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【真空蒸鍍的歷史】：1857年Michael FaradayZui早提出基本原理，而后、1930年代由于油擴(kuò)散式真空泵實(shí)用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時(shí)，其他的光學(xué)機(jī)器對(duì)材料的需求提高，真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】：在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標(biāo)物體表面，形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外，樹脂與玻璃也可以使用、近...

【離子鍍膜法之射頻離子鍍】： 射頻離子鍍(RFIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)?、乙炔等離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配較困難?？蓱?yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、裝飾品、汽車零件等。射頻離子鍍膜設(shè)備對(duì)周遭環(huán)境沒有不利影響，符合現(xiàn)代綠色制造的工業(yè)發(fā)展方向。目前，該類型設(shè)備已經(jīng)guang泛用在硬質(zhì)合金立銑刀、可轉(zhuǎn)位銑刀、焊接工具、階梯鉆、鉆頭、鉸刀、油孔鉆、車刀、異型刀具、絲錐等工具的鍍膜處理上。 此外，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍，感應(yīng)離子加熱鍍，集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍...

【真空鍍膜簡(jiǎn)介】： 真空（vacuum）是一種沒有任何物質(zhì)的空間狀態(tài)，因?yàn)檎婵罩袥]有介質(zhì)，所以像聲音這種需要介質(zhì)傳遞的能量在真空中是無(wú)法傳播的。1654年當(dāng)時(shí)的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國(guó)雷根斯堡進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)，從而證明了真空是存在的?，F(xiàn)在我們所說(shuō)的真空并不是指空間內(nèi)沒有任何物質(zhì)，而是指在一個(gè)既定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)，我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空?，F(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進(jìn)行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。 在當(dāng)今電子行業(yè)，很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝，雖然我國(guó)的真空鍍膜技術(shù)起步較晚，但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見問(wèn)題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去...

【真空鍍膜改善基片與膜的結(jié)合】： 1. 加強(qiáng)去油去污處理，如是超聲波清洗，重點(diǎn)考慮去油，若是手擦，考慮先用碳酸鈣粉擦再清擦； 2. 加強(qiáng)鍍前烘烤； 3. 有條件時(shí)，機(jī)組安裝冷凝及（POLYCOLD）； 4. 提高真空度； 5. 有條件時(shí)，機(jī)組安裝離子源； 6. 膜料的去潮； 7. 保持工作環(huán)境的干燥； 8. 對(duì)于多層膜，在膜系設(shè)計(jì)時(shí)，就要考慮第yi層膜與基片的匹配； 9. 采取研磨液復(fù)新去除鏡片表面的腐蝕層； 10. 有時(shí)候適當(dāng)降低蒸發(fā)速率對(duì)膜強(qiáng)度的提高有幫助，對(duì)提高膜表面光滑度有積極意義。 真空鍍膜設(shè)備廠家排名。天津真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有...

【真空鍍膜電阻加熱蒸發(fā)法】： 電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過(guò)，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的Zui高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來(lái)，為了提高加熱器的壽命，國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。 真空鍍膜設(shè)備真空度多少？北京uv噴涂真...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： 白霧形成在膜內(nèi)，無(wú)法用擦拭方法去除。 可能成因： 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料，可能對(duì)某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進(jìn)罩前（洗凈后）受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良，洗凈痕跡，擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過(guò)重 9. 環(huán)境濕度大 改善對(duì)策：基片本身的問(wèn)題可能時(shí)主要的鍍膜室盡量彌補(bǔ)，鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問(wèn)題。 1. 改進(jìn)膜系，第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開門時(shí)間 3. 真空室在更換護(hù)板、清潔后，Zui好能空罩抽真空烘烤一...

【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看，物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被guang泛應(yīng)用，這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過(guò)程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)...

【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】： 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu)，表面硬度不高，容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括： 1. 在膜系設(shè)計(jì)允許的條件下，膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層，二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂）。鍍膜后離子轟擊幾分鐘，牢固度效果會(huì)更好。（但表面會(huì)變粗） 2. 鏡片取出真空室后，放置在較為干燥潔凈的地方，防止鏡片快速吸潮，表面硬度降低。 真空鍍膜設(shè)備品牌推薦。云南真空鍍膜設(shè)備前景【離子鍍膜法之射頻離子鍍】： 射頻離子鍍(RFIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見問(wèn)題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去...

【真空鍍膜改善薄膜應(yīng)力】： 1. 鍍后烘烤，Zui后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時(shí)間適當(dāng)延長(zhǎng)，退火時(shí)效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過(guò)大帶來(lái)的熱應(yīng)力。 3. 對(duì)高反膜、濾光膜等在蒸鍍過(guò)程中，基片溫度不宜過(guò)高，高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對(duì)氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負(fù)面影響。 4. 鍍膜過(guò)程離子輔助，減少應(yīng)力。 5. 選擇合適的膜系匹配，第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率。 7. 對(duì)氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進(jìn)氣量。 真空鍍膜設(shè)備技術(shù)教程。貴州小型真空鍍膜設(shè)備【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： ...

