磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al(AZO)薄膜的工藝探討 目前主要的薄膜太陽能電池有:碲化鎘(CdTe)系薄膜太陽能電池、硒銦銅(CIS)系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、晶硅系薄膜太陽能電池。研究人員研制出了價格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來作為薄膜太陽能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導電薄膜可以增強太陽光的散射作用,改善陷光效果,增加電池對太陽能的吸收量,提高薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點,是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。 目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導電薄...
拋光片第二部分320呈弧狀,與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配,可對靶材側(cè)棱進行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面,能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光,有助于提高拋光作業(yè)效率。由于操作人員同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光,因此操作人員施加在靶材側(cè)壁表面及側(cè)棱上的力度差異小,拋光工藝結(jié)束后,靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度,使得拋光表面具有良好的均一性,有助于改善濺射鍍膜質(zhì)量。若分步驟對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面進行拋光,操作人員在兩個步驟中施加的力度容易差別較大,造成拋...
電致變色的工作原理: 電致變色材料在外加電場作用下發(fā)生電化學氧化還原反應,得失電子,使材料的顏色發(fā)生變化電致變色器件的典型結(jié)構(gòu)器件結(jié)構(gòu)從上到下分別為:玻璃或透明基底材料、透明導電層(如:ITO)、電致變色層、電解質(zhì)層、離子存儲層、透明導電層(如:ITO)、玻璃或透明基底材料。器件工作時,在兩個透明導電層之間加上一定的電壓,電致變色層材料在電壓作用下發(fā)生氧化還原反應,顏色發(fā)生變化;而電解質(zhì)層則由特殊的導電材料組成,如包含有高氯酸鋰、高氯酸納等的溶液或固體電解質(zhì)材料;離子存儲層在電致變色材料發(fā)生氧化還原反應時起到儲存相應的反離子,保持整個體系電荷平衡的作用,離子存儲層也可以為一種與前面一層電致...
濺射靶材的分類有哪些?金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材,氮化物陶瓷濺射靶材,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材,硅化物陶瓷濺射靶材,硫化物陶瓷濺射靶材,碲化物陶瓷濺射靶材,其他陶瓷靶材,摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),砷化鉛靶材(PbAs),砷化銦靶材(InAs)。1.金屬靶材:鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶C...
非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能,是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認為是制備低耗、理想的薄膜太陽能電池的材料。因此,如何制備多晶硅薄膜是一個非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用方法,它是在高溫退火的條件下,使非晶硅薄膜通過固相相變而成為多晶硅薄膜。本文采用固相法,利用X- ray 衍射及拉曼光譜,對用不同方法制備的非晶硅薄膜的晶化過程進行了系統(tǒng)地研究。 在硅薄膜太陽能電池材料中,非晶硅薄膜太陽能電池制造工藝相對簡單,但是存在光電轉(zhuǎn)換效率低,壽命短,穩(wěn)定性不好,并且存在光致衰退效應(S-W 效應)等缺點。單晶...
磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al(AZO)薄膜的工藝探討 目前主要的薄膜太陽能電池有:碲化鎘(CdTe)系薄膜太陽能電池、硒銦銅(CIS)系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、晶硅系薄膜太陽能電池。研究人員研制出了價格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來作為薄膜太陽能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導電薄膜可以增強太陽光的散射作用,改善陷光效果,增加電池對太陽能的吸收量,提高薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點,是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。 目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導電薄...
靶材拋光裝置100對所述靶材600進行拋光時,將所述靶材拋光裝置100放置于所述靶材600上,使所述拋光片第二部分320表面與所述靶材600的側(cè)棱601表面相貼合,并使所述拋光片部分310表面與所述靶材濺射面610相貼合,且所述拋光片第三部分330表面與所述靶材600的側(cè)壁表面630相貼合。操作人員利用所述把手推動所述靶材拋光裝置100,所述靶材拋光裝置100相對所述靶材600移動,移動方向平行與被拋光的所述側(cè)棱601延伸方向。所述拋光片300表面的磨砂顆粒與靶材600表面相摩擦,以獲得光亮、平整的靶材600表面。此外,還可以通過所述靶材拋光裝置100同時對所述靶材600相交接的兩個側(cè)壁表面6...
