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濺射鍍膜不良膜層分析，改善方法： 1.白霧主要表現(xiàn)：膜層外觀一層白霧。 原因分析及改善：（白霧可擦拭）：外層膜松散粗糙；出爐溫差大；潮氣吸附；膜層結(jié)構(gòu)不均勻；反應(yīng)氣體不足/不均勻；外層膜應(yīng)力大等。 （白霧不可擦拭）：殘留臟污；材腐蝕污染；膜層之間不匹配；反應(yīng)氣體不足/不均勻；基材受潮污染；真空室臟有水汽；環(huán)境溫差大。 2.發(fā)蒙主要表現(xiàn)：膜層表面粗糙無(wú)光。 原因分析及改善：設(shè)備漏氣；反應(yīng)氣體故障；膜層過(guò)厚；偏壓故障； 3.色斑主要表現(xiàn)：局部膜色變異。 原因分析及改善：腐蝕，局部折射率改變；前道工程夾具加工方法痕跡（形狀規(guī)則、部位一致、界限分明）； 周轉(zhuǎn)運(yùn)輸庫(kù)存過(guò)程留下痕跡；研...

高純金屬的概念： 任何金屬都不能達(dá)到純?！案呒儭焙汀俺儭本哂邢鄬?duì)的含義，是指技術(shù)上達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。由于技術(shù)的發(fā)展，也常使“超純”的標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)。例如過(guò)去高純金屬的雜質(zhì)為 ppm級(jí)（即百萬(wàn)分之幾）,而超純半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)達(dá)ppb級(jí)（十億分之幾）,并將逐步發(fā)展到以ppt級(jí)（一萬(wàn)億分之幾）表示。實(shí)際上純度以幾個(gè)“9”(N)來(lái)表示（如雜質(zhì)總含量為百萬(wàn)分之一，即稱為6個(gè)“9”或6N），是不完整概念，如電子器件用的超純硅以金屬雜質(zhì)計(jì)算，其純度相當(dāng)于9 個(gè)“9”。 但如計(jì)入碳，則可能不到6個(gè)“9”?！俺儭钡南鄬?duì)名詞是指“雜質(zhì)”，廣義的雜質(zhì)是指化學(xué)雜質(zhì)（元素）及“物理雜質(zhì)”，后者是指位錯(cuò)及空位等，而化學(xué)雜質(zhì)是...

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有：靶面磁場(chǎng)、靶材材質(zhì)、氣體壓強(qiáng)、陰-陽(yáng)極間距等。本文詳細(xì)分析這些因素距對(duì)靶濺射電壓的影響。 一、 靶面磁場(chǎng)對(duì)靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓，隨著靶面磁場(chǎng)的增加而降低，也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因?yàn)榘械臑R射刻蝕槽面會(huì)越來(lái)越接近靶材后面的磁鋼的強(qiáng)磁場(chǎng)。因此，靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強(qiáng)的磁場(chǎng)中使用。 2. 鐵磁性靶材會(huì)對(duì)磁控靶的濺射造成影響，由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過(guò)，使靶材表面磁場(chǎng)減少，需要很高電壓才能讓靶面點(diǎn)火起輝。除非磁場(chǎng)非常的強(qiáng)，否則磁性材靶材必須比非...

（2）金屬靶材與化合物靶材本來(lái)濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來(lái)就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。5、靶中毒的解決辦法（1）采用中頻電源或射頻電源。（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。（3）采用孿生靶（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。濺射過(guò)程不影響靶材合金、混合材質(zhì)的比例和性質(zhì)。南京氮化鈦靶靶磁控濺射離子鍍 (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負(fù)偏壓，利用負(fù)偏壓...

真空離子鍍的耐腐蝕性： 金屬零件是要銹蝕的，但如果零件上鍍有一層防蝕鍍層，就能防止零件生銹。由于離子鍍所獲得的鍍層致密度高，少，耐腐蝕性能好，并能沉積許多其他工藝至今不能沉積的優(yōu)良防腐蝕鍍層。因此，離子鍍目前在鍍防腐蝕材料方面應(yīng)用廣。如水上飛機(jī)的壁板及其他外表零件，可用此法鍍復(fù)防止鹽霧和海水腐蝕的防蝕鍍層;與鋁合金零件相配合的其他材料零件也可用此法鍍鋁，以防止電位差腐蝕。此外，隨著飛機(jī)飛行速度和高度的提高以及宇宙探索的進(jìn)展，鈦合金的應(yīng)用越來(lái)越多，如果仍象鋁合金零件那樣采用鍍鎘防腐蝕，使用中就有鎘脆的危險(xiǎn);但如若鍍以三氧化二鋁，則能完全滿足要求。不過(guò)電鍍等工藝是無(wú)法鍍這種材料的。離子鍍卻...

