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早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時間1970年目錄1分類2優(yōu)點3規(guī)格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相...

其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同...

可控硅模塊的控制方式： 通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號，通過調(diào)整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié)，實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號采用0～5V，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式。滿足可控硅模塊工作的必要條件： （1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。 ①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。 ②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安...

只有可控硅模塊能夠滿足上述條件，才能說明可控硅模塊是質(zhì)量的。當(dāng)然，判斷起來也非常簡單，只需要使用萬用表的歐姆檔測量可控硅的極間電阻。具體的做法就是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。接著就是檢測可控硅模塊的三個PN結(jié)是否完好或者損壞，可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反...

因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它。可控硅主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關(guān)斷...

鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測...

現(xiàn)代照明設(shè)計要求規(guī)定，照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計用電容補償功率因數(shù)）在國外發(fā)達國家，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制，在國內(nèi)，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行照度控制時，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明...