在其他實施例中,所述固定板200內(nèi)側(cè)面彎折處呈弧狀,所述防護層400彎折處呈弧狀,位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外,與前一實施例不同的是,所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330厚度相等。所述靶材600呈長方體狀,其頂部表面為靶材濺射面610,底部表面為靶材焊接面620,所述靶材焊接面620貼合于背板表面上,所述靶材600通過所述靶材焊接面620與背板焊接固定。所述靶材600具有四個側(cè)壁表面630。靶材密度越高,薄膜的性能越好。南京B2O3靶材型號靶材磁控濺射鍍膜中...
固定板200的厚度為10mm~15mm。若所述固定板200的厚度過大,使得所述固定板200的重量過大,不便于使用,影響操作的靈活性。若所述固定板200的厚度過小,導致所述固定板200的強度和韌性較差,影響所述靶材拋光裝置100的使用壽命。所述拋光片300表面與靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱相匹配。所述拋光片300表面具有磨砂顆粒,用于增加所述拋光片300與靶材表面間的摩擦力,以提高拋光效率。拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設置于所述頂板210與所述側(cè)板220的拐角處,且在所述拋...
本實施例中,所述防護層400的材料。在其他實施例中,所述防護層的材料還可以為橡膠或棉花。本實施例中,所述防護層400與所述固定板200間通過粘結(jié)劑相粘接。所述防護層400與所述拋光片300間也通過粘結(jié)劑相粘接。在其他實施例中,所述拋光片朝向所述防護層的表面上具有勾刺結(jié)構(gòu)(圖中未示出),所述防護層與所述拋光片間通過所述勾刺結(jié)構(gòu)相固定。所述防護層400包括防護層和第二防護層,所述防護層覆蓋所述頂板210底部表面;所述第二防護層覆蓋所述側(cè)板220的內(nèi)側(cè)面。所述防護層表面與第二防護層表面相垂直。熔融鑄造法是制作濺射靶材的基本方法之一。南通錫銦靶材價格靶材基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲器與憶阻器 從...
其他服務:打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工服務?;厥樟鞒倘缦?稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品江陰典譽新材料科技有限公司,是專業(yè)從事鍍膜材料、合金制備等相關(guān)材料研發(fā)、銷售、服務為一體的全球化高科技綜合性公司。以業(yè)內(nèi) 企業(yè)為支撐,整合技術(shù)資源,擁有自主進出口經(jīng)營權(quán)和成熟的運營管理團隊,科學化管理運營,為公司向化、高新化發(fā)展奠定了基礎。典譽新材料在光電器件、芯片半導體、太陽能電池、光學鍍膜、航空航天、 、冶金、功能材料、新能源等行業(yè)產(chǎn)品開發(fā)、創(chuàng)新方面,有著得天獨厚的優(yōu)勢。以客戶需求為導向,以前沿技術(shù)為基礎,開發(fā)了多個產(chǎn)品系列,涵蓋濺射靶材、蒸鍍膜料、高純合金、金屬粉末、耗材...
電解錳片狀99.7%1-10mm真空熔煉Co-F3501電解鈷片狀99.95%1-10mm真空熔煉Co-I3504電積鈷塊狀99.95%40*40*5mm真空熔煉Co-G3533鈷顆粒99.95%φ3*3mm真空熔煉W-G3536m真空熔煉Ta-G3533鉭顆粒99.95%φ3*3mm真空熔煉Nb-G3533鈮顆粒99.95%φ3*3mm真空熔煉Mo-G3533m真空熔煉Si-I5011多晶硅塊狀99.999%不規(guī)則塊狀真空熔煉In-G4501銦顆粒99.995%1-3mm真空熔煉Zr-I2402海綿鋯塊狀99.4%3-25mm真空熔煉Hf-I2402海m真空熔煉Ge-G5006鍺顆粒99.9...
靶材拋光裝置還包括:防護層,所述防護層位于所述固定板與所述拋光片之間。防護層為彈性材料。靶材拋光裝置還包括:把手,所述把手設置于所述固定板的外表面上。把手的數(shù)量為兩個,其中一個所述把手設置于所述固定板的頂部,另一個所述把手設置于所述固定板的側(cè)壁上。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:提供的靶材拋光裝置的技術(shù)方案中,所述靶材拋光裝置包括:固定板,所述固定板包括頂板和位于所述頂板一側(cè)的側(cè)板;拋光片,位于所述固定板內(nèi)側(cè)面上,其中位于固定板彎折處的拋光片呈弧狀。位于固定板彎折處的拋光片表面適于對靶材經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光,位于側(cè)板上的所述拋光片表面適于對靶材側(cè)壁表面進行拋光。所述靶材拋光裝...
