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靶中毒的解決辦法（1）采用中頻電源或射頻電源。（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。（3）采用孿生靶（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應(yīng)對？磁控濺射金屬靶時(shí)，無法起輝的原因有很多，常見主要原因有：1.靶材安裝準(zhǔn)確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關(guān)掉機(jī)器，把設(shè)備的濺射靶卸下來，靶附近的零件仔細(xì)清洗一下...

磁控濺射離子鍍 (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負(fù)偏壓，利用負(fù)偏壓對離子的吸引和加速作用，是離子鍍與其它鍍膜類型的一個(gè)主要區(qū)別。蒸發(fā)鍍時(shí)基體和工件上加有負(fù)偏壓就是蒸發(fā)離子鍍 ;多弧鍍時(shí)基體和工件上加有負(fù)偏壓就是多弧離子鍍;磁控濺射時(shí)基體和工件上加有負(fù)偏壓就是磁控濺射離子鍍，這是磁控濺射離子鍍技術(shù)的一個(gè)重要特點(diǎn)。 (2)磁控濺射離子鍍是把磁控濺射和離子鍍結(jié)合起來的技術(shù)。在同一個(gè)真空腔體內(nèi)既可實(shí)現(xiàn)氬離子對磁控靶材的穩(wěn)定濺射，又實(shí)現(xiàn)了高能靶材離子在基片負(fù)偏壓作用下到達(dá)基片進(jìn)行轟擊、濺射、注入及沉積作用過程。整個(gè)鍍膜過程都存在離子對基片和工件表面的轟擊，可有效基片和工件表面的氣體和污...

真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。靶中毒的影響因素：影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面...

3D玻璃漸變色的應(yīng)用 3D玻璃漸變色主要應(yīng)用于3C產(chǎn)品，特別是手機(jī)領(lǐng)域。隨著雙玻璃加金屬邊框的盛行，3D后蓋裝飾工藝需要不斷革新?，F(xiàn)有的裝飾工藝主要是在裝飾防爆膜上進(jìn)行鍍膜絲印，再與3D玻璃貼合實(shí)現(xiàn)裝飾效果，外觀裝飾主要還是防爆膜紋理和鍍膜顏色搭配實(shí)現(xiàn)。漸變色效果可以通過多種途徑實(shí)現(xiàn)，包括：印刷、轉(zhuǎn)印、真空鍍膜、噴涂等。由于技術(shù)的瓶頸問題，現(xiàn)在量產(chǎn)的3D玻璃漸變主要有印刷和真空鍍膜兩種途徑。 漸變效果可大致分為同色漸變、鄰近色漸變、對比色漸變。漸變顏色的選擇對于印刷工藝的限制會小一些，選擇范圍更加寬。印刷工藝可以選擇對應(yīng)顏色及對應(yīng)顏色帶范圍進(jìn)行印刷，能夠?qū)崿F(xiàn)較為多元化的色彩沖撞效果，滿足設(shè)計(jì)者...

真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。靶中毒的影響因素：影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面...

PVD技術(shù)常用的方法 PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。 電子束蒸發(fā) 電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。 濺射沉積 濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù)。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。 RF(射頻)濺射 RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進(jìn)行濺射。RF濺射不可以沉積金屬膜，而且可以沉積多...

NCVM不導(dǎo)電膜是什么，它有哪些特點(diǎn)？ NCVM又稱不連續(xù)鍍膜技術(shù)或不導(dǎo)電電鍍技術(shù)，是一種起緣普通真空電鍍的高新技術(shù)。真空電鍍，簡稱VM，是vacuum metallization的縮寫。它是指金屬材料在真空條件下，運(yùn)用化學(xué)、物理等特定手段進(jìn)行有機(jī)轉(zhuǎn)換，使金屬轉(zhuǎn)換成粒子，沉積或吸附在塑膠材料的表面，形成膜，也就是我們所謂的鍍膜。真空不導(dǎo)電電鍍，又稱NCVM，是英文Non conductive vacuum metallization的縮寫。它的加工工藝高于普通真空電鍍，其加工制程比普通制程要復(fù)雜得多。 NCVM特點(diǎn)是采用鍍出金屬及絕緣化合物等薄膜，利用各相不連續(xù)之特性，得到外觀有金屬質(zhì)感且不影...

