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氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應(yīng)氣體壓強對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強對靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是：在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會逐步上升，濺射工作電壓亦會同步下降。 2. 反應(yīng)氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著反應(yīng)氣體(如氮氣、氧氣)壓強(或流量)...

氧化物鍍膜技術(shù)在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用 近年來，迅速發(fā)展微波加熱技術(shù)給微波食品包裝及需經(jīng)微波殺 菌消毒的一類商品的包裝提出了新的要求，即包裝材料不要具有優(yōu)良的阻隔性能，而且還要耐高溫、微波透過性好等特性，傳統(tǒng)的包裝材料很難具備這些特點。因此，近年來日本、德國、美國等國家大力研究開發(fā)新型的高阻隔性包裝材料——SiOX和其它金屬氧化物鍍膜復(fù)合材料。這類材料除了阻隔性能可以與鋁塑復(fù)合材料相媲美外，同時還具有微波透過性好、耐高溫、透明、受環(huán)境溫度濕度影響小等優(yōu)點。 非金屬鍍膜可采用蒸鍍原料可采用SiOX、SiO2，也可以采用其它氧化物如Al2O3、 MgO、Y2O3、TiO2、Gd2O3等，其中常用的是S...

磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al（AZO）薄膜的工藝探討 目前主要的薄膜太陽能電池有：碲化鎘（CdTe）系薄膜太陽能電池、硒銦銅（CIS）系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、晶硅系薄膜太陽能電池。研究人員研制出了價格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來作為薄膜太陽能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導(dǎo)電薄膜可以增強太陽光的散射作用，改善陷光效果，增加電池對太陽能的吸收量，提高薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導(dǎo)電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點，是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。 目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導(dǎo)電薄...

純度：純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”、8”發(fā)展到12”,而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。雜質(zhì)含量：靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。純度是靶材的主...

釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；導(dǎo)電膠：采用的導(dǎo)電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍：建議綁定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、靶材太貴的情況等。但下列情況綁定有弊端：1.熔點低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時候可能會變軟變形；2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現(xiàn)分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。三.背靶的選擇對材質(zhì)的要求：一般選用無氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右；導(dǎo)電性好：常用無氧銅，無氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；強度足夠：太薄，易變形，不易真空密...

磁控濺射鍍膜中出現(xiàn)膜層不良的表現(xiàn)有哪些，如何改善？ 1.脫膜主要表現(xiàn)：點狀/片狀膜層脫落 原因分析：雜質(zhì)附著，清洗殘留，真空室臟，臟污、油斑、灰點、口水點， 膜層局部附著不良等。 改善：加強清洗，加強烘烤，環(huán)境管控（清潔干燥），對于多層膜系，底層須與基材匹配（吸附力、硬度、熱膨脹）。 2.裂紋/暴膜主要表現(xiàn)： 網(wǎng)狀裂痕/龜裂/起泡脫膜，出爐外觀OK，放置一段時間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析：鍍膜過程基材加熱不充分，成膜后及出爐后降溫過快，膜層應(yīng)力累積， 膜層與基材不匹配，多層膜之間參數(shù)不匹配。 改善： 基材充分預(yù)熱加熱；增加離子輔助，減小應(yīng)力；鍍膜緩慢降溫；底層須與基材匹配；多層膜之間參數(shù)不突...

所得靶材組件濺射強度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實施例4本實施例提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.9mm；所述靶材表面的硬度為25hv；其中，所述靶材的比較大厚度為24mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括***平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角為3°；所述斜面位于所述***平面和第二平面之間；所述***平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鋁；所述背板的材質(zhì)包括銅。所得靶材組件濺射強度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實施例...

本實施例提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.78mm；所述靶材表面的硬度為26hv；其中，所述靶材的比較大厚度為22mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角為4°；所述斜面位于所述平面和第二平面之間；所述平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鈦；所述背板的材質(zhì)包括鋁。所得靶材組件濺射強度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。對比例1與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.5mm；所得靶材組...

