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導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千...

工作原理/熔斷器編輯熔斷器（圖2）利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，當(dāng)過載或短路電流通過熔體時，因其自身發(fā)熱而熔斷，從而分?jǐn)嚯娐返囊环N電器。熔斷器結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，用于電力系統(tǒng)、各種電工設(shè)備和家用電器中作為保護(hù)器件。常見種類/熔斷器編輯插入式熔斷器：...

2）對于音頻信號而言，由于高頻濾波電容C1的容量很小，它對音頻信號的容抗很大，相當(dāng)于開路，所以音頻信號也不能被C1旁路到地線。3）對于高頻載波信號而言，其頻率很高，C1對它的容抗很小而呈通路狀態(tài)，這樣惟有檢波電路輸出端的高頻載波信號被C1旁路到地線，起到高頻濾...

A/μsVDRMRepetitivepeakoff-statevoltage斷態(tài)重復(fù)峰值電壓斷態(tài)重復(fù)峰值電壓是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓.國標(biāo)規(guī)定重復(fù)頻率為50H，每次持續(xù)時間不超高10ms。規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDR...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝...

該電場會阻止P區(qū)空穴繼續(xù)向N區(qū)擴(kuò)散。倘若我們在發(fā)射結(jié)添加一個正偏電壓（p正n負(fù)），來減弱內(nèi)建電場的作用，就能使得空穴能繼續(xù)向N區(qū)擴(kuò)散。擴(kuò)散至N區(qū)的空穴一部分與N區(qū)的多數(shù)載流子——電子發(fā)生復(fù)合，另一部分在集電結(jié)反偏（p負(fù)n正）的條件下通過漂移抵達(dá)集電極，形成集電...

晶閘管是一種開關(guān)元件，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門，開關(guān)的意思，他的應(yīng)用在各種電路，以及電子設(shè)備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過一個電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線。晶閘管（Thyristor）是...

這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點(diǎn)，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。...

[4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi)，外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光...

所以依據(jù)這一點(diǎn)可以確定這一電路是為了穩(wěn)定電路中A點(diǎn)的直流工作電壓。3）電路中有多只元器件時，一定要設(shè)法搞清楚實(shí)現(xiàn)電路功能的主要元器件，然后圍繞它進(jìn)行展開分析。分析中運(yùn)用該元器件主要特性，進(jìn)行合理解釋。二極管溫度補(bǔ)償電路及故障處理眾所周知，PN結(jié)導(dǎo)通后有一個約為...

高壓端口hv通過金屬引線連接所述高壓供電基島13，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述高壓供電管腳hv的連接，接地端口gnd通過金屬引線連接所述信號地基島14，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號地管腳gnd的連接。需要說明的是，所述邏輯電路122可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上，與所述控制芯片12...

如中國發(fā)明申請專利申請?zhí)枮閏na公開的負(fù)荷開關(guān)-熔斷器組合電器中所揭示的熔斷器結(jié)構(gòu)，其包括柱狀本體301和分別設(shè)置于柱狀本體301二端部的凸柱電極31、32。所述熔斷器30裝配于所述容納腔101內(nèi)，且熔斷器30的二凸柱電極31、32分別與二接線座11、...

材質(zhì)要相同、幾何尺寸要相同、電阻值盡可能地小且要一致，**重要的是熔斷特性要一致，家用保險絲常用鉛銻合金制成；二是電極部分，通常有兩個，它是熔體與電路聯(lián)接的重要部件，它必須有良管狀保險絲好的導(dǎo)電性，不應(yīng)產(chǎn)生明顯的安裝接觸電阻；三是支架部分，保險絲的熔體...

對于每一種材料它是一個常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r電弧始燃，在燃弧過程中電流由限流值降至零，此階段的I2t即為熔斷I2t，它是一個變量。這一過程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。在設(shè)計(jì)快速熔斷器時，為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高的額定電流，要采取許多措施，而不能簡單地用算...

