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湖南快恢復(fù)二極管MUR1060CTR

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-06

    GPP和OJ芯片工藝的區(qū)別就在P-N結(jié)的保護(hù)上。OJ結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化。保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。GPP結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,芯片的P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下,玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機(jī)械的方法分開。而OJ的保護(hù)膠,是覆蓋在P-N結(jié)的表面。3.特性比較1)由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外界應(yīng)力產(chǎn)生(比如進(jìn)行彎角處理),器件進(jìn)行冷熱沖擊,如果塑料封裝體有漏氣,等等情況下。OJ的產(chǎn)品,其保護(hù)膠和硅片結(jié)合的不牢固,就會(huì)出現(xiàn)保護(hù)不好的情況,使器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP產(chǎn)品則不會(huì)出現(xiàn)類似的情況。2)GPP二極管的可靠性高。首先,GPP常溫下,漏電比OJ的就要小。尤其重要的是HTRB(高溫反向偏置,是衡量產(chǎn)品可靠性的重要標(biāo)志參數(shù))GPP要好很多,OJ的產(chǎn)品能承受100度左右的HTRB。而GPP在溫度達(dá)到150度時(shí),仍然表現(xiàn)非常出色。4.說明:以前OJ的產(chǎn)品限于DO系列的軸向封裝,所以很多客戶都使用片式封裝(SMD)產(chǎn)品。因?yàn)槠疆a(chǎn)品,當(dāng)時(shí)只能使用GPP芯片進(jìn)行封裝。但是,現(xiàn)在也出現(xiàn)了片式封裝OJ產(chǎn)品。所以在選用上一定要注意分清。 MUR3060CTR是什么類型的管子?湖南快恢復(fù)二極管MUR1060CTR

    迅速軟恢復(fù)二極管模塊化技術(shù)與應(yīng)用著者:海飛樂技術(shù)時(shí)間:2018-05-2320:43摘要在高頻應(yīng)用中為了減小電路損耗和防范過電壓尖峰對(duì)器件的損壞,需迅速軟恢復(fù)二極管。硬開關(guān)過程中存在二極管反向回復(fù)電流(Irm)增加了開關(guān)器件開通損耗率和過電壓尖峰,并且在迅速di/dt開關(guān)時(shí)能夠產(chǎn)生電磁干擾。本文介紹了使用特別工藝設(shè)計(jì)的迅速軟恢復(fù)二極管。該二極管是為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,在高頻應(yīng)用方面有著平穩(wěn)的開關(guān)屬性。本文還介紹了用該二極管制造的200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復(fù)二極管模塊及其應(yīng)用。1.快速軟恢復(fù)二極管介紹大功率快速軟恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在高頻電力電子電路中,它與主回路中的晶閘管或IGBT等新型電力半導(dǎo)體開關(guān)器件相并聯(lián),開關(guān)器件反向時(shí),流過負(fù)載中的無功電流,減少電容的充電時(shí)間,同時(shí)抑止因負(fù)載電流瞬時(shí)反向而感應(yīng)的過電壓尖峰。為了提高開關(guān)器件及電力電子線路的可靠性和穩(wěn)定性,須要采用迅速軟恢復(fù)二極管。快速軟恢復(fù)二極管可以減小高頻電路的損耗。在硬開關(guān)過程中存在的主要疑問是:二極管反向回復(fù)電流(Irm)增加了開關(guān)器件開通損耗率,并且在迅速di/dt開關(guān)時(shí)能夠產(chǎn)生電磁干擾。如果反向回復(fù)電流迅速返回零點(diǎn),就會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓和電磁干擾。北京快恢復(fù)二極管MUR2060CSMUR1560是什么類型的管子?

    6)的內(nèi)側(cè)與連接橋板(5)固定連通,主電極(6)的另一側(cè)穿出外殼(9)并覆在外殼(9)頂部,且覆在外殼(9)頂部的主電極(6)上設(shè)有過孔(61)并與殼體(9)上的定位凹槽(91)對(duì)應(yīng),下過渡層(4)、二極管芯片(3)、上過渡層(2)、連結(jié)橋板(5)、絕緣體(7)的外周以及主電極(6)的一側(cè)灌注軟彈性膠(8)密封。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,其特點(diǎn)在于所述的連接橋板(5)為兩端平板中部突起的梯形。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,其特點(diǎn)在于所述的連接橋板(5)為兩邊平板且中部突起弓形。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,其特性在于所述外殼(9)頂部的定位凹槽(91)的槽邊至少設(shè)有兩個(gè)平行的平面,且下部設(shè)有過孔。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,其特性在于所述的絕緣體(7)是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,其特性在于所述的上過渡層(2)為鉬片或鎢片或可伐片。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,其特點(diǎn)在于所述的下過渡層(4)為鉬片或鎢片或可伐片。本實(shí)用新型關(guān)乎一種非絕緣雙塔型二極管模塊,包括底板、二極管芯片、主電極及外殼。