真空離子鍍耐高溫性能： 航空零件，特別是許多發(fā)動(dòng)機(jī)零件往往需要在高溫下工作。例如渦輪葉片及導(dǎo)向葉片工作溫度通常在攝氏一千度左右，有的甚至達(dá)攝氏一千四百度。神話小說(shuō)《西游記》里孫悟空被太上老君放在爐內(nèi)燒煉時(shí)，恐怕也達(dá)不到這么高的溫度吧。現(xiàn)代航空發(fā)動(dòng)機(jī)零件在這樣高的溫度下工作，依賴零件基體材料本身的性能是很難滿足要求的。那么，發(fā)動(dòng)機(jī)零件怎樣才能不怕高溫?zé)g呢?目前除在零件結(jié)構(gòu)上采取措施(如采用空心冷卻葉片、發(fā)散冷卻葉片等)以外，大都需用耐熱鍍層進(jìn)行保護(hù)。離子鍍對(duì)于沉積耐熱膜有相當(dāng)多的優(yōu)點(diǎn)，能鍍各種高熔點(diǎn)材料，如氧化鋁、氧化硅、氧化鈹、鉿合金等。合金鍍層的成份也比較容易控制，適合于鍍成分較復(fù)...

磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實(shí)驗(yàn)采用石英玻璃為襯底，實(shí)驗(yàn)前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機(jī)清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機(jī)中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設(shè)備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預(yù)濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時(shí)間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺...

購(gòu)買靶材的注意事項(xiàng)有哪些許多用戶在采購(gòu)靶材時(shí)沒有從專業(yè)的角度去考慮，下面為大家指出購(gòu)買靶材時(shí)需要注意的事項(xiàng)。對(duì)于所有的金屬來(lái)說(shuō)，純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，靶材的純度對(duì)后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。但是每一個(gè)產(chǎn)品對(duì)靶材的純度要求也有不相同的地方。其次就是靶材的雜質(zhì)含量。在經(jīng)過(guò)一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因?yàn)橛锰幉灰粯?，所以不同用途的靶材?duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現(xiàn)在的半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。 使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。蘇州高...

靶材材質(zhì)對(duì)靶濺射電壓的影響 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對(duì)磁控靶的正常濺射電壓會(huì)產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過(guò)程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時(shí)實(shí)現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。 4. 實(shí)際鍍膜過(guò)程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽(yáng)極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機(jī)械尺寸不匹配，同時(shí)選用了輸出特性較軟的...

而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。三．真空鍍膜中靶材中毒會(huì)出現(xiàn)哪些想象，如何解決？1、靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反...

為高技術(shù)制高點(diǎn)的芯片產(chǎn)業(yè)中，濺射靶材是超大規(guī)模集成電路制造的必需原材料。它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。靶材是濺射過(guò)程的重點(diǎn)材料。集成電路中單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成，其中，介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝，因此濺射靶材是制備集成電路的重點(diǎn)材料之一。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等，要求靶材純度很高，一般在5N（）以上。靶材分類...

真空鍍膜設(shè)備替代電鍍?cè)O(shè)備是發(fā)展的必然 2012年全國(guó)化學(xué)電鍍產(chǎn)生的污水和重金屬排放量達(dá)到3.5億噸，固體廢物達(dá)到4.1萬(wàn)噸，酸性氣體達(dá)到2.3萬(wàn)立方米，由于真空鍍膜設(shè)備逐漸應(yīng)用到市場(chǎng)上，污染排放量比2011年有所下降，但仍是一個(gè)不可忽視的數(shù)據(jù)，為處理這大量的污染，大部分企業(yè)已投放了共5868.1億元在污水治理方面，464.8億元在固體廢物治理方面，974.9億元在酸性氣體治理方面，但仍然有部分企業(yè)沒有完善治理措施，造成大量污染。 使用真空鍍膜設(shè)備進(jìn)行電鍍可以有效改善污染情況，它不像化學(xué)電鍍需要使用重金屬溶液和酸性溶液進(jìn)行鍍膜，而是在真空環(huán)境下利用蒸發(fā)或?yàn)R射方式進(jìn)行鍍膜，...

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來(lái)研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究?jī)r(jià)值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國(guó)內(nèi)外認(rèn)為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现弧Ｒ虼?，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制...