靶材拋光裝置還包括：防護(hù)層，所述防護(hù)層位于所述固定板與所述拋光片之間。防護(hù)層為彈性材料。靶材拋光裝置還包括：把手，所述把手設(shè)置于所述固定板的外表面上。把手的數(shù)量為兩個，其中一個所述把手設(shè)置于所述固定板的頂部，另一個所述把手設(shè)置于所述固定板的側(cè)壁上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：提供的靶材拋光裝置的技術(shù)方案中，所述靶材拋光裝置包括：固定板，所述固定板包括頂板和位于所述頂板一側(cè)的側(cè)板；拋光片，位于所述固定板內(nèi)側(cè)面上，其中位于固定板彎折處的拋光片呈弧狀。位于固定板彎折處的拋光片表面適于對靶材經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進(jìn)行拋光，位于側(cè)板上的所述拋光片表面適于對靶材側(cè)壁表面進(jìn)行拋光。所述靶材拋光裝...

真空技術(shù)中的清潔處理 (一)概述 真空技術(shù)清潔處理一般指的是真空裝置的結(jié)構(gòu)材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空，增加連接強度和氣密性，提高產(chǎn)品的壽命 和可靠性。 (二)污染物的幾種類型 ①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真空油脂等; ②水滴:操作時的手汗，吹玻璃時的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料長期基露或放置在潮濕大氣中所形成的表面氧化物; ④酸、堿、鹽類物質(zhì):清洗后的殘余物質(zhì)、手汗、自來水中的礦物質(zhì)等; ⑤空氣中的塵埃及其它有機物。 (三)污染的形成及其影響 真空裝置由許多不同的零件組成，它們都是經(jīng)過各種機械加工完成的，如車、銑、刨、...

為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請注意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射頭冷卻壁的平整度，同時確保O型密封圈始終在位置上。由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運行過程中可能會產(chǎn)生的污垢會沉積在陰極冷卻水槽內(nèi)，所以在安裝靶材時需要對陰極冷卻水槽進(jìn)行檢查和清理，確保冷卻水循環(huán)的順暢和進(jìn)出水口不會被堵塞。有些陰極設(shè)計是與陽極的空隙較小，所以在安裝靶材時需要確保陰極與陽極之間沒有接觸也不能存在導(dǎo)體，否則會產(chǎn)生短路。請參考設(shè)備商操作手冊中關(guān)于如何正確安裝靶材的相關(guān)信息。在收緊靶材夾具時，請先用手轉(zhuǎn)緊一顆鏍栓，再用手轉(zhuǎn)緊對角線上的另外一顆鏍栓，如此重復(fù)直到安裝上所有鏍栓后，再用工具收...

磁控濺射離子鍍 (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負(fù)偏壓，利用負(fù)偏壓對離子的吸引和加速作用，是離子鍍與其它鍍膜類型的一個主要區(qū)別。蒸發(fā)鍍時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是蒸發(fā)離子鍍 ;多弧鍍時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是多弧離子鍍;磁控濺射時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是磁控濺射離子鍍，這是磁控濺射離子鍍技術(shù)的一個重要特點。 (2)磁控濺射離子鍍是把磁控濺射和離子鍍結(jié)合起來的技術(shù)。在同一個真空腔體內(nèi)既可實現(xiàn)氬離子對磁控靶材的穩(wěn)定濺射，又實現(xiàn)了高能靶材離子在基片負(fù)偏壓作用下到達(dá)基片進(jìn)行轟擊、濺射、注入及沉積作用過程。整個鍍膜過程都存在離子對基片和工件表面的轟擊，可有效基片和工件表面的氣體和污...

靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.75-6mm，例如可以是5.75mm、5.76mm、5.77mm、5.78mm、5.79mm、5.8mm、5.81mm、5.82mm、5.83mm、5.84mm、5.85mm、5.86mm、5.87mm、5.88mm、5.89mm、5.9mm、5.91mm、5.92mm、5.93mm、5.94mm、5.95mm、5.96mm、5.97mm、5.98mm、5.99mm或6mm等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。本發(fā)明中，所述靶材表面的硬度為20-30hv，例如可以是20hv、21hv、22hv、23hv、24hv、25hv、26...

濺射靶材的制備方法有哪些？濺射靶材是指通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜設(shè)備在適當(dāng)工藝條件下濺射沉積在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。濺射靶材普遍應(yīng)用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導(dǎo)體、磁記錄、平面顯示、太陽能電池等眾多領(lǐng)域，不同領(lǐng)域需要的靶材各不相同。濺射靶材的制備：濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類，除嚴(yán)格控制材料純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外，對熱處理條件、后續(xù)加工方法等亦需加以嚴(yán)格控制。粉末冶金法：粉末冶金法制備靶材時，其關(guān)鍵在于：(1)選擇高純、超細(xì)粉末作為原料；(2)選擇能實現(xiàn)快速致密化的成形燒結(jié)技術(shù)，以保證靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制備過...