靶材拋光裝置100還包括：防護(hù)層400，所述防護(hù)層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。防護(hù)層400為彈性材料，能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖，避免所述固定板200觸撞靶材導(dǎo)致靶材受損。防護(hù)層400的厚度為30mm～35mm。若所述防護(hù)層400的厚度過小，所述防護(hù)層400起到的緩沖效果差，難以有效的保護(hù)靶材。若所述防護(hù)層400的厚度過大，使得所述防護(hù)層400的體積過大，進(jìn)而造成所述靶材拋光裝置100的體積過大，對操作者使用所述靶材拋光裝置100帶來不必要的困難。防護(hù)層400的材料。在其他實(shí)施例中，所述防護(hù)層的材料還可以為橡膠或棉花。防護(hù)層400與所述固定板200間通過粘結(jié)劑...

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明提供的靶材拋光裝置的技術(shù)方案中，所述靶材拋光裝置包括：固定板，所述固定板包括頂板和位于所述頂板一側(cè)的側(cè)板；拋光片，位于所述固定板內(nèi)側(cè)面上，其中位于固定板彎折處的拋光片呈弧狀。位于固定板彎折處的拋光片表面適于對靶材經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進(jìn)行拋光，位于側(cè)板上的所述拋光片表面適于對靶材側(cè)壁表面進(jìn)行拋光。所述靶材拋光裝置能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱同時(shí)進(jìn)行拋光，因此所述靶材拋光裝置有助于提高對靶材表面進(jìn)行拋光的作業(yè)效率。可選方案中，所述防護(hù)層為彈性材料，所述防護(hù)層的質(zhì)地軟，能夠在所述固定板及靶材間提供緩沖，避免所述固定板觸撞靶材導(dǎo)致靶材受損。金屬靶...

PVD技術(shù)常用的方法 PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。 電子束蒸發(fā) 電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。 濺射沉積 濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù)。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。 RF(射頻)濺射 RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進(jìn)行濺射。RF濺射不可以沉積金屬膜，而且可以沉積多...

磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實(shí)驗(yàn)采用石英玻璃為襯底，實(shí)驗(yàn)前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機(jī)清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機(jī)中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設(shè)備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預(yù)濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時(shí)間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺...

作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材包括用于濺射的濺射面。 地，所述濺射面包括***平、第二平面和斜面。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面與水平面的夾角≤10°，例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面位于所述***平面和第二平面之間。 地，所述***平面為圓形。 地...

釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；導(dǎo)電膠：采用的導(dǎo)電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍：建議綁定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、靶材太貴的情況等。但下列情況綁定有弊端：1.熔點(diǎn)低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時(shí)候可能會變軟變形；2.貴金屬靶材，一是實(shí)際重量易出現(xiàn)分歧，二是金屬化以及解綁的時(shí)候都會有浪費(fèi)料，建議墊一片銅片。三.背靶的選擇對材質(zhì)的要求：一般選用無氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右；導(dǎo)電性好：常用無氧銅，無氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；強(qiáng)度足夠：太薄，易變形，不易真空密...

靶材的比較大厚度為25mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角為5°；所述斜面位于所述平面和第二平面之間；所述平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鋁；所述背板的材質(zhì)包括鋁。所得靶材組件濺射強(qiáng)度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實(shí)施例2提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為6mm；所述靶材表面的硬度為30hv；其中，所述靶材的比較大厚度為30mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于...

其他服務(wù):打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工服務(wù)?；厥樟鞒倘缦?稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品江陰典譽(yù)新材料科技有限公司，是專業(yè)從事鍍膜材料、合金制備等相關(guān)材料研發(fā)、銷售、服務(wù)為一體的全球化高科技綜合性公司。以業(yè)內(nèi) 企業(yè)為支撐，整合技術(shù)資源，擁有自主進(jìn)出口經(jīng)營權(quán)和成熟的運(yùn)營管理團(tuán)隊(duì)，科學(xué)化管理運(yùn)營，為公司向化、高新化發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。典譽(yù)新材料在光電器件、芯片半導(dǎo)體、太陽能電池、光學(xué)鍍膜、航空航天、 、冶金、功能材料、新能源等行業(yè)產(chǎn)品開發(fā)、創(chuàng)新方面，有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢。以客戶需求為導(dǎo)向，以前沿技術(shù)為基礎(chǔ)，開發(fā)了多個(gè)產(chǎn)品系列，涵蓋濺射靶材、蒸鍍膜料、高純合金、金屬粉末、耗材...

靶材的比較大厚度為25mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角為5°；所述斜面位于所述平面和第二平面之間；所述平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鋁；所述背板的材質(zhì)包括鋁。所得靶材組件濺射強(qiáng)度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實(shí)施例2提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為6mm；所述靶材表面的硬度為30hv；其中，所述靶材的比較大厚度為30mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于...

