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所述傳動腔的上側(cè)開設(shè)有皮帶腔，所述皮帶腔的底壁上轉(zhuǎn)動設(shè)有豎軸，所述第二螺桿向上延伸部分伸入所述皮帶腔內(nèi)，所述第二螺桿與所述豎軸之間傳動連接設(shè)有皮帶傳動裝置，所述豎軸向下延伸部分伸入所述動力腔內(nèi)，且其底面固設(shè)有***齒輪，位于所述動力腔內(nèi)的所述***螺桿...

f1為超聲波或兆聲波的頻率。根據(jù)公式(10)和(11)，內(nèi)爆周期數(shù)ni和內(nèi)爆時間τi可以被計算出來。表1為內(nèi)爆周期數(shù)ni、內(nèi)爆時間τi和(δt–δt)的關(guān)系，假設(shè)ti＝3000℃，δt＝℃，t0＝20℃，f1＝500khz，f1＝1mhz，及f1＝2m...

所述切割腔靠下位置向前開口設(shè)置，所述切割腔的底面上前后滑動設(shè)有接收箱，所述接收箱內(nèi)設(shè)有開口向上的接收腔，所述接收腔與所述切割腔連通，所述接收腔內(nèi)存有清水，所述接收箱的前側(cè)面固設(shè)有手拉桿。進一步的技術(shù)方案，所述動力機構(gòu)包括固設(shè)在所述動力腔底壁上的第三電機...

使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該**...

本發(fā)明涉及半導體加工制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統(tǒng)。背景技術(shù)：半導體缺陷檢測系統(tǒng)是半導體器件制作前用于識別襯底或外延層缺陷數(shù)量、沾污面積、表面顆粒物數(shù)量，從而進行襯底或外延層的篩選，器件制造良率的計算，是半導體器件制作的...

在步驟10010中，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近。在步驟10020中，將清洗液，可以是化學液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟10030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉(zhuǎn)以進行清洗工藝。在步驟10040中，頻率為f1以...

圖11a所示的實施例是圖8a所示的結(jié)構(gòu)800，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，剖面1100可以適用于結(jié)構(gòu)900或1000，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀。舉例來...

非脈沖模式)時晶圓上的通孔或槽確定沒有被清洗干凈；第四步是采用sems或元素分析工具如edx檢測以上五片晶圓的通孔或槽內(nèi)的可追蹤的殘留物狀態(tài)。步驟一至步驟四可以重復(fù)數(shù)次以逐步縮短時間τ2直到觀察到通孔或槽內(nèi)的可追蹤殘留物。由于時間τ2被縮短，氣泡的體積...

氣穴振蕩是一種混沌現(xiàn)象。空化氣泡的產(chǎn)生及其破裂受到很多物理參數(shù)的影響。這些猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖案結(jié)構(gòu)(鰭結(jié)構(gòu)、槽和通孔)。在傳統(tǒng)的超聲波或兆聲波清洗過程中，只有當功率足夠高，例如大于5-10瓦時，才會產(chǎn)生***的顆粒去...

該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當中。在一實施例中，為了設(shè)計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng)，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積?？偵纤觯旧暾?zhí)峁┝司哂袕姸容^大的基板結(jié)構(gòu)的芯片，其具有...

以防止氣泡長大到一個臨界尺寸，從而堵住清洗液在通孔或槽中的交換路徑。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝有效清洗具有高深寬比的通孔或槽等特征。該晶圓清洗工藝限制由聲能引起振蕩產(chǎn)生的氣泡的尺寸。圖20a揭示了在時間段τ1內(nèi)設(shè)置...

所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設(shè)有螺套58，所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設(shè)有第五連桿56，通過所述第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動，可使所述螺套58間歇性升降移動，進而可使所述第五連桿56帶動所述第四連桿54間歇性往返左右移動，從而可使所述移動...

其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設(shè)計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊...

無法有效去除被困在通孔或槽內(nèi)的顆粒、殘留物和其他雜質(zhì)。但如圖20a所示，在時間τ2內(nèi)關(guān)閉超/兆聲波電源以冷卻氣泡，由于氣泡縮小，這種狀態(tài)將更替到下一個狀態(tài)。在冷卻狀態(tài)下，新鮮清洗液有機會進入到通孔或槽內(nèi)以便清洗其底部和側(cè)壁。當超/兆聲波電源在下一個打開...

