穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近，從而實現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。MBR10150CT是什么類型的管子？ITO220封裝的肖特基二極管MBR6060PT

    [1]碳化硅肖特基二極管碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀碳化硅器件的出現(xiàn)的改善了半導(dǎo)體器件的性能，滿足國民經(jīng)濟和建設(shè)的需要，目前，美國、德國、瑞典、日本等發(fā)達國家正競相投入巨資對碳化硅材料和器件進行研究。美國部從20世紀90年代就開始支持碳化硅功率器件的研究，在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢壘二極管于21世紀初成為首例市場化的碳化硅電力電子器件。美國Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作）已經(jīng)用在美國空軍多電飛機。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達1200V的系列產(chǎn)品，其額定電流可達到20A。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達到高壓器件的水平，其阻斷電壓超過10000V，大電流器件通態(tài)電流達130A的水平。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高，開關(guān)速度很快，重量很輕，并且體積很小，它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢。2000年Cree公司研制出KV的臺面PiN二極管，同一時期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺面PiN二極管。2005年Cree公司報道了10KV、V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低，工作頻率很高。浙江肖特基二極管MBRB2045CTMBRF20100CT是什么類型的管子？

    反向漏電流的組成主要由兩部分：一是來自肖特基勢壘的注入；二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是：半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點電流密度的增加，導(dǎo)致這些薄弱點上的溫度增加引起這些薄弱點上的電流密度越來越大，溫度也越來越高，如此惡性循環(huán)引起過熱點半導(dǎo)體材料的晶體熔化。此時在兩電極之間形成較低阻的電流通道，電流密度驟增，導(dǎo)致肖特基二極管還未達到擊穿電壓值就已經(jīng)損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的。流經(jīng)二極管的平均電流并未達到二次擊穿的擊穿電壓值，但是功率二極管還是會產(chǎn)生二次擊穿。[2]參考資料1.孫子茭．4H_SiC肖特基二極管的研究：電子科技大學(xué)，20132.苗志坤．4H_SiC結(jié)勢壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究：哈爾濱工程大學(xué)，2013詞條標(biāo)簽：科學(xué)百科數(shù)理科學(xué)分類。

肖特基二極管MBR2045CT在開關(guān)電源中得到了普遍的應(yīng)用，如工控領(lǐng)域用的DC5V開關(guān)電源、ATX機箱電源等。MBR2045CT肖特基二極管的電性參數(shù)如下：內(nèi)置兩顆80MIL、正向平均導(dǎo)通電流10A、反向耐壓45V、正向?qū)▔航?.65V的肖特基晶片。比如，在ATX機箱電源中，肖特基二極管MBR2045CT作為5V輸出的整流二極管使用，給開關(guān)電源帶來降低功耗、適應(yīng)更高開關(guān)頻率的應(yīng)用需求。一般肖特基二極管在低壓類電源中使用非常普遍，這是因為肖特基二極管的反向耐壓較低的原因，一般不大于200V，在高于200V的應(yīng)用中一般就使用快恢復(fù)二極管了。MBR30100PT是什么種類的管子？

    TO-220ABTO-220F全塑封MBR20200CT20A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045CT30A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3060CT30A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30100CT30A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30150CT30A,150V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30200CT30A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045PT30A,45V,TO-247TO-3PMBR3060PT30A,60V,TO-247TO-3PMBR30100PT30A,100VTO-247、TO-3PMBR30150PT30A,150VTO-247、TO-3PMBR30200PT30A,200VTO-247、TO-3PMBR4045PT40A,45VTO-247、TO-3PMBR4060PT40A,60VTO-247、TO-3PMBR40100PT40A,100VTO-247、TO-3PMBR40150PT40A,150VTO-247、TO-3PMBR40200PT40A,200VTO-247、TO-3PMBR6045PT60A,45VTO-247、TO-3PMBR6060PT60A,60VTO-247、TO-3PMBR60100PT60A。MBR30200PT是什么種類的管子？廣東肖特基二極管MBR1045CT

肖特基二極管的封裝有哪些？ITO220封裝的肖特基二極管MBR6060PT

    本實用新型涉及肖特基二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種溝槽式mos型肖特基二極管。背景技術(shù)：肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士命名的，肖特基二極管是肖特基勢壘二極管,其簡稱為sbd，其是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的，因此，sbd也稱為金屬－半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管，然而，現(xiàn)有的肖特基二極管，在焊接到線路板上后，焊接后，肖特基二極管一般是不能和線路板直接接觸，并且造成肖特基二極管處于線路板上端較高位置，由于肖特基二極管的焊腳一般較細，位于高處的肖特基二極管容易造成晃動，時間久了，焊腳的焊接位置容易松動。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供一種溝槽式mos型肖特基二極管，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的焊接在線路板本體上的二極管本體的穩(wěn)定性的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種溝槽式mos型肖特基二極管，包括線路板本體，以及設(shè)置在線路板本體上的二極管本體和穩(wěn)定桿，所述二極管本體的外壁套設(shè)有半環(huán)套管和第二半環(huán)套管，所述半環(huán)套管和第二半環(huán)套管朝向穩(wěn)定桿的一端設(shè)置有導(dǎo)桿，所述穩(wěn)定桿上設(shè)置導(dǎo)孔，導(dǎo)孔與導(dǎo)桿滑動套接，所述導(dǎo)桿上設(shè)置有擋塊。ITO220封裝的肖特基二極管MBR6060PT