物；7、容納腔。陜西快恢復二極管MUR1660CT開關電源中為什么要用快恢復二極管？

    電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用。晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡，構(gòu)成關斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產(chǎn)生過電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復的二極管，電容必須是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。

    有一種二極管叫做SONIC二極管，其反向回復時間較為長，約～μs，軟度因子在。在制造中除了使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化并有硅橡膠保護外，還使用了從硅片背面開展深擴散磷和控制軸向壽命抑制因素，使迅速二極管的反向恢復電流衰減較慢，具反向“軟恢復”特點，防范在高頻應用時在硬關斷過程中產(chǎn)生過高的反向尖峰電壓，維護了開關器件及其二極管自身。該二極管在整個工作溫度范圍內(nèi)性能安定，并且對于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽視不計。該二極管是為高頻應用設計的，在高頻應用時安定確實。新的迅速軟恢復二極管——SONIC二極管系列克服了這些缺陷，它們的優(yōu)點為：1．并聯(lián)二極管工作時正向電壓降Vf與溫度無關；2．阻斷電壓平穩(wěn)，漏電流比摻金和鉑的小；3．迅速軟恢復二極管在高溫下反向漏電流從25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。SONIC二極管使用磷深擴散和軸向壽命抑制因素，電壓從600V至1800V，如圖3所示。在硼中受控的軸向壽命抑制因素用來支配區(qū)域1中空穴的發(fā)射效率。區(qū)域2所示的軟N區(qū)為軟恢復提供了額外電荷。空穴的較低的發(fā)射效率使得器件的正向電壓降對溫度不太敏感，這有利二極管并聯(lián)工作，并且在高溫時開關損耗很小。運用電子輻照作為外加的規(guī)范壽命抑制因素。二極管GPP和OJ哪種芯片工藝生產(chǎn)好？

    二極管的軟度可以獲取更進一步操縱。圖3SONIC軟恢復二極管的壽命控制該二極管回復波形異常的平滑從未振蕩，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復二極管不僅引致開關損失縮減，而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學中的功率開關器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）總是和迅速二極管相并聯(lián)，在增加開關頻率時，除傳導損耗以外，功率開關的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復屬性決定（由圖2的Qrr,IRM和Irr特點表示）。所以對二極管要求正向瞬態(tài)壓降小，反向回復時間斷，反向回復電荷少，并且具備軟恢復特點。反向峰值電流IRM是另一個十分關鍵的屬性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術和擴散參數(shù)決定。在電路中，這個電流斜率與寄生電感有關，例如連接引線，引起過電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高（“硬回復”屬性），二極管和并聯(lián)的開關上產(chǎn)生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減（“軟恢復”特點）是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復”特點，SONIC二極管的恢復屬性更“軟”，它們的阻斷電壓范圍寬，使這些迅速軟恢復二極管能夠作為開關電源(SMPS)的輸出整流器?？旎謴投O管可以在電脈沖火花機上使用嗎？山東快恢復二極管MUR860

快恢復二極管可以在冷焊機上的使用。山東快恢復二極管MUR860

    我們都知道在選擇快恢復二極管時，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關系是怎樣的，在電路設計中知道這些關系對選擇合適的快恢復二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復二極管兩端加正向偏置電壓時，其內(nèi)部電場區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴散電流通過PN結(jié)。只有當正向電壓達到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為，硅管約為）以后，快恢復二極管才能真正導通。但快恢復二極管的導通壓降是恒定不變的嗎？它與正向擴散電流又存在什么樣的關系？通過下圖1的測試電路在常溫下對型號為快恢復二極管進行導通電流與導通壓降的關系測試，可得到如圖2所示的曲線關系：正向?qū)▔航蹬c導通電流成正比，其浮動壓差為。從輕載導通電流到額定導通電流的壓差雖為，但對于功率快恢復二極管來說它影響效率也影響快恢復二極管的溫升，所以在價格條件允許下，盡量選擇導通壓降小、額定工作電流較實際電流高一倍的快恢復二極管。 山東快恢復二極管MUR860