該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進一步的，為了保護該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表...

在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設(shè)計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含*...

大于或等于在該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)...

可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強結(jié)構(gòu)強度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡化設(shè)計。在另一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實施例當中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的...

所述橫條的頂面上固設(shè)有第二齒牙，所述第二齒牙可與所述***齒牙嚙合。進一步的技術(shù)方案，所述從動腔的后側(cè)開設(shè)有蝸輪腔，所述旋轉(zhuǎn)軸向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔內(nèi)，且其位于所述蝸輪腔內(nèi)的外周上均固設(shè)有蝸輪，所述蝸輪腔的左壁固設(shè)有***電機，所述***電機的右...

半導體制造領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請并不限定是哪一種環(huán)氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護該結(jié)構(gòu)400的金屬層310，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，進而保護器件。該樹酯層440包含彼此相對的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與...

為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該半導體晶圓當中預(yù)定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。在一實施例中，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該...

metal-oxide-semi-conductorfield-effecttransistor)。在該半導體元器件的設(shè)計當中，有部分的電流如虛線箭頭所示，從該半導體元器件的一部分，經(jīng)由該晶圓層120流向金屬層110，再從金屬層110經(jīng)由該晶圓層120...

逐步縮短時間τ2來運行doe，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷。由于時間τ2被縮短，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升，**終將會觸發(fā)氣泡內(nèi)爆，觸發(fā)時間稱為臨界冷卻時間τc。知道臨界冷卻時間τc后，為了...

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，排氣口包含多個穿孔。本發(fā)明的另一實施方式提供一種半導體晶圓干燥方法。半導體晶圓干燥方法包含：將半導體晶圓設(shè)置于腔室內(nèi)；對半導體晶圓發(fā)射微波，以將半導體晶圓上的水加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣；以及將水蒸氣排出腔室。在本發(fā)明的一個或多...

***相機，用于采集共焦掃描的圖像；樣品臺，其上放置有檢測晶圓；環(huán)繞所述檢測晶圓布置的倏逝場移頻照明光源；安裝在所述顯微物鏡外周且輸出光場傾斜入射照明被檢測晶圓的暗場照明光源；第二相機，用于暗場照明，pl模式照明和移頻照明遠場像的采集。本發(fā)明中，根據(jù)被...

metal-oxide-semi-conductorfield-effecttransistor)。在該半導體元器件的設(shè)計當中，有部分的電流如虛線箭頭所示，從該半導體元器件的一部分，經(jīng)由該晶圓層120流向金屬層110，再從金屬層110經(jīng)由該晶圓層120...

本申請?zhí)峁┝司哂袕姸容^大的基板結(jié)構(gòu)的芯片，其具有晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)，也可以具有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，以便減低芯片在進行熱處理、加工與焊貼等工序時，因為應(yīng)力或熱應(yīng)力而導致失效的機率。在此同時，還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片...

在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設(shè)計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含*...

本申請關(guān)于半導體，特別是關(guān)于晶圓級芯片封裝基板結(jié)構(gòu)的設(shè)計與制作。背景技術(shù)：現(xiàn)代電子裝置越來越輕薄短小，集成電路的尺寸不*縮小，還有薄型化的趨勢。相較于傳統(tǒng)芯片，薄型化的芯片能夠承受的物理應(yīng)力與熱應(yīng)力較小。在進行熱處理與其他加工工藝時，特別是當芯片焊貼到...

所述送料腔內(nèi)設(shè)有可在切割狀態(tài)時限制所述滑塊左右晃動，并在所述滑塊移動狀態(tài)時打開的穩(wěn)定機構(gòu)，所述送料腔的左側(cè)連通設(shè)有切割腔，所述切割腔內(nèi)設(shè)有可用于切割的切割片，所述切割腔的左側(cè)連通設(shè)有升降腔，所述升降腔的內(nèi)壁上設(shè)有可帶動所述切割片升降的升降塊，所述升降腔...