3D玻璃漸變色的應(yīng)用 3D玻璃漸變色主要應(yīng)用于3C產(chǎn)品，特別是手機領(lǐng)域。隨著雙玻璃加金屬邊框的盛行，3D后蓋裝飾工藝需要不斷革新?，F(xiàn)有的裝飾工藝主要是在裝飾防爆膜上進(jìn)行鍍膜絲印，再與3D玻璃貼合實現(xiàn)裝飾效果，外觀裝飾主要還是防爆膜紋理和鍍膜顏色搭配實現(xiàn)。漸變色效果可以通過多種途徑實現(xiàn)，包括：印刷、轉(zhuǎn)印、真空鍍膜、噴涂等。由于技術(shù)的瓶頸問題，現(xiàn)在量產(chǎn)的3D玻璃漸變主要有印刷和真空鍍膜兩種途徑。 漸變效果可大致分為同色漸變、鄰近色漸變、對比色漸變。漸變顏色的選擇對于印刷工藝的限制會小一些，選擇范圍更加寬。印刷工藝可以選擇對應(yīng)顏色及對應(yīng)顏色帶范圍進(jìn)行印刷，能夠?qū)崿F(xiàn)較為多元化的色彩沖撞效果，滿足設(shè)計者...

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內(nèi)外認(rèn)為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现?。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制...

真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。靶中毒的影響因素：影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面...

磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個：一個是提高工作電壓...

真空鍍膜設(shè)備維修保養(yǎng)技巧 1、真空鍍膜設(shè)備每完成200個鍍膜程序以上，應(yīng)清潔工作室一次。 方法：用燒堿(NaOH)飽和溶液反復(fù)擦洗真空室內(nèi)壁，( 注意人體皮膚不可以直接接觸燒堿溶液，以免灼傷)目的是使鍍上去的膜料鋁(AL)與NaOH發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)后膜層脫落，并釋放出氫氣。再用清水清洗真空室和用布沾汽油清洗精抽閥內(nèi)的污垢。 2、當(dāng)粗抽泵(滑閥泵，旋片泵)連續(xù)工作一個月(雨季減半)，需更換新油。 方法：擰開放油螺栓，放掉舊油，再將泵啟動數(shù)秒，使泵內(nèi)的舊油完全排放出來。擰回放油螺栓，加入新油至額定量(油視鏡觀察)。連續(xù)使用半年以上，換油時應(yīng)將油蓋打開，用布擦干凈箱內(nèi)污垢。 3、擴散泵連續(xù)使用6個月以...

鋅錫合金，鋅鋁合金，錫鎘合金，銅銦合金，銅銦鎵合金，銅鎵合金，以及錫，鉬，鈦等旋轉(zhuǎn)靶材高純鋁靶材Al高純銅靶材Cu高純鐵靶材Fe高純鈦靶材Ti高純鎳靶材Ni高純鎂靶材Mg高純鉻靶材Cr高純鋅靶材Zn高純銀靶材Ag高純鈷靶材Co高純鈮靶材Nb高純錫靶材Sn高純銦靶材In高純鋯靶材Zr高純鉭靶材Ta高純鍺靶材Ge高純硅靶材Si高純鎢靶材W高純鉿靶材Hf高純釔靶材Y高純釓靶材Gd高純釤靶材Sm高純鏑靶材Dy高純鈰靶材Ce高純鑭靶材La高純金靶材Au高純不銹鋼靶材高純石墨靶材C高純硒靶材Se高純鉬靶材Mo高純合金濺射靶材二元合金靶鎳鉻靶Ni-Cr鎳鐵靶Ni-Fe鎳鈷靶Ni-Co鎳鋯靶Ni-Zr鎳鋁靶N...

中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優(yōu)點： (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個數(shù)量級; (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個濺射沉積過程，可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個磁控靶進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射，調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實現(xiàn)長時間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達(dá)到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。而晶...

拋光片部分310的厚度均勻。所述拋光片第三部分330的厚度均勻。位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度不均，即所述拋光片第二部分320的厚度不均。拋光片部分310的厚度與所述拋光片第三部分330的厚度相等，均為2mm～3mm。拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為分體的。在其他實施例中，所述拋光片部分、拋光片第二部分及拋光片第三部分還可以為一體成型。靶材拋光裝置100還包括：防護(hù)層400，所述防護(hù)層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。所述防護(hù)層400為彈性材料，能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖，避免所述固定板200觸撞靶材導(dǎo)致靶材受損。本...

