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江蘇快恢復(fù)二極管MURF3060CT

來源: 發(fā)布時間:2024-10-30

恢復(fù)二極管是一種特殊類型的二極管,通常用于高頻電路中。它的特殊之處在于,當(dāng)反向電壓施加于二極管時,它能夠非??焖俚貜慕刂翣顟B(tài)恢復(fù)到導(dǎo)通狀態(tài)。通常,當(dāng)正向電壓施加于二極管時,它處于導(dǎo)通狀態(tài),允許電流流過。然而,一旦反向電壓施加于二極管時,它會進(jìn)入截至狀態(tài),阻止電流流過。但是,即使在截至狀態(tài)下,一些電荷仍然會存留在二極管的P型和N型區(qū)域之間。此時,如果反向電壓被移除,恢復(fù)二極管可以迅速恢復(fù)到導(dǎo)通狀態(tài)。這是因為恢復(fù)二極管采用了特殊的設(shè)計和工藝,使其具有較快的恢復(fù)時間??旎謴?fù)二極管 ,就選常州市國潤電子有限公司,用戶的信賴之選,有需求可以來電咨詢!江蘇快恢復(fù)二極管MURF3060CT

20世紀(jì)80年代初,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化,這不僅對電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅實的器件基礎(chǔ),同時,為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化,為高效、節(jié)電、節(jié)材,實現(xiàn)機電體化,小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時,給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因為,隨著裝置工作開關(guān)頻率的提高,若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨特作用,這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr,反向峰值電流IRM)的作用所致,合適參數(shù)的FRED與高頻開關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開關(guān)器件換相所引起的過電壓尖峰,高頻干擾電壓以及EMI降低,使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮,F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開關(guān)電源、高頻逆變電焊機、高頻逆變開關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場合使用,結(jié)果非常令人滿意。本文將簡要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu),技術(shù)參數(shù)。山東快恢復(fù)二極管MURF3060CT進(jìn)行全部快恢復(fù)二極管一般地說用以較高頻率的整流和續(xù)流。

現(xiàn)提出下述實施例:一種高壓快回復(fù)二極管芯片,包括芯片本體1,所述芯片本體1裹在熱熔膠2內(nèi),所述熱熔膠2裹在在封裝外殼3內(nèi),所述封裝外殼3由金屬材質(zhì)制成,所述封裝外殼3的內(nèi)部設(shè)有散熱組件,所述散熱組件包括多個散熱桿4,多個散熱桿4呈輻射狀固定在所述芯片本體1上,所述散熱桿4的另一端抵觸在所述封裝外殼3的內(nèi)壁,所述散熱桿4與所述芯片本體1的端部上裹有絕緣膜5,所述散熱桿4的內(nèi)部中空且所述散熱桿4的內(nèi)部填入有冰晶混合物6。在本實施例中,所述封裝外殼3的殼壁呈雙層構(gòu)造且所述封裝外殼3的殼壁的內(nèi)部設(shè)有容納腔7,所述容納腔7與所述散熱桿4的內(nèi)部連接,所述容納腔7的內(nèi)部也填入有冰晶混合物6。散熱桿4內(nèi)融解的冰晶混合物6不停向外傳遞,充分傳熱。在本實施例中,所述散熱桿4至少設(shè)有四根。

20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看,可分為單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部構(gòu)造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對管)、MUR1680A型(共陽對管)超快恢復(fù)二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2.檢測方法1)測量反向恢復(fù)時間測量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF,脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號,運用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的日子到IR=Irr日子所經(jīng)歷的時間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr,有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知,當(dāng)IRM為一定時,反向回復(fù)電荷愈小,反向回復(fù)時間就愈短。2)常規(guī)檢測方式在業(yè)余條件下,運用萬用表能檢測快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?,以及?nèi)部有無開路、短路故障,并能測出正向?qū)▔航怠H襞湟哉讱W表,還能測量反向擊穿電壓。實例:測量一只超快恢復(fù)二極管,其主要參數(shù)為:trr=35ns。常州市國潤電子有限公司為您提供快恢復(fù)二極管 。

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時,冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護(hù)膠和硅片不貼合,會產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時,表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTR快恢復(fù)二極管 ,就選常州市國潤電子有限公司,歡迎客戶來電!TO247封裝的快恢復(fù)二極管MUR2060CA

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恢復(fù)二極管,也稱為快恢復(fù)二極管或快RecoveryDiode,是一種具有快速恢復(fù)特性的二極管。它具有較短的反向恢復(fù)時間和低反向恢復(fù)電荷,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、醫(yī)療設(shè)備、通信設(shè)備和其他工業(yè)電子設(shè)備中,以及作為汽車電子系統(tǒng)中的保護(hù)裝置。恢復(fù)二極管的主要特點包括:1.快速恢復(fù)時間:能夠在反向電壓變化時快速恢復(fù)至導(dǎo)通狀態(tài),適用于頻率較高的電路和快速開關(guān)應(yīng)用。2.低反向恢復(fù)電荷:減少反向恢復(fù)過程中的功耗和損耗,提高效率。國潤電子江蘇快恢復(fù)二極管MURF3060CT