【真空鍍膜真空的基本概念】： 真空的劃分： 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 Ns,則反射率會(huì)提高（Ns為基底），若Nf

【真空鍍膜設(shè)備撿漏方法】: 檢漏方法很多，根據(jù)被檢件所處的狀態(tài)可分為充壓檢漏法、真空檢漏法及其它檢漏法。 充壓檢漏法：在被檢件內(nèi)部充入一定壓力的示漏物質(zhì)，如果被檢件上有漏孔，示漏物質(zhì)便從漏孔漏出，用一定的方法或儀器在被檢件外部檢測(cè)出從漏孔漏出的示漏物質(zhì)，從而判定漏孔的存在、位置及漏率的大小，此即充壓檢漏法。 真空檢漏法：被檢件和檢漏器的敏感元件處于真空狀態(tài)，在被檢件的外部施加示漏物質(zhì)，如果有漏孔，示漏物質(zhì)就會(huì)通過(guò)漏孔進(jìn)入被檢件和敏感元件的空間，由敏感元件檢測(cè)出示漏物質(zhì)，從而可以判定漏孔的存在、位置利漏率的大小，這就是真空檢漏法。 其它檢漏法：被檢件既不充壓也不抽真空，或其外部受壓等方法歸入其它...

【真空鍍膜電子束蒸發(fā)法】： 電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。 【真空鍍膜激光蒸發(fā)法】： 采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡(jiǎn)化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對(duì)被鍍材料的污染，達(dá)到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā)。這對(duì)于保證...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見問(wèn)題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去...

【真空鍍膜改善薄膜應(yīng)力】： 1. 鍍后烘烤，Zui后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時(shí)間適當(dāng)延長(zhǎng)，退火時(shí)效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過(guò)大帶來(lái)的熱應(yīng)力。 3. 對(duì)高反膜、濾光膜等在蒸鍍過(guò)程中，基片溫度不宜過(guò)高，高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對(duì)氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負(fù)面影響。 4. 鍍膜過(guò)程離子輔助，減少應(yīng)力。 5. 選擇合適的膜系匹配，第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率。 7. 對(duì)氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進(jìn)氣量。 真空鍍膜設(shè)備培訓(xùn)資料。海南真空鍍膜設(shè)備技術(shù)參數(shù)【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十...

【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】： 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu)，表面硬度不高，容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括： 1. 在膜系設(shè)計(jì)允許的條件下，膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層，二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂）。鍍膜后離子轟擊幾分鐘，牢固度效果會(huì)更好。（但表面會(huì)變粗） 2. 鏡片取出真空室后，放置在較為干燥潔凈的地方，防止鏡片快速吸潮，表面硬度降低。 真空鍍膜設(shè)備升級(jí)改造。北京af真空鍍膜設(shè)備廠家【真空鍍膜設(shè)備的分類】： 這個(gè)問(wèn)題如果在十年之前，其實(shí)是很容易回答的，就是兩個(gè)大類，物理沉積設(shè)備和化學(xué)沉積設(shè)備?，F(xiàn)在這樣...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之灰點(diǎn)臟】： 現(xiàn)象：鏡片膜層表面或內(nèi)部有一些電子（不是膜料點(diǎn)），有些可擦除，有些不能擦除。并且會(huì)有點(diǎn)狀脫膜產(chǎn)生。 原因： 1. 真空室臟 2. 鏡圈或碟片臟 3. 鏡片上傘時(shí)就有灰塵點(diǎn)，上傘時(shí)沒有檢查挑選。 4. 鍍制完成后的環(huán)境污染是膜外灰點(diǎn)的主要成因，特別是當(dāng)鏡片熱的時(shí)候，更容易吸附灰塵，而且難以擦除。 改善思路：杜絕灰塵源 1. 工作環(huán)境改造成潔凈車間，嚴(yán)格按潔凈車間規(guī)范實(shí)施。 2. 盡可能做好環(huán)境衛(wèi)生。盡量利用潔凈工作臺(tái)。 3. 真空室周期打掃，保持清潔。 真空鍍膜設(shè)備為什么會(huì)越來(lái)越慢？浙江騰工米尼真空鍍膜設(shè)備有限公司【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善...

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之機(jī)器故障和人為中斷】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測(cè)試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷： 模擬：根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片（測(cè)試比較片）實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測(cè)試比較片是指隨鏡片一起鍍制（在傘片上、與鏡片同折射率），用于測(cè)...

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之機(jī)器故障和人為中斷】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測(cè)試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷： 模擬：根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片（測(cè)試比較片）實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測(cè)試比較片是指隨鏡片一起鍍制（在傘片上、與鏡片同折射率），用于測(cè)...

【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對(duì)比】： 靶材利用率（TU）：是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材質(zhì)量（Kg）—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注：①：磁控濺射靶材利用率稍低，電壓要求低，電流會(huì)高，濺射率提高，增加生產(chǎn)效率，降低成本。 ②：靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材，防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射（金屬箔片、連接片、陰極） 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別： ①：靶材利用率不同 ②：濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③：放電電流和放電電壓不同 ④：濺射率不同：磁控濺射有更短的沉積時(shí)間，更高的沉積量和更短沉積周期。真空鍍膜設(shè)備品牌有很多，你如何選擇？貴州定制真空鍍膜設(shè)備【真空鍍...

