是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1．性能特點1）反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間tr的概念是：電流通過零點由正向變換到規(guī)定低值的時間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流很快下降，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR日漸增大；在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流日趨減少，并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與平常二極管不同，它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I，組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向回復(fù)電荷很小，減少了trr值，還下降了瞬態(tài)正向壓降，使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓?？旎貜?fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少，使其trr可低至幾十納秒。MUR1060是什么類型的管子？福建快恢復(fù)二極管MUR1060

快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間(trr)的定義:電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時，正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR逐漸增大;在t=t2時刻達(dá)到反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。上?？旎謴?fù)二極管MURF1660CTMUR3020CT是快恢復(fù)二極管嗎？

    電解用整流器的輸出功率極大，每個整流臂往往由十幾個乃至數(shù)十個整流元件并聯(lián)組成，均流問題十分突出。關(guān)于電流不平衡的產(chǎn)生原因和解決措施，可參看本站有關(guān)電力電子快恢復(fù)二極管串、并聯(lián)技術(shù)的文章，此處提示結(jié)構(gòu)設(shè)計中的一些注意點。1)當(dāng)并聯(lián)快恢復(fù)二極管數(shù)很多，在結(jié)構(gòu)上形成分支并聯(lián)回路時，可以將快恢復(fù)二極管按正向壓降接近程度分級分組，在可能流過較大電流的支路里，裝配正向壓降稍大的元件組。2)在快恢復(fù)二極管開通前后陽極-陰極間電壓較高、開通后電流上升率較大時，常選用開通時間盡量一致的快恢復(fù)二極管。但由于快恢復(fù)二極管參數(shù)可選擇的自由度太小，為了經(jīng)濟(jì)和維修更換方便，常和電路補償方法結(jié)合使用。采用補償后能使元件開通時間的分散度在5～6μs左右較合適。補償方法可以在每個快恢復(fù)二極管支路中串入均流電抗器，或者將整流變壓器閥側(cè)線圈多分幾組，減少每個線圈支路中的快恢復(fù)二極管數(shù)。

    以及逆變器和焊接電源中的功率開關(guān)的保護(hù)二極管和續(xù)流二極管。2．迅速軟恢復(fù)二極管的一種方法使用緩沖層構(gòu)造明顯改善了二極管的反向恢復(fù)屬性。為了縮短二極管的反向恢復(fù)時間，提高反向回復(fù)軟度，同時使二極管具備較高的耐壓，使用了緩沖層構(gòu)造，即運用雜質(zhì)控制技術(shù)由輕摻雜的N1區(qū)及較重?fù)诫s的N2區(qū)構(gòu)成N基區(qū)；二極管的正極使用由輕摻雜的P區(qū)與重?fù)诫s的P＋區(qū)鑲嵌構(gòu)成，該P－P＋構(gòu)造可以操縱空穴的注入效應(yīng)，從而達(dá)到支配自調(diào)節(jié)發(fā)射效率和縮短反向回復(fù)時間的目的。圖4使用緩沖層構(gòu)造二極管示意圖芯片設(shè)計原始硅片根據(jù)二極管電壓要求，同常規(guī)低導(dǎo)通壓降二極管設(shè)計參數(shù)相同。使用正三角形P+短路點構(gòu)造，輕摻雜的P區(qū)表面濃度約為1017cm－3，短路點濃度約為1019cm－3。陰極面N1表面濃度約為1018cm－3，N2表面濃度約為1020cm－3。少子壽命控制目前少子壽命控制方式基本上有三種，摻金、摻鉑和輻照，輻照也有多種方式，常用的方式是高能電子輻照。緩沖層構(gòu)造的迅速二極管的少子壽命控制方式是使用金輕摻雜和電子輻照相結(jié)合的辦法。圖5緩沖層構(gòu)造的迅速二極管的能帶示意圖從能帶示意圖中可以看出，在兩個高補償區(qū)之間形成一個電子圈套。當(dāng)二極管處于反偏時，電子從二極管陰極面抽走。MUR1020CT是快恢復(fù)二極管嗎？

    下降開關(guān)速度或采用緩沖電路可以減低尖峰電壓。增加緩沖電路會增加電路成本并且使電路設(shè)計變繁復(fù)。這都是我們所不期望的。本文介紹了迅速軟恢復(fù)二極管及其模塊。該模塊電壓范圍從400V到1200V，額定電流從60A～400A不等。設(shè)計上該模塊使用外延二極管芯片，該芯片使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化(圖1)并有硅橡膠維護(hù)。恢復(fù)特點如圖2所示。圖1圖2快速軟恢復(fù)二極管的基區(qū)和正極之間使用緩沖層構(gòu)造，使得在空間電荷區(qū)擴張后的剩余基區(qū)內(nèi)駐留更多的殘存電荷，并且駐留時間更長，提高了二極管的軟度?？旎貜?fù)二極管的軟度由圖2定義。軟度因子反向峰值電壓由下式確定：VR為加在二極管上的反向電壓。二極管道軟度因子越大，在關(guān)斷過程中產(chǎn)生的反向峰值電壓越低，使開關(guān)器件及整個電路處于較安全的狀況。一般國內(nèi)生產(chǎn)的迅速二極管其反向回復(fù)時間較長，大概在1～6μs，軟度因子約為，國內(nèi)有多家整流器制造公司也在研究迅速軟恢復(fù)二極管，電流較大，但軟度因子在～。傳統(tǒng)的迅速整流二極管用到摻金或鉑的外延片以支配載流子壽命，但這些二極管表現(xiàn)出了以下的技術(shù)缺陷：1．正向電壓降Vf隨著溫度的升高而下降；2．高溫下漏電流大；3．高溫下迅速di/dt時開關(guān)不平穩(wěn)。MUR3040PT是什么類型的管子？四川快恢復(fù)二極管MUR2060CT

MUR3040CTR是什么類型的管子？福建快恢復(fù)二極管MUR1060

    20世紀(jì)80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅實的器件基礎(chǔ)，同時，為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化，為高效、節(jié)電、節(jié)材，實現(xiàn)機電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因為，隨著裝置工作開關(guān)頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨特作用，這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr，反向峰值電流IRM)的作用所致，合適參數(shù)的FRED與高頻開關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開關(guān)器件換相所引起的過電壓尖峰，高頻干擾電壓以及EMI降低，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮，F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開關(guān)電源、高頻逆變電焊機、高頻逆變開關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場合使用，結(jié)果非常令人滿意。本文將簡要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu)，技術(shù)參數(shù)。福建快恢復(fù)二極管MUR1060