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所...

主要分類/熔斷器編輯熔斷器（圖8）熔斷器根據(jù)使用電壓可分為高壓熔斷器和低壓熔斷器。根據(jù)保護(hù)對象可分為保護(hù)變壓器用和一般電氣設(shè)備用的熔斷器、保護(hù)電壓互感器的熔斷器、保護(hù)電力電容器的熔斷器、保護(hù)半導(dǎo)體元件的熔斷器、保護(hù)電動機(jī)的熔斷器和保護(hù)家用電器的熔斷器等...

③由于此時整流橋的散熱狀況與散熱器的熱阻密切相關(guān)，因此散熱器熱阻的大小將直接影響到整流橋上溫度的高低。由此可以看出，在生產(chǎn)廠家所提供的整流橋參數(shù)表中關(guān)于整流橋帶散熱器的熱阻時，只可能是整流橋背面的結(jié)--殼(Rjc)或整流橋殼體上的總的結(jié)--殼熱阻(正面和背面熱...

所述第六電容c6的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv，另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd。具體地，所述第二電感l(wèi)2連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd與信號地管腳gnd之間。需要說明的是，本實(shí)施例增加所述...

所述第二插片為兩個。推薦的，所述線圈架上設(shè)有供所述第二插接片插入的插接槽；通過設(shè)置插接槽便于對第二插片進(jìn)行安裝，第二插片插入到插接槽當(dāng)中，插接槽的內(nèi)壁對第二插片進(jìn)行限位。推薦的，所述第二插片側(cè)壁上設(shè)有電連凸部，所述整流橋堆一側(cè)設(shè)有與所述電連凸部相連的凸出部。推...

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點(diǎn)。一、關(guān)斷時間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管，當(dāng)切斷正向電流時。并不能馬上“關(guān)斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極...

被所述多晶硅柵6側(cè)面覆蓋的所述阱區(qū)2的表面用于形成溝道。由一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的發(fā)射區(qū)7形成在所述多晶硅柵6兩側(cè)的所述阱區(qū)2的表面。所述多晶硅柵6通過頂部對應(yīng)的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬柵極，所述接觸孔穿過層間膜10。所述發(fā)射區(qū)通過頂部的對應(yīng)的...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導(dǎo)致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負(fù)載短路，絕緣不好，負(fù)荷電流過大引起；...

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值...

固定環(huán)21套接于第二凸柱電極32位置也很好的固定住了第二凸柱電極32和安裝蓋20的相對位置，二者之間幾乎不會產(chǎn)生相對移動，再將第二凸柱電極32從夾板式熔斷器夾12拔出時，受力更穩(wěn)固，動作更順暢。當(dāng)然的，在其他實(shí)施例中，也不局限于此，如當(dāng)固定環(huán)21套接在熔斷器3...

可控硅的主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿?..

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所...

所述開關(guān)機(jī)構(gòu)包括真空接觸器2和與真空接觸器連接的熔斷器裝置，所述熔斷器裝置為上述所述的熔斷器裝置。具體的，所述熔斷器裝置位于真空接觸器2的正上方，安裝筒10的側(cè)向安裝開口102朝上設(shè)置，便于更換操作。再具體的，本實(shí)施例中，高壓接觸器為三相結(jié)構(gòu)，即具有三...

若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等，可選用普通單向晶閘管。若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)...

自鎖運(yùn)行：自復(fù)保險絲在過流保護(hù)狀態(tài)，以極小的電流鎖定在高阻狀態(tài)，只有切斷電源或過電流消失后，才會恢復(fù)低阻狀態(tài)。自動復(fù)位：自復(fù)保險絲在起到過流保護(hù)作用后（故障排除）自行復(fù)位，無需進(jìn)行拆換。耐大電流：自復(fù)保險絲有極好的耐大電流能力，有的規(guī)格可承受100A電...