氧化物鍍膜技術(shù)在真空鍍鋁膜中的應用 近年來,迅速發(fā)展微波加熱技術(shù)給微波食品包裝及需經(jīng)微波殺 菌消毒的一類商品的包裝提出了新的要求,即包裝材料不要具有優(yōu)良的阻隔性能,而且還要耐高溫、微波透過性好等特性,傳統(tǒng)的包裝材料很難具備這些特點。因此,近年來日本、德國、美國等國家大力研究開發(fā)新型的高阻隔性包裝材料——SiOX和其它金屬氧化物鍍膜復合材料。這類材料除了阻隔性能可以與鋁塑復合材料相媲美外,同時還具有微波透過性好、耐高溫、透明、受環(huán)境溫度濕度影響小等優(yōu)點。 非金屬鍍膜可采用蒸鍍原料可采用SiOX、SiO2,也可以采用其它氧化物如Al2O3、 MgO、Y2O3、TiO2、Gd2O3等,其中常用的是S...
電致變色的工作原理: 電致變色材料在外加電場作用下發(fā)生電化學氧化還原反應,得失電子,使材料的顏色發(fā)生變化電致變色器件的典型結(jié)構(gòu)器件結(jié)構(gòu)從上到下分別為:玻璃或透明基底材料、透明導電層(如:ITO)、電致變色層、電解質(zhì)層、離子存儲層、透明導電層(如:ITO)、玻璃或透明基底材料。器件工作時,在兩個透明導電層之間加上一定的電壓,電致變色層材料在電壓作用下發(fā)生氧化還原反應,顏色發(fā)生變化;而電解質(zhì)層則由特殊的導電材料組成,如包含有高氯酸鋰、高氯酸納等的溶液或固體電解質(zhì)材料;離子存儲層在電致變色材料發(fā)生氧化還原反應時起到儲存相應的反離子,保持整個體系電荷平衡的作用,離子存儲層也可以為一種與前面一層電致...
作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述背板的材質(zhì)包括銅和/或鋁。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.75-6mm;所述靶材表面的硬度為20-30hv;其中,所述靶材的比較大厚度為20-30mm;所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu);所述靶材包括用于濺射的濺射面;所述濺射面包括***平面、第二平面和斜面;所述斜面與水平面的夾角≤10°;所述斜面位于所述***平面和第二平面之間;所述***平面為圓形;所述第二平面為環(huán)形;所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種;所述背板的材質(zhì)包...
目前市場上常見的合金靶材有哪些? 鈦鋁靶材,TiAl靶材,鈦硅靶材,TiSi靶材,鈦鎢靶材,TiW靶材,鎢鈦靶材WTi靶材,鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材,鉻鋁靶材,CrAl靶材,鉻硅靶材,CrSi靶材,硅鋁靶材,SiAl靶材,鋅錫靶材,ZnSn靶材,鋅鋁靶材,ZnAl靶材,鋁銅靶材,AlCu靶材,鎳鉻靶材,NiCr靶材,鎳釩靶材,NiV靶材,鎳鐵靶材,NiFe靶材,鎳銅靶材,NiCu靶材,鐵鈷靶材,FeCo靶材,鈦鈮靶材,TiNb靶材,鈦鋯靶材,TiZr靶材,銦錫靶材,InSn靶材,銅鋯靶材,CuZr靶材,鎂鋅鈣靶材,MgZnCa靶材,鎳鉻銅靶材,NiCrCu靶材,鉬鈮靶材,MoNb靶材,鋁釹...
磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al(AZO)薄膜的工藝探討 目前主要的薄膜太陽能電池有:碲化鎘(CdTe)系薄膜太陽能電池、硒銦銅(CIS)系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、晶硅系薄膜太陽能電池。研究人員研制出了價格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來作為薄膜太陽能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導電薄膜可以增強太陽光的散射作用,改善陷光效果,增加電池對太陽能的吸收量,提高薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點,是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。 目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導電薄...
