繼電器并聯(lián)快恢復(fù)二極管電路形式見圖1，其作用主要是為了保護(hù)晶體管等驅(qū)動元器件。流經(jīng)線圈的電流變化時，線圈會產(chǎn)生自激電壓來抑制電流的變化，當(dāng)線圈中的電流變化越快時，所產(chǎn)生的電壓越高。在繼電器開通到關(guān)斷的瞬間，由于線圈有電感的性質(zhì)，所以瞬間會在繼電器的線圈的低電壓端產(chǎn)生一個瞬間電壓尖峰,通常能高達(dá)數(shù)十倍的線圈額定工作電壓。當(dāng)圖中晶體管VT由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r，流經(jīng)繼電器線圈的電流將迅速減小，這時線圈會產(chǎn)生很高的自感電動勢與電源電壓疊加后加在VT的c、e兩極間，會使晶體管擊穿，并聯(lián)上快恢復(fù)二極管后，即可將線圈的自感電動勢鉗位于快恢復(fù)二極管的正向?qū)妷海酥倒韫芗s，鍺管約，從而避免擊穿晶體管等驅(qū)動元器件。并聯(lián)快恢復(fù)二極管時一定要注意快恢復(fù)二極管的極性不可接反，否則容易損壞晶體管等驅(qū)動元器件。繼電器線圈斷電瞬間，線圈上可產(chǎn)生高于線圈額定工作電壓值30倍以上的反峰電壓，對電子線路有極大的危害，通常采用并聯(lián)瞬態(tài)抑制（又叫削峰）快恢復(fù)二極管或電阻的方法加以抑制，使反峰電壓不超過50V，但并聯(lián)快恢復(fù)二極管會延長繼電器的釋放時間3~5倍。 MUR1620CT二極管的主要參數(shù)。安徽快恢復(fù)二極管MURB2060CT

    二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開關(guān)損失縮減，而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學(xué)中的功率開關(guān)器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）總是和迅速二極管相并聯(lián)，在增加開關(guān)頻率時，除傳導(dǎo)損耗以外，功率開關(guān)的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復(fù)屬性決定（由圖2的Qrr,IRM和Irr特點表示）。所以對二極管要求正向瞬態(tài)壓降小，反向回復(fù)時間斷，反向回復(fù)電荷少，并且具備軟恢復(fù)特點。反向峰值電流IRM是另一個十分關(guān)鍵的屬性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術(shù)和擴(kuò)散參數(shù)決定。在電路中，這個電流斜率與寄生電感有關(guān)，例如連接引線，引起過電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高（“硬回復(fù)”屬性），二極管和并聯(lián)的開關(guān)上產(chǎn)生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減（“軟恢復(fù)”特點）是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復(fù)”特點，SONIC二極管的恢復(fù)屬性更“軟”，它們的阻斷電壓范圍寬，使這些迅速軟恢復(fù)二極管能夠作為開關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器。重慶快恢復(fù)二極管MURB2060CTMUR3020CT是快恢復(fù)二極管嗎？

    是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1．性能特點1）反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間tr的概念是：電流通過零點由正向變換到規(guī)定低值的時間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流很快下降，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR日漸增大；在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流日趨減少，并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與平常二極管不同，它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I，組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向回復(fù)電荷很小，減少了trr值，還下降了瞬態(tài)正向壓降，使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓。快回復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少，使其trr可低至幾十納秒。

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機(jī)械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高，在150度的HTRB時，表現(xiàn)仍然很出色；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。MURF2060CT是什么類型的管子？

    迅速軟恢復(fù)二極管模塊化技術(shù)與應(yīng)用著者：海飛樂技術(shù)時間：2018-05-2320:43摘要在高頻應(yīng)用中為了減小電路損耗和防范過電壓尖峰對器件的損壞，需迅速軟恢復(fù)二極管。硬開關(guān)過程中存在二極管反向回復(fù)電流（Irm）增加了開關(guān)器件開通損耗率和過電壓尖峰，并且在迅速di/dt開關(guān)時能夠產(chǎn)生電磁干擾。本文介紹了使用特別工藝設(shè)計的迅速軟恢復(fù)二極管。該二極管是為高頻應(yīng)用而設(shè)計的，在高頻應(yīng)用方面有著平穩(wěn)的開關(guān)屬性。本文還介紹了用該二極管制造的200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復(fù)二極管模塊及其應(yīng)用。1．快速軟恢復(fù)二極管介紹大功率快速軟恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在高頻電力電子電路中，它與主回路中的晶閘管或IGBT等新型電力半導(dǎo)體開關(guān)器件相并聯(lián)，開關(guān)器件反向時，流過負(fù)載中的無功電流，減少電容的充電時間，同時抑止因負(fù)載電流瞬時反向而感應(yīng)的過電壓尖峰。為了提高開關(guān)器件及電力電子線路的可靠性和穩(wěn)定性，須要采用迅速軟恢復(fù)二極管。快速軟恢復(fù)二極管可以減小高頻電路的損耗。在硬開關(guān)過程中存在的主要疑問是：二極管反向回復(fù)電流（Irm）增加了開關(guān)器件開通損耗率，并且在迅速di/dt開關(guān)時能夠產(chǎn)生電磁干擾。如果反向回復(fù)電流迅速返回零點，就會產(chǎn)生尖峰電壓和電磁干擾。MUR2060CTR是什么類型的管子？陜西快恢復(fù)二極管MUR1640CTR

MURB1560是什么類型的管子？安徽快恢復(fù)二極管MURB2060CT

    快恢復(fù)二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF，通態(tài)電流IF，反向電壓VR,反向漏電流IR，正向過沖電壓Vfp，反向恢復(fù)漏電流峰值Irp。以及反向電流下降時間tb等有關(guān)。盡管如此，對于給定的快恢復(fù)二極管應(yīng)用，通態(tài)電流和反向電壓通常應(yīng)用電路決定的，只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復(fù)二極管本身的性能決定的。我們能通過算式5清楚地看到，上述任何一個參數(shù)的升高都將導(dǎo)致功率損耗的増加。相反地，如果我們能夠降低其中的某些參數(shù)值，則可以降低功率損耗，在所有的功率損耗中，通態(tài)損耗所占比例，因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對于通態(tài)損耗來講，正向電流由應(yīng)用條件和額定決定，為恒定值，占空比也由應(yīng)用條件決定，由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑。而正向壓降正是快恢復(fù)二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降。壓降越低的，其功耗也越低。 安徽快恢復(fù)二極管MURB2060CT