磁控濺射離子鍍 (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負(fù)偏壓，利用負(fù)偏壓對離子的吸引和加速作用，是離子鍍與其它鍍膜類型的一個主要區(qū)別。蒸發(fā)鍍時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是蒸發(fā)離子鍍 ;多弧鍍時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是多弧離子鍍;磁控濺射時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是磁控濺射離子鍍，這是磁控濺射離子鍍技術(shù)的一個重要特點。 (2)磁控濺射離子鍍是把磁控濺射和離子鍍結(jié)合起來的技術(shù)。在同一個真空腔體內(nèi)既可實現(xiàn)氬離子對磁控靶材的穩(wěn)定濺射，又實現(xiàn)了高能靶材離子在基片負(fù)偏壓作用下到達(dá)基片進(jìn)行轟擊、濺射、注入及沉積作用過程。整個鍍膜過程都存在離子對基片和工件表面的轟擊，可有效基片和工件表面的氣體和污...

電解錳片狀99.7%1-10mm真空熔煉Co-F3501電解鈷片狀99.95%1-10mm真空熔煉Co-I3504電積鈷塊狀99.95%40*40*5mm真空熔煉Co-G3533鈷顆粒99.95%φ3*3mm真空熔煉W-G3536m真空熔煉Ta-G3533鉭顆粒99.95%φ3*3mm真空熔煉Nb-G3533鈮顆粒99.95%φ3*3mm真空熔煉Mo-G3533m真空熔煉Si-I5011多晶硅塊狀99.999%不規(guī)則塊狀真空熔煉In-G4501銦顆粒99.995%1-3mm真空熔煉Zr-I2402海綿鋯塊狀99.4%3-25mm真空熔煉Hf-I2402海m真空熔煉Ge-G5006鍺顆粒99.9...

涂布技術(shù)在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用 將涂布技術(shù)與真空鍍鋁技術(shù)結(jié)合起來，通過在基材薄膜或鍍鋁薄膜上涂布功能層，以達(dá)到提高鍍鋁層的附著牢度、耐水煮性能、阻隔性能、裝飾性能等，滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的要求。 一．經(jīng)過等離子預(yù)處理的真空鍍鋁薄膜雖然鍍鋁層牢度有了明顯提高，但對于一些對鍍鋁層附著牢度要求更高，或者需要用于水煮殺 菌條件時仍然不能滿足要求。為了滿足上述要求，通過在基材薄膜表面涂布一層丙烯酸類的化學(xué)涂層，該涂層不對鍍鋁層有優(yōu)異的粘附性能，同時可以滿足后續(xù)的水煮殺 菌條件。涂布后的包裝可以滿足巴氏殺 菌的要求，其鍍鋁層不會因為水煮而發(fā)生氧化。 二．為進(jìn)一步提高鍍鋁膜的阻隔性能，同時保護(hù)鍍鋁層在后續(xù)的印刷...

非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長多晶硅薄膜的方法有：化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)以及液相生長、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。它的特點是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結(jié)晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射...

磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍 (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。 (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實際承載功率 磁控靶的實際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數(shù)有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。 考慮到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時的承載功率，直接水冷...

磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍 (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。 (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實際承載功率 磁控靶的實際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數(shù)有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。 考慮到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時的承載功率，直接水冷...

氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應(yīng)氣體壓強對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強對靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是：在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會逐步上升，濺射工作電壓亦會同步下降。 2. 反應(yīng)氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著反應(yīng)氣體(如氮氣、氧氣)壓強(或流量)...

真空技術(shù)中的清潔處理 (一)概述 真空技術(shù)清潔處理一般指的是真空裝置的結(jié)構(gòu)材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空，增加連接強度和氣密性，提高產(chǎn)品的壽命 和可靠性。 (二)污染物的幾種類型 ①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真空油脂等; ②水滴:操作時的手汗，吹玻璃時的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料長期基露或放置在潮濕大氣中所形成的表面氧化物; ④酸、堿、鹽類物質(zhì):清洗后的殘余物質(zhì)、手汗、自來水中的礦物質(zhì)等; ⑤空氣中的塵埃及其它有機物。 (三)污染的形成及其影響 真空裝置由許多不同的零件組成，它們都是經(jīng)過各種機械加工完成的，如車、銑、刨、...