濺射靶材的分類有哪些?金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材,氮化物陶瓷濺射靶材,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材,硅化物陶瓷濺射靶材,硫化物陶瓷濺射靶材,碲化物陶瓷濺射靶材,其他陶瓷靶材,摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),砷化鉛靶材(PbAs),砷化銦靶材(InAs)。1.金屬靶材:鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶C...
氧化物鍍膜技術(shù)在真空鍍鋁膜中的應用 近年來,迅速發(fā)展微波加熱技術(shù)給微波食品包裝及需經(jīng)微波殺 菌消毒的一類商品的包裝提出了新的要求,即包裝材料不要具有優(yōu)良的阻隔性能,而且還要耐高溫、微波透過性好等特性,傳統(tǒng)的包裝材料很難具備這些特點。因此,近年來日本、德國、美國等國家大力研究開發(fā)新型的高阻隔性包裝材料——SiOX和其它金屬氧化物鍍膜復合材料。這類材料除了阻隔性能可以與鋁塑復合材料相媲美外,同時還具有微波透過性好、耐高溫、透明、受環(huán)境溫度濕度影響小等優(yōu)點。 非金屬鍍膜可采用蒸鍍原料可采用SiOX、SiO2,也可以采用其它氧化物如Al2O3、 MgO、Y2O3、TiO2、Gd2O3等,其中常用的是S...
主要產(chǎn)品:1、鈀 顆粒 99.99%常規(guī)尺寸:φ3*6mm;量大可定做2、鈀 靶材 99.99%?常規(guī)尺寸:φ50*1mm;φ60*3mm;φ76.2*4mm等,尺寸可定做3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸:φ57*0.1mm*0.2mm4、鈀 箔片 99.92mm等,尺寸可定做二、其他:打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工?;厥樟鞒倘缦拢悍Q重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材產(chǎn)品編碼產(chǎn)品名稱規(guī)格應用Sc-I4006鈧x真空熔煉Li-G30610鋰顆粒99.9%φ6*10mm真空熔煉Sr-I2011鍶...
有一部分靶材在安裝之前需要拋光,比如鋁靶材等活性金屬靶材,長期暴露在大氣中,表面容易形成一層氧化皮,在直流脈沖、中頻濺射過程中,離子撞擊的能量不足以破壞氧化皮,所以一般在濺射的時候進行物理拋光。一般靶材拋光后,濺射速率、電壓等工藝參數(shù)比較穩(wěn)定,容易控制。所以結(jié)論就是,活性金屬靶材要求表面拋光,不活潑金屬靶材不一定非要求表面拋光。其他非金屬的靶材不需要拋光。靶材安裝及注意事項有哪些?濺射靶材安裝過程中重要的注意事項是一定要確保在靶材和濺射頭冷卻壁之間建立很好的導熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴重或背板翹曲嚴重會造成靶材安裝時發(fā)生開裂或彎曲,背靶到靶材的導熱性能就會受到很大的影響,導致在濺射過程中...
玫瑰金靶材有哪些? PVD玫瑰金是靠濺射玫瑰金靶形成的,不同的玫瑰金靶配方顏色上有一些區(qū)別,大概分為以下幾種: 1、皇冠金(crown gold),黃金含量在22K(91.667%),由英國亨利八世(1526年)將此比例的黃金用于金幣的鑄造 2、常見的也是典型的18K玫瑰金,黃金含量也在18K(75%),但其它另含有約4%的銀和21%的銅,呈現(xiàn)美麗的淡粉玫瑰色 3、14K紅金,黃金含量在14K(58.33%),其它添加金屬為銅(41.67%)。 有的PVD鍍膜廠玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素,用來達到不同的色調(diào)或用來改變鍍層的性能,這也是市面上每一家PVD廠鍍出的色調(diào)都有一些差異的原因之一...
基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手,將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料,由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大,使得該材料具有形變對電學輸運影響較小且遷移率較高的特點。 利用上述材料優(yōu)勢,采用室溫工藝,在塑料襯底上制作了高性能IGZO 柔性阻變存儲器。器件在連續(xù)十萬次大角度彎折測試中,性能穩(wěn)定,存儲信息未丟失。變溫電學輸運特性的研究表明:阻變行為與氧離子移動密切相關(guān),該存儲器的低阻導電通道由缺氧局域結(jié)構(gòu)組成,而缺氧態(tài)的局部氧化導致了存儲器由低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。 在此基礎上,利用IGZO 非晶薄膜的...