什么是真空鍍鋁膜，應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？ 真空鍍鋁薄膜是在薄膜基材的表面附著而形成復(fù)合薄膜的一種工藝，我國(guó)鍍鋁膜產(chǎn)能已達(dá)到40萬(wàn)噸。主要用于風(fēng)味食品、日用品、農(nóng)產(chǎn)品、藥品、化妝品的包裝。 真空鍍鋁薄膜是在高真空條件下，以電阻、高頻或電子束等加熱方式使鋁熔化蒸發(fā)，在薄膜基材的表面附著而形成復(fù)合薄膜的一種工藝。在塑料薄膜或紙張表面鍍上一層極薄的金屬鋁即成為鍍鋁薄膜或鍍鋁紙。 用于包裝上的真空鍍鋁薄膜具有鋁材用量少、耐折疊性高、阻隔性能高、抗靜電等特點(diǎn)，使鍍鋁薄膜成為一種性能優(yōu)良、經(jīng)濟(jì)美觀的新型復(fù)合薄膜，在許多方面已取代了鋁箔復(fù)合材料。主要用于風(fēng)味食品、日用品、農(nóng)產(chǎn)品、藥品、化妝品等的包裝。 ...

濺射過(guò)程不影響靶材合金、混合材質(zhì)的比例和性質(zhì)，所以如果是表面容易變質(zhì)的靶材，如果不拋光去除表面變質(zhì)部分，沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。有一部分靶材在安裝之前需要拋光，比如鋁靶材等活性金屬靶材，長(zhǎng)期暴露在大氣中，表面容易形成一層氧化皮，在直流脈沖、中頻濺射過(guò)程中，離子撞擊的能量不足以破壞氧化皮，所以一般在濺射的時(shí)候進(jìn)行物理拋光。一般靶材拋光后，濺射速率、電壓等工藝參數(shù)比較穩(wěn)定，容易控制。所以結(jié)論就是，活性金屬靶材要求表面拋光，不活潑金屬靶材不一定非要求表面拋光。其他非金屬的靶材不需要拋光。為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。上海鑭鈣錳氧靶作用靶（2）金屬靶材...

什么是3D玻璃？ 現(xiàn)在數(shù)碼產(chǎn)品使用的玻璃蓋板分為：2D玻璃，2.5D玻璃，還有3D玻璃。2D玻璃就是普通的純平面玻璃，沒有任何弧形設(shè)計(jì)；2.5D玻璃則為中間是平面的，但邊緣是弧形設(shè)計(jì)；而3D屏幕，無(wú)論是中間還是邊緣都采用弧形設(shè)計(jì)。 3D曲面玻璃的特色符合 3C 產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求。3C 產(chǎn)品設(shè)計(jì)如智能手機(jī)、智能手表、平板計(jì)算機(jī)、可穿戴式智能產(chǎn)品、儀表板等陸續(xù)出現(xiàn) 3D 產(chǎn)品，已經(jīng)明確引導(dǎo)3D曲面玻璃發(fā)展方向。3D曲面玻璃輕薄、透明潔凈、抗指紋、防眩光、堅(jiān)硬、耐刮傷、耐候性佳等優(yōu)點(diǎn)，可型塑做出3D多形狀外觀具有產(chǎn)品特殊設(shè)計(jì)新穎性與質(zhì)感佳，又可增加弧形邊緣觸控功能帶來(lái)出色的觸控手感、無(wú)線充電機(jī)能，并能解...

靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。4、靶中毒的物理解釋（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶中毒...

NCVM不導(dǎo)電膜是什么，它有哪些特點(diǎn)？ NCVM又稱不連續(xù)鍍膜技術(shù)或不導(dǎo)電電鍍技術(shù)，是一種起緣普通真空電鍍的高新技術(shù)。真空電鍍，簡(jiǎn)稱VM，是vacuum metallization的縮寫。它是指金屬材料在真空條件下，運(yùn)用化學(xué)、物理等特定手段進(jìn)行有機(jī)轉(zhuǎn)換，使金屬轉(zhuǎn)換成粒子，沉積或吸附在塑膠材料的表面，形成膜，也就是我們所謂的鍍膜。真空不導(dǎo)電電鍍，又稱NCVM，是英文Non conductive vacuum metallization的縮寫。它的加工工藝高于普通真空電鍍，其加工制程比普通制程要復(fù)雜得多。 NCVM特點(diǎn)是采用鍍出金屬及絕緣化合物等薄膜，利用各相不連續(xù)之特性，得到外觀有金屬質(zhì)感且...

鈀，是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.00...

涂布技術(shù)在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用 將涂布技術(shù)與真空鍍鋁技術(shù)結(jié)合起來(lái)，通過(guò)在基材薄膜或鍍鋁薄膜上涂布功能層，以達(dá)到提高鍍鋁層的附著牢度、耐水煮性能、阻隔性能、裝飾性能等，滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的要求。 一．經(jīng)過(guò)等離子預(yù)處理的真空鍍鋁薄膜雖然鍍鋁層牢度有了明顯提高，但對(duì)于一些對(duì)鍍鋁層附著牢度要求更高，或者需要用于水煮殺 菌條件時(shí)仍然不能滿足要求。為了滿足上述要求，通過(guò)在基材薄膜表面涂布一層丙烯酸類的化學(xué)涂層，該涂層不對(duì)鍍鋁層有優(yōu)異的粘附性能，同時(shí)可以滿足后續(xù)的水煮殺 菌條件。涂布后的包裝可以滿足巴氏殺 菌的要求，其鍍鋁層不會(huì)因?yàn)樗蠖l(fā)生氧化。 二．為進(jìn)一步提高鍍鋁膜的阻隔性能，同時(shí)保護(hù)鍍鋁層在后續(xù)的印刷...

