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4、短路電流的穩(wěn)定性對(duì)于限流型熔斷器可不進(jìn)行動(dòng)、熱穩(wěn)定的校驗(yàn);而對(duì)于非限流型熔斷器，要求進(jìn)行動(dòng)、熱穩(wěn)定的校驗(yàn)工作。熱穩(wěn)定校驗(yàn)：I?chTre≥Qt動(dòng)穩(wěn)定校驗(yàn)：Idei≥ch(3)式中：ich(3)--短路電流峰值Ich--穩(wěn)態(tài)短路電流有效值高壓熔斷器的配合高壓...

從這種電路結(jié)構(gòu)可以得出一個(gè)判斷結(jié)果：C2和VD1這個(gè)支路的作用是通過該支路來(lái)改變與電容C1并聯(lián)后的總?cè)萘看笮?，這樣判斷的理由是：C2和VD1支路與C1上并聯(lián)后總電容量改變了，與L1構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振電路其振蕩頻率改變了。所以，這是一個(gè)改變LC并聯(lián)諧振電路頻率的...

所述功率開關(guān)管可通過所述信號(hào)地基島14及所述信號(hào)地管腳gnd實(shí)現(xiàn)散熱。需要說(shuō)明的是，所述控制芯片12可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上。當(dāng)設(shè)置于所述信號(hào)地基島14上時(shí)所述控制芯片12的襯底與所述信號(hào)地基島14電連接，散熱效果好。當(dāng)設(shè)置于其他基島上時(shí)所述控制芯片1...

由于LC并聯(lián)諧振電路中的電容不同，一種情況只有C1，另一種情況是C1與C2并聯(lián)，在電容量不同的情況下LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率不同。所以，VD1在電路中的真正作用是控制LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率。關(guān)于二極管電子開關(guān)電路分析細(xì)節(jié)說(shuō)明下列二點(diǎn)：1）當(dāng)電路中有開關(guān)件...

或進(jìn)行強(qiáng)制風(fēng)冷來(lái)控制溫升使之保持電流通過能力。整流器中快速熔斷器接頭處的連接狀況直接影響著快速熔斷器的溫升和可靠運(yùn)行，為此必須保持接觸面的平整和清潔。如無(wú)鍍層的母排的接觸面要去除氧化層，安裝時(shí)給予規(guī)定的壓緊力，好使接觸面產(chǎn)生彈性變形。并聯(lián)的快速熔斷器要求逐個(gè)檢...

國(guó)內(nèi)型號(hào)為RTl6系列)熔斷器是我國(guó)引進(jìn)德國(guó)AEG公司制造技術(shù)生產(chǎn)的一種高分?jǐn)嗄芰θ蹟嗥鳎m用于交流45-62Hz、電壓至660V的電力網(wǎng)絡(luò)和配電裝置作過載和短路用。它具有體積小、重量輕、功耗小，分?jǐn)嗄芰Ω叩奶攸c(diǎn)。NT系列熔斷器技術(shù)數(shù)據(jù)見表1-51。型號(hào)含義：...

所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設(shè)置于所述采樣基島18上，接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd，漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15...

1)、整流橋殼體表面散熱熱阻a)整流橋正面殼體的散熱熱阻:同不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷一樣:b)整流橋背面殼體的散熱熱阻:假設(shè)忽約整流橋與殼體的接觸熱阻，則:;選擇散熱器與環(huán)境間熱阻的典型值為:于是:則整流橋通過殼體表面散熱的總熱阻為:2)、流橋通過引腳散熱的熱阻:...

固體產(chǎn)氣材料可采用電工反白紙板或有機(jī)玻璃材料等。當(dāng)短路電流通過熔體時(shí)，熔體隨即熔斷產(chǎn)生電弧，高溫電弧使固體產(chǎn)氣材料迅速分解產(chǎn)生大量高壓氣體，從而將電離的氣體帶電弧在管子兩端噴出，發(fā)出極大的聲光，并在交流電流過零時(shí)熄滅電弧而分?jǐn)嚯娏鳌＝^緣管通常是裝在一個(gè)絕緣支架...