拋光片部分310的厚度均勻。所述拋光片第三部分330的厚度均勻。位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度不均,即所述拋光片第二部分320的厚度不均。拋光片部分310的厚度與所述拋光片第三部分330的厚度相等,均為2mm~3mm。拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為分體的。在其他實施例中,所述拋光片部分、拋光片第二部分及拋光片第三部分還可以為一體成型。靶材拋光裝置100還包括:防護層400,所述防護層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。所述防護層400為彈性材料,能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖,避免所述固定板200觸撞靶材導致靶材受損。本...
PECVD 制備氫化非晶硅薄膜 本實驗采用單晶硅片為襯底,按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干,然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃,工作氣壓120 Pa, 射頻功率100 W, 氣體流量SiH4/H2=15/5 sccm, 沉積時間30min, 制備得到a- Si:H 薄膜樣品。 (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大,膜的均勻性將會變差; (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小,非晶硅薄膜均勻性變好; (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范圍內(nèi),隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大; (4) 隨著濺射...
ITO薄膜制作過程中的影響因素 ITO薄膜在濺鍍過程中會產(chǎn)生不同的特性,有時候表面光潔度比較低,出現(xiàn)“麻點”的現(xiàn)象,有時候會出現(xiàn)高蝕間隔帶,在蝕刻時還會出現(xiàn)直線放射型缺劃或電阻偏高帶,有時候會出現(xiàn)微晶溝縫。 常用的ITO靶材是通過燒結(jié)法生產(chǎn)的,就是由氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)粉末按照一定的比例進行混合,通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2,形成的黑灰色陶瓷半導體(氧化銦錫,ITO)。一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質(zhì)量,深灰色是好的,相反越黑質(zhì)量越差,我國生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。 研究顯示,在真空鍍膜機ITO薄膜濺...
在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征,在不矛盾的情況下,可以通過任何合適的方式進行組合,為了避免不必要的重復,本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。此外,本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合,只要其不違背本發(fā)明的思想,其同樣應當視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。本發(fā)明涉及靶材領(lǐng)域,具體涉及一種長壽命靶材組件。目前,現(xiàn)有的半導體濺射用ilc1013系列靶材的濺射壽命已經(jīng)到了一個極限,為提高靶材的使用壽命,節(jié)省多次更換靶材的重復性?,F(xiàn)有的技術(shù)都是通過磁場強度,把靶材表面設計成曲面來延長壽命,包括靶材本體及基體,所述基體的至少一面設有所述靶材本體,所述靶材本體是由高純度靶材合金粉末通過等...
靶中毒的解決辦法(1)采用中頻電源或射頻電源。(2)采用閉環(huán)控制反應氣體的通入量。(3)采用孿生靶(4)控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應曲線,使進氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些,怎么應對?磁控濺射金屬靶時,無法起輝的原因有很多,常見主要原因有:1.靶材安裝準確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì),打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關(guān)掉機器,把設備的濺射靶卸下來,靶附近的零件仔細清洗一下...
背景技術(shù):濺射鍍膜屬于物相沉積方法制備薄膜的工藝之一,具體是指利用高能粒子轟擊靶材表面,使得靶材原子或分子獲得足夠的能量逸出,并沉積在基材或工件表面,從而形成薄膜。由于背板具有良好的導電導熱性能,且還可以起到固定支撐作用,因此,靶材在鍍膜前需與背板焊接在一起,然后共同裝配至濺射基臺。一般活性金屬靶材,例如鋁靶材,由于長期暴露在空氣中,靶材表面材料容易氧化形成一層氧化皮。在直流脈沖、中頻濺射過程中,離子撞擊的能量不足以破壞該氧化皮,導致靶材原子或分子難以逸出,因此在將靶材安裝至濺射基臺之前,需要對靶材表面進行拋光。此外,對于活性金屬靶材及非活性金屬靶材,拋光操作有利于改善靶材的濺射速率的穩(wěn)定性,...