    并能提高產(chǎn)品質(zhì)量和勞動(dòng)生產(chǎn)率的高頻逆變裝置將逐步替代目前我國正在大量生產(chǎn)、體積龐大、效率低和對(duì)電網(wǎng)污染嚴(yán)重的晶閘管工頻電源,對(duì)加速我國電力電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代周期將起到?jīng)Q定性作用?,F(xiàn)以高頻逆變焊機(jī)和高頻逆變開關(guān)型電鍍整流裝置為例,說明FRED的應(yīng)用情況。(1))FRED模塊在高頻逆變焊機(jī)內(nèi)使用情況圖5是高頻逆變焊機(jī)的方框圖。FRED模塊主要用于輸出整流器環(huán)節(jié)和IGBT逆變器內(nèi)。為了降低高頻逆變器內(nèi)由于高的開關(guān)頻率所產(chǎn)生的諧波和波形畸變,縮小EMI濾波器的電容器和電感器的尺寸、有時(shí),輸入橋式整流器亦采用FRED模塊,當(dāng)然采用FRED替代普通整流管作輸入三相整流橋,價(jià)格將比普通整流橋貴,但有些應(yīng)用領(lǐng)域還是需要的,特別是利用FRED整流橋還可降低裝置噪音15db,降低EMI濾波器電容器和電感器的尺寸和價(jià)格。采用比、逆變焊機(jī)重量約為工頻的25%,節(jié)電40%,節(jié)材(鋼和矽鋼片)約70%左右。圖5高頻逆變焊機(jī)的方框圖(2)FRED模塊在高頻開關(guān)型電鍍電源內(nèi)使用情況圖6是高頻開關(guān)型電鍍整流裝置方框圖。FRED模塊主要用于諧振軟開關(guān)逆變器和高頻整流器環(huán)節(jié),其開關(guān)頻率為50kHz,體積是晶閘管工頻電鍍裝置的1/10,重量是晶閘管工頻裝置的1/25,大量節(jié)省了銅和矽鋼片材料。MURF1040CT是什么類型的管子?

    我們都知道快恢復(fù)二極管有個(gè)反向擊穿的極限電壓,絕大多數(shù)的快恢復(fù)二極管廠商都沒把它寫入數(shù)據(jù)手冊(cè),但在大多數(shù)情況下為了節(jié)省成本不可能將快恢復(fù)二極管反向耐壓降額到50%左右使用,那么反向電壓裕量是否足夠,這對(duì)評(píng)估該快恢復(fù)二極管反向耐壓應(yīng)降多少額使用較為安全是有一定意義的。從下表中可看出,反向電壓的裕量并不像網(wǎng)上所說的那樣是額定反壓的2~3倍。膝點(diǎn)反向電壓為漏電流突變時(shí)的反向電壓點(diǎn)。(快恢復(fù)二極管在常溫某電壓點(diǎn)下,其漏電流突然一下增大了幾十上百倍,例如:某快恢復(fù)二極管在78V時(shí)漏電流為20μA,但在79V時(shí)漏電流為2mA,79V即為膝點(diǎn)反向電壓)膝點(diǎn)反向電壓雖然未使快恢復(fù)二極管完全擊穿,但卻嚴(yán)重影響了快恢復(fù)二極管的正常使用。而在高溫下漏電流更易突變,此時(shí)的膝點(diǎn)反向電壓就更低。所以一個(gè)快恢復(fù)二極管的反向電壓應(yīng)降額值為多少才較為正確合理,更應(yīng)該從物料的使用環(huán)境溫度和實(shí)際使用的導(dǎo)通電流來測(cè)試膝點(diǎn)反向電壓值,然后再來確定裕量降額值。好的電路設(shè)計(jì)在對(duì)快恢復(fù)二極管參數(shù)的選擇時(shí),不僅要考慮常溫的參數(shù),也要考慮在高低溫環(huán)境下的一些突變參數(shù)。知道快恢復(fù)二極管的這些特性關(guān)系往往會(huì)給工程師的選管以及電路故障的分析帶來事半功倍的效果。 MUR3020CT二極管的主要參數(shù)。TO220封裝的快恢復(fù)二極管MURF3060CT

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    其型號(hào)為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時(shí)間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價(jià)位下滑,使變頻器更易合乎國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個(gè)PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個(gè)FRED芯片,互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形構(gòu)造示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的機(jī)能分述如下:1)銅基導(dǎo)熱底板:其機(jī)能為陶瓷覆銅板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的構(gòu)造基石。因此,它須要具備高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板開展高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)(銅為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相距較大,為此,除需使用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要展開一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊制品,能在模塊設(shè)備到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而下降模塊的接觸熱阻。湖南快恢復(fù)二極管MUR1060CTR