真空鍍膜設(shè)備維修保養(yǎng)技巧 1、真空鍍膜設(shè)備每完成200個(gè)鍍膜程序以上，應(yīng)清潔工作室一次。 方法：用燒堿(NaOH)飽和溶液反復(fù)擦洗真空室內(nèi)壁，( 注意人體皮膚不可以直接接觸燒堿溶液，以免灼傷)目的是使鍍上去的膜料鋁(AL)與NaOH發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)后膜層脫落，并釋放出氫氣。再用清水清洗真空室和用布沾汽油清洗精抽閥內(nèi)的污垢。 2、當(dāng)粗抽泵(滑閥泵，旋片泵)連續(xù)工作一個(gè)月(雨季減半)，需更換新油。 方法：擰開放油螺栓，放掉舊油，再將泵啟動(dòng)數(shù)秒，使泵內(nèi)的舊油完全排放出來。擰回放油螺栓，加入新油至額定量(油視鏡觀察)。連續(xù)使用半年以上，換油時(shí)應(yīng)將油蓋打開，用布擦干凈箱內(nèi)污垢。 3、擴(kuò)散泵連續(xù)使用6個(gè)月以...

基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對電學(xué)輸運(yùn)影響較小且遷移率較高的特點(diǎn)。 利用上述材料優(yōu)勢，采用室溫工藝，在塑料襯底上制作了高性能IGZO 柔性阻變存儲器。器件在連續(xù)十萬次大角度彎折測試中，性能穩(wěn)定，存儲信息未丟失。變溫電學(xué)輸運(yùn)特性的研究表明：阻變行為與氧離子移動(dòng)密切相關(guān)，該存儲器的低阻導(dǎo)電通道由缺氧局域結(jié)構(gòu)組成，而缺氧態(tài)的局部氧化導(dǎo)致了存儲器由低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。 在此基礎(chǔ)上，利用IGZO 非晶薄膜的...

拋光片部分310的厚度均勻。所述拋光片第三部分330的厚度均勻。位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度不均，即所述拋光片第二部分320的厚度不均。拋光片部分310的厚度與所述拋光片第三部分330的厚度相等，均為2mm～3mm。拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為分體的。在其他實(shí)施例中，所述拋光片部分、拋光片第二部分及拋光片第三部分還可以為一體成型。靶材拋光裝置100還包括：防護(hù)層400，所述防護(hù)層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。所述防護(hù)層400為彈性材料，能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖，避免所述固定板200觸撞靶材導(dǎo)致靶材受損。本...

靶材材質(zhì)對靶濺射電壓的影響 ： 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時(shí)實(shí)現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。 4. 實(shí)際鍍膜過程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機(jī)械尺寸不匹配，同時(shí)選用...

與實(shí)施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為8mm；所得靶材組件濺射強(qiáng)度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。對比例3與實(shí)施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為10hv；所得靶材組件濺射強(qiáng)度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。對比例4與實(shí)施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為35hv；所得靶材組件濺射強(qiáng)度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。通過上述實(shí)施例和對比例的結(jié)果可知，本發(fā)明中，通過調(diào)整靶材表面的高度差及硬度，保證濺射強(qiáng)度，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。申請人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，但本發(fā)明并...

涂布技術(shù)在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用 將涂布技術(shù)與真空鍍鋁技術(shù)結(jié)合起來，通過在基材薄膜或鍍鋁薄膜上涂布功能層，以達(dá)到提高鍍鋁層的附著牢度、耐水煮性能、阻隔性能、裝飾性能等，滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的要求。 一．經(jīng)過等離子預(yù)處理的真空鍍鋁薄膜雖然鍍鋁層牢度有了明顯提高，但對于一些對鍍鋁層附著牢度要求更高，或者需要用于水煮殺 菌條件時(shí)仍然不能滿足要求。為了滿足上述要求，通過在基材薄膜表面涂布一層丙烯酸類的化學(xué)涂層，該涂層不對鍍鋁層有優(yōu)異的粘附性能，同時(shí)可以滿足后續(xù)的水煮殺 菌條件。涂布后的包裝可以滿足巴氏殺 菌的要求，其鍍鋁層不會因?yàn)樗蠖l(fā)生氧化。 二．為進(jìn)一步提高鍍鋁膜的阻隔性能，同時(shí)保護(hù)鍍鋁層在后續(xù)的印刷...