濺射靶材的分類有哪些？金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(Pb As)，砷化銦靶材(InAs)。1.金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、...

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對(duì)所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時(shí)間、氬氣氣壓等因素對(duì)非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨濺射功率、濺射時(shí)間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對(duì)制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時(shí)間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對(duì)不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生...

磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實(shí)驗(yàn)采用石英玻璃為襯底，實(shí)驗(yàn)前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機(jī)清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機(jī)中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設(shè)備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預(yù)濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時(shí)間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺...

真空離子鍍厚功能鍍膜代替現(xiàn)行電鍍 真空離子鍍厚特性： (1)不用酸堿鹽、不用物、不產(chǎn)生六價(jià)鉻，沒有三廢排放，對(duì)環(huán)境沒有污染，對(duì)人體旡害。 (2)鍍膜附著性好不易脫落，有過(guò)渡層。 (3)可鍍制厚功能鍍膜有耐磨、耐蝕、耐熱及特殊性能等鍍膜。 (4)鍍膜硬度可達(dá)Hv2000左右, 可據(jù)要求而定。 (5)鍍膜厚度可達(dá)40微米以上，可據(jù)要求而定。 (6)工件基材鋼鐵為主，有色金屬及其合金也可據(jù)要求采用。 應(yīng)用領(lǐng)域：活塞環(huán)、軸承軸瓦、葉片、搬手、篩具、壓鑄模具、 量具、絞刀、絲錐、 板牙、五金工具、機(jī)床頂針、一般耐磨件、鉗子口、零件修復(fù)等等。 陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜...

基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲(chǔ)器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對(duì)電學(xué)輸運(yùn)影響較小且遷移率較高的特點(diǎn)。 利用上述材料優(yōu)勢(shì)，采用室溫工藝，在塑料襯底上制作了高性能IGZO 柔性阻變存儲(chǔ)器。器件在連續(xù)十萬(wàn)次大角度彎折測(cè)試中，性能穩(wěn)定，存儲(chǔ)信息未丟失。變溫電學(xué)輸運(yùn)特性的研究表明：阻變行為與氧離子移動(dòng)密切相關(guān)，該存儲(chǔ)器的低阻導(dǎo)電通道由缺氧局域結(jié)構(gòu)組成，而缺氧態(tài)的局部氧化導(dǎo)致了存儲(chǔ)器由低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。 在此基礎(chǔ)上，利用IGZO 非晶薄...

規(guī)格說(shuō)明： 產(chǎn)品規(guī)格 靶材可定制 產(chǎn)品數(shù)量 1000 包裝說(shuō)明 雙層真空包裝 價(jià)格說(shuō)明 1000 ◆ 產(chǎn)品說(shuō)明： 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 鈀，是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率...

真空鍍膜離子鍍簡(jiǎn)析 真空鍍膜離子鍍，電鍍混合廢水處理生化過(guò)程與傳統(tǒng)的物理和化學(xué)過(guò)程，生物絮凝劑之間的區(qū)別可連續(xù)操作過(guò)程中的育種，生物絮凝劑，以去除金屬離子與生物絮凝增加量的增加的劑量，傳統(tǒng)的離子交換過(guò)程中的離子交換樹脂的交換容量是有限的，飽和吸附后，不再能夠除去金屬離子。 一種離子鍍系統(tǒng)，以基片作為陰極，陽(yáng)極殼，惰性氣體(氬氣)，以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源的分子通過(guò)等離子體的電離區(qū)域。的正離子被加速襯底臺(tái)到襯底表面上的負(fù)電壓?；瘜W(xué)沉淀法，化學(xué)主體的影響是一定的，沒有它們的增殖。離子鍍工藝結(jié)合蒸發(fā)(高沉積速率)和濺射層(良好的薄膜粘合)的工藝特點(diǎn)，并具有很好的衍射，對(duì)于形狀復(fù)雜的工件涂層。 ...

純度純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的性能影響很大。不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”、8”發(fā)展到12”,而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。2.雜質(zhì)含量靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。靶中毒的解決辦...

靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。4、靶中毒的物理解釋（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶中毒...

靶材材質(zhì)對(duì)靶濺射電壓的影響 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對(duì)磁控靶的正常濺射電壓會(huì)產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過(guò)程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時(shí)實(shí)現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。 4. 實(shí)際鍍膜過(guò)程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽(yáng)極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機(jī)械尺寸不匹配，同時(shí)選用了輸出特性較軟的...