【真空鍍膜真空的基本概念】： 真空的劃分： 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 Ns,則反射率會(huì)提高（Ns為基底），若Nf

【真空鍍膜機(jī)常見故障】: 一、 當(dāng)正在鍍膜室真空突然下降 1. 蒸發(fā)源水路膠圈損壞（更換膠圈） 2. 坩堝被打穿（更換坩堝） 3. 高壓電極密封處被擊穿（更換膠圈） 4. 工轉(zhuǎn)動(dòng)密封處膠圈損壞（更換膠圈） 5. 預(yù)閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞（更換二位五通閥） 6. 高閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞（更換二位五通閥） 7. 機(jī)械泵停機(jī)可能是繼電器斷開（檢查繼電器是否工作正常） 8. 烘烤引入線電極密封處被擊穿（更換膠圈） 9. 擋板動(dòng)密封處膠圈損壞（更換膠圈） 10. 玻璃觀察視鏡出現(xiàn)裂紋、炸裂（更換玻璃） 二、長(zhǎng)期工作的鍍膜機(jī)抽真空的時(shí)間很長(zhǎng)且達(dá)不到工作真空、恢復(fù)真空、極限真空、保真空： ...

【真空鍍膜改善薄膜應(yīng)力】： 1. 鍍后烘烤，Zui后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時(shí)間適當(dāng)延長(zhǎng)，退火時(shí)效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過(guò)大帶來(lái)的熱應(yīng)力。 3. 對(duì)高反膜、濾光膜等在蒸鍍過(guò)程中，基片溫度不宜過(guò)高，高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對(duì)氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負(fù)面影響。 4. 鍍膜過(guò)程離子輔助，減少應(yīng)力。 5. 選擇合適的膜系匹配，第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率。 7. 對(duì)氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進(jìn)氣量。 真空鍍膜設(shè)備國(guó)內(nèi)有哪些產(chǎn)商？四川大型真空鍍膜設(shè)備【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可...

【濺射鍍膜定義】： 定義：所謂濺射，就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下，形成氣體等離子體（輝光放電），其中的陽(yáng)離子在電場(chǎng)力作用下高速向靶材沖擊，陽(yáng)離子和靶材進(jìn)行能量交換，使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出（其中逸出的還可能包含靶材離子）。這一整個(gè)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時(shí)，將其部分能量傳輸給表層晶格原子，引起靶材中原子的運(yùn)動(dòng)。有的原子獲得能量后從晶格處移位，并克服了表面勢(shì)壘直接發(fā)生濺射；有的不能脫離晶格的束縛，只能在原位做振動(dòng)并波及周圍原子，結(jié)果使靶的溫度升高；而有的原子獲得足夠大的能量后產(chǎn)生一次反沖，將其臨近的原子碰撞移位，反沖繼續(xù)下去產(chǎn)生高次反沖，這一過(guò)程稱為級(jí)...

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之其他情況】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測(cè)試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況： 對(duì)于用錯(cuò)程序，錯(cuò)誤操作（預(yù)熔未關(guān)閉擋板等）人為中斷需要補(bǔ)救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補(bǔ)救的情況處理方案： 模擬：將實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值。通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認(rèn)），找到與實(shí)現(xiàn)測(cè)試值結(jié)果相應(yīng)的膜系數(shù)據(jù)。...

【真空鍍膜真空濺射法】： 真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來(lái)，被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，容易控制。 主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。 真空鍍膜設(shè)備的主要應(yīng)用。河北車燈真空鍍膜設(shè)備維修【離子...

【真空鍍膜簡(jiǎn)介】： 真空（vacuum）是一種沒有任何物質(zhì)的空間狀態(tài)，因?yàn)檎婵罩袥]有介質(zhì)，所以像聲音這種需要介質(zhì)傳遞的能量在真空中是無(wú)法傳播的。1654年當(dāng)時(shí)的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國(guó)雷根斯堡進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)，從而證明了真空是存在的?，F(xiàn)在我們所說(shuō)的真空并不是指空間內(nèi)沒有任何物質(zhì)，而是指在一個(gè)既定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)，我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空?，F(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進(jìn)行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。 在當(dāng)今電子行業(yè)，很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝，雖然我國(guó)的真空鍍膜技術(shù)起步較晚，但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件...

【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】： 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu)，表面硬度不高，容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括： 1. 在膜系設(shè)計(jì)允許的條件下，膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層，二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂）。鍍膜后離子轟擊幾分鐘，牢固度效果會(huì)更好。（但表面會(huì)變粗） 2. 鏡片取出真空室后，放置在較為干燥潔凈的地方，防止鏡片快速吸潮，表面硬度降低。 真空鍍膜設(shè)備故障解決方法？新疆高真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜色差異】： 膜色差異有兩種（不含色斑），一種時(shí)整罩上、中、下膜色不一致，即分光...

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生...