ITO薄膜制作過程中的影響因素 ITO薄膜在濺鍍過程中會產(chǎn)生不同的特性，有時(shí)候表面光潔度比較低，出現(xiàn)“麻點(diǎn)”的現(xiàn)象，有時(shí)候會出現(xiàn)高蝕間隔帶，在蝕刻時(shí)還會出現(xiàn)直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時(shí)候會出現(xiàn)微晶溝縫。 常用的ITO靶材是通過燒結(jié)法生產(chǎn)的，就是由氧化銦（In2O3）和氧化錫（SnO2）粉末按照一定的比例進(jìn)行混合，通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體（氧化銦錫，ITO）。一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質(zhì)量，深灰色是好的，相反越黑質(zhì)量越差，我國生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。 研究顯示，在真空鍍膜機(jī)ITO薄膜濺...

所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512，所述桿狀部511的一端連接所述頂板210，另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直，所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結(jié)構(gòu)有利于操作人員牢固的抓握所述把手510，防止從所述把手510上滑脫。在其他實(shí)施例中，所述固定板200內(nèi)側(cè)面彎折處呈弧狀，所述防護(hù)層400彎折處呈弧狀，位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外，與前一實(shí)施例不同的是，所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分...

濺射靶材的制備方法有哪些？濺射靶材是指通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜設(shè)備在適當(dāng)工藝條件下濺射沉積在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。濺射靶材普遍應(yīng)用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導(dǎo)體、磁記錄、平面顯示、太陽能電池等眾多領(lǐng)域，不同領(lǐng)域需要的靶材各不相同。濺射靶材的制備：濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類，除嚴(yán)格控制材料純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外，對熱處理?xiàng)l件、后續(xù)加工方法等亦需加以嚴(yán)格控制。粉末冶金法：粉末冶金法制備靶材時(shí)，其關(guān)鍵在于：(1)選擇高純、超細(xì)粉末作為原料；(2)選擇能實(shí)現(xiàn)快速致密化的成形燒結(jié)技術(shù)，以保證靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制備過...

根據(jù)客戶需要的比例計(jì)算、配料。（嚴(yán)格按照需求比例進(jìn)行配料，以便保證合金的成分比例，降低公差）；根據(jù)元素的熔點(diǎn)、元素特性、用量等選擇合適的熔煉爐工藝排期、熔煉；熔煉成型，根據(jù)客戶要求大小進(jìn)行破碎、切割等后期處理。高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材規(guī)格說明：產(chǎn)品規(guī)格靶材可定制產(chǎn)品數(shù)量1000包裝說明雙層真空包裝價(jià)格說明1000◆產(chǎn)品說明：高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積脹大，變脆乃至破裂成碎片。原子量：106.4密度（20℃）/g?cm-3：12.02熔點(diǎn)/℃：1552蒸發(fā)溫度/℃：1460沸...

真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。靶中毒的影響因素：影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面...

陰-陽極間距對靶濺射電壓的影響 真空氣體放電陰-陽極間距能夠?qū)Π袨R射電壓造成一定的影響。在陰-陽極間距偏大時(shí)，等效氣體放電的內(nèi)阻主要由等離子體等效內(nèi)阻決定，反之，在陰-陽極間距偏小時(shí)，將會導(dǎo)致等離子體放電的內(nèi)阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點(diǎn)火起輝后進(jìn)入正常濺射時(shí)，如果陰-陽極間距過小，由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負(fù)載特性，就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達(dá)工藝設(shè)定值時(shí)，靶濺射電壓始終很低又調(diào)不起來的狀況?！肮に囆汀卑须娫纯梢愿纳坪蛷浹a(bǔ)這種狀況;而“經(jīng)濟(jì)型”靶電源對這種狀況無能為力。 1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽極間距 對稱雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運(yùn)行...

與實(shí)施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為10hv；所得靶材組件濺射強(qiáng)度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。對比例4與實(shí)施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為35hv；所得靶材組件濺射強(qiáng)度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。通過上述實(shí)施例和對比例的結(jié)果可知，本發(fā)明中，通過調(diào)整靶材表面的高度差及硬度，保證濺射強(qiáng)度，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。申請人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明所選用部件的等...

頂板210與所述側(cè)板220為一體成型。在其他實(shí)施例中，所述頂板與所述側(cè)板還可以采用焊接、螺接或緊密配合方式固定連接。固定板200的材料為合金，具體的，所述固定板200的材料為不銹鋼。在其他實(shí)施例中，所述固定板的材料還可以為金屬。固定板200的厚度為10mm～15mm。若所述固定板200的厚度過大，使得所述固定板200的重量過大，不便于使用，影響操作的靈活性。若所述固定板200的厚度過小，導(dǎo)致所述固定板200的強(qiáng)度和韌性較差，影響所述靶材拋光裝置100的使用壽命。拋光片300表面與靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱相匹配。所述拋光片300表面具有磨砂顆粒，用于增加所述拋光片300與靶材表面間的摩擦力...