且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電...

因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。SCR1、SCR2選用封裝好的可控硅模塊(110A/1000V)，SCR3選用BTl3...

對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)...

若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等，可選用普通單向晶閘管。若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)...

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車輛調(diào)速等領(lǐng)域。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻，改變電路電流來(lái)控制車輛的速度。但它有不能平滑起動(dòng)和...

2）熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負(fù)載大小、負(fù)載性質(zhì)有關(guān)。對(duì)于負(fù)載平穩(wěn)、無(wú)沖擊電流，如一般照明電路、電熱電路可按負(fù)載電流大小來(lái)確定熔體的額定電流。對(duì)于有沖擊電流的電動(dòng)機(jī)負(fù)載，為達(dá)到短路保護(hù)目的，又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對(duì)籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其熔斷器熔體的...

快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。自復(fù)熔斷器：采用金屬鈉作熔體，在常溫下具有高電導(dǎo)率。當(dāng)電路發(fā)生短路故障時(shí)，短路電流產(chǎn)生高溫使鈉迅速汽化，汽態(tài)鈉呈現(xiàn)高阻態(tài)，從而限制了短路電流。當(dāng)...

該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。藉此，本發(fā)明具有下列功效：1.本發(fā)明使用的熱接口材料將不會(huì)產(chǎn)生任何介金屬化合物，故不會(huì)因制程(環(huán)境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定。2.本發(fā)明...

所以交流信號(hào)正半周超出部分被去掉（限制），其超出部分信號(hào)其實(shí)降在了集成電路A1的①腳內(nèi)電路中的電阻上（圖中未畫出）。當(dāng)集成電路A1的①腳直流和交流輸出信號(hào)的幅度小于，這一電壓又不能使3只二極管導(dǎo)通，這樣3只二極管再度從導(dǎo)通轉(zhuǎn)入截止?fàn)顟B(tài)，對(duì)信號(hào)沒有限幅作用。3．...

這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于.℃)，因此它對(duì)整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時(shí)，這也驗(yàn)證了為什么我們?cè)诓捎谜鳂驓んw正表面溫度作為計(jì)算的殼溫時(shí)，對(duì)測(cè)溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌?，得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是...

并矩形凹槽2上設(shè)置有兩個(gè)對(duì)稱結(jié)構(gòu)的安裝沉孔3，這樣可以實(shí)現(xiàn)將該熔斷器底座通過螺栓牢固鎖緊安裝在控制柜上，其次，為了實(shí)現(xiàn)安裝電路的功能，在底板1兩側(cè)位置對(duì)稱設(shè)置有導(dǎo)線板安裝槽4，并將銅材料的導(dǎo)線板5通過鎖緊螺栓固定安裝在導(dǎo)線板安裝槽4內(nèi)，另外，在導(dǎo)線板5...

熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)兩類。低熔點(diǎn)材料如鉛和鉛合金，其熔點(diǎn)低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸較大，熔斷時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸氣較多，只適...

使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂，這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯...

幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。[1]二極管原理發(fā)光二極管編輯發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，具有單向?qū)щ娦?。但其正向工作?..

整流二極管可用半導(dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿）。這種器件的結(jié)面積較大，能通過較大電流（可達(dá)上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二極管...

所述負(fù)載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地，在本實(shí)施例中，所述負(fù)載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負(fù)極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點(diǎn)。如圖4所示，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管...

5、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí)，如果變壓器空載，輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定）。...

當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管，圖2晶閘管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特...

整流橋（D25XB60）內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流橋（如：RECTRO...

廣泛應(yīng)用在斬波或逆變電路中，如軌道交通、電動(dòng)汽車、風(fēng)力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領(lǐng)域。此外，半導(dǎo)體功率模塊主要包括igbt器件和fwd，在實(shí)際應(yīng)用中，為了保證半導(dǎo)體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作，通常在半導(dǎo)體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫...