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省**出臺(tái)實(shí)施了工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)行動(dòng)計(jì)劃和22個(gè)實(shí)施方案，為制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)做好了頂層設(shè)計(jì)和路線規(guī)劃。完備的產(chǎn)業(yè)體系和省委省**的堅(jiān)強(qiáng)領(lǐng)導(dǎo)，為我省制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)提供了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)和政策保障。不強(qiáng)，正在成為實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)中高速增長(zhǎng)、邁向中**水平的“痛點(diǎn)”。一方面，傳統(tǒng)低成本優(yōu)勢(shì)逐步衰減，資源約束日益增強(qiáng)，產(chǎn)能過剩困擾加??；另一方面，全球新一輪科技**和產(chǎn)業(yè)變革方興未艾，許多發(fā)達(dá)國(guó)家紛紛高呼“重返制造業(yè)”，意圖在國(guó)際產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的博弈中爭(zhēng)奪優(yōu)勢(shì)地位。讓制造業(yè)強(qiáng)起來，不但是解決現(xiàn)實(shí)問為滿足客戶的多方面需求，同時(shí)代理德國(guó),中國(guó)臺(tái)灣,韓國(guó),瑞士,日本,美國(guó)等國(guó)家的各種、工程塑料，絕緣材料板、棒，片材...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實(shí)用新型將現(xiàn)有技術(shù)中旋轉(zhuǎn)件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉(zhuǎn)件在強(qiáng)度幾乎不變的同時(shí)，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性。進(jìn)一步推薦地，傳動(dòng)筒4的外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實(shí)用新型的第二個(gè)方面，還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設(shè)置在工藝腔中。在本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)連接部310為非圓柱體，驅(qū)...

自然界中的物質(zhì)，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異可劃分為導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導(dǎo)電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導(dǎo)體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。它的導(dǎo)電能力會(huì)隨溫度、光照及摻入雜質(zhì)的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型，這是其***應(yīng)用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能，用來制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過電子和空穴這兩種載流子來實(shí)現(xiàn)的，因此相應(yīng)的有N型和P型之分。半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

為實(shí)現(xiàn)傳動(dòng)筒4的平穩(wěn)傳動(dòng)，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動(dòng)架9，傳動(dòng)架9的一端與傳動(dòng)筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動(dòng)架9的另一端用于與電機(jī)12的輸出軸連接，傳動(dòng)架9用于帶動(dòng)傳動(dòng)筒4轉(zhuǎn)動(dòng)。本實(shí)用新型對(duì)傳動(dòng)架9的結(jié)構(gòu)不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動(dòng)架9包括一對(duì)傳動(dòng)法蘭91和用于連接兩傳動(dòng)法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動(dòng)法蘭91通過聯(lián)軸器與電機(jī)12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性，推薦地，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實(shí)用新型的發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備出現(xiàn)旋轉(zhuǎn)卡頓的問題是因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)件之間的潤(rùn)滑油脂液...

從而能夠緩解定位平面311兩側(cè)的應(yīng)力集中現(xiàn)象，提高了驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2上應(yīng)力分布的均勻性。并且，在本實(shí)施例中，兩圓柱面312與驅(qū)動(dòng)襯套2套孔中的相應(yīng)圓柱面相配合，能夠?qū)崿F(xiàn)定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅(qū)動(dòng)襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2在傳動(dòng)過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅(qū)動(dòng)軸3的軸線為對(duì)稱中心對(duì)稱設(shè)置，使得驅(qū)動(dòng)軸3與驅(qū)動(dòng)襯套2通過平面?zhèn)鲃?dòng)時(shí)受到的力矩也是中心對(duì)稱的，避免了驅(qū)動(dòng)襯套2與驅(qū)動(dòng)軸3的軸線之間發(fā)生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結(jié)構(gòu)的整體強(qiáng)度，推薦地，如圖6所示，驅(qū)動(dòng)襯套2包括相互連接的***襯套部...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導(dǎo)致傳送組件精度下降。為進(jìn)一步提高傳動(dòng)筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質(zhì)進(jìn)入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設(shè)置在傳動(dòng)筒4的外壁上。需要說明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關(guān)系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內(nèi)壁上還設(shè)置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動(dòng)筒4轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動(dòng)筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實(shí)驗(yàn)研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備工藝效果不佳的原因在于，個(gè)別軸套類部件上的密封件在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)過程中會(huì)逐漸沿軸向移動(dòng)，偏離預(yù)定...

塑膠材料項(xiàng)目投資立項(xiàng)申請(qǐng)報(bào)告.***章項(xiàng)目基本情況一、項(xiàng)目概況（一）項(xiàng)目名稱塑膠材料項(xiàng)目（二）項(xiàng)目選址某某產(chǎn)業(yè)示范園區(qū)項(xiàng)目屬于相關(guān)制造行業(yè)，投資項(xiàng)目對(duì)其生產(chǎn)工藝流程、設(shè)施布置等都有較為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)化要求，為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟(jì)效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)項(xiàng)目選址的一般原則和項(xiàng)目建設(shè)地的實(shí)際情況，該項(xiàng)目選址應(yīng)遵循以下基本原則的要求。（三）項(xiàng)目用地規(guī)模項(xiàng)目總用地面積（折合約）。（四）項(xiàng)目用地控制指標(biāo)該工程規(guī)劃建筑系數(shù)，建筑容積率，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度。（五）土建工程指標(biāo)項(xiàng)目?jī)粲玫孛娣e，建筑物基底占地面積，總建筑面積，其中規(guī)劃建設(shè)主體工程，項(xiàng)目規(guī)劃綠化面積。（六）設(shè)備選...

步驟s160：將第二預(yù)制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進(jìn)行排膠。對(duì)第二預(yù)制坯進(jìn)行排膠能夠?qū)⒌诙A(yù)制坯中的第二碳源轉(zhuǎn)化為碳，從而在后續(xù)步驟中與液態(tài)硅反應(yīng)得到碳化硅。步驟s170：將第二預(yù)制坯和硅粉進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，得到碳化硅陶瓷。其中，反應(yīng)燒結(jié)的溫度為1400℃～1800℃，反應(yīng)燒結(jié)的時(shí)間為1h～5h。第二預(yù)制坯和硅粉的質(zhì)量比為1∶(～4)。進(jìn)一步地，反應(yīng)燒結(jié)的溫度為1700℃～1800℃。具體地，步驟s170在真空高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行。將第二預(yù)制坯和硅粉進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，第二預(yù)制坯中的碳與滲入的硅反應(yīng)，生成鋅的碳化硅，并與原有的顆粒碳化硅相結(jié)合，游離硅填充了氣孔，...

得到排膠后的***預(yù)制坯。(5)將排膠后的***預(yù)制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮?dú)饧訅褐?mpa，進(jìn)行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預(yù)制坯的孔隙中，降溫得到第二預(yù)制坯。(6)將第二預(yù)制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機(jī)加工得到排膠后的第二預(yù)制坯。(7)將排膠后的第二預(yù)制坯和硅粉按質(zhì)量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1600℃，保溫時(shí)間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實(shí)施例3本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質(zhì)量比為5∶100，得...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實(shí)用新型將現(xiàn)有技術(shù)中旋轉(zhuǎn)件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉(zhuǎn)件在強(qiáng)度幾乎不變的同時(shí)，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性。進(jìn)一步推薦地，傳動(dòng)筒4的外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實(shí)用新型的第二個(gè)方面，還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設(shè)置在工藝腔中。在本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)連接部310為非圓柱體，驅(qū)...

水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片。在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學(xué)氣相外延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法制成。1、元素半導(dǎo)體材料硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)***，他不僅是半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體器件和硅太陽能電...

有些塑料本身已經(jīng)有很好的耐磨性，加入各種耐磨添加劑之后，可以更加改善其耐磨性。這些添加劑像聚四氟乙烯，二硫化鉬，石墨，硅利康油，玻纖，碳纖和芳香族聚酰胺纖維的添加劑制成的塑料復(fù)合材料具有自潤(rùn)性(selflubricating)，并可降低配合零件的壓力，從而提高材料的耐磨性。下面就來看看可以提高材料耐磨性的材料。1、聚四氟乙烯（PTFE，鐵氟龍）PTFE是所有耐加劑中有比較低的磨擦系數(shù)。在磨擦過程中磨出來的PTFE分子會(huì)在零件表面形成潤(rùn)滑的薄膜。PTFE在磨擦剪力下有很好的潤(rùn)滑性及耐磨性能，在高負(fù)荷應(yīng)中，PTFE是比較好的耐磨添加劑。這些高負(fù)荷用包括液壓式活塞環(huán)封、推力墊圈。**適當(dāng)?shù)腜TFE含...

驅(qū)動(dòng)襯套2包括***襯套部210和第二襯套部220，從而在驅(qū)動(dòng)軸3與驅(qū)動(dòng)襯套2連接時(shí)，驅(qū)動(dòng)連接部310與***襯套部210中的驅(qū)動(dòng)通孔211匹配；在驅(qū)動(dòng)襯套2與工藝盤轉(zhuǎn)軸1連接時(shí)，工藝盤轉(zhuǎn)軸1的安裝孔與第二襯套部220的側(cè)面相配合。即，本實(shí)用新型的實(shí)施例中工藝盤轉(zhuǎn)軸1與驅(qū)動(dòng)襯套2之間的配合面以及驅(qū)動(dòng)襯套2與驅(qū)動(dòng)軸3之間的配合面是軸向錯(cuò)開的。如圖10、圖12所示，三者連接在一起后，工藝盤轉(zhuǎn)軸1與驅(qū)動(dòng)襯套2的***襯套部210之間存在空隙，驅(qū)動(dòng)軸3與驅(qū)動(dòng)襯套2的第二襯套部220之間存在空隙，從而在三者進(jìn)行裝配時(shí)，驅(qū)動(dòng)通孔211過緊時(shí)***襯套部210可以向其外側(cè)的縫隙膨脹，安裝孔過緊時(shí)第二...

步驟s160：將第二預(yù)制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進(jìn)行排膠。對(duì)第二預(yù)制坯進(jìn)行排膠能夠?qū)⒌诙A(yù)制坯中的第二碳源轉(zhuǎn)化為碳，從而在后續(xù)步驟中與液態(tài)硅反應(yīng)得到碳化硅。步驟s170：將第二預(yù)制坯和硅粉進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，得到碳化硅陶瓷。其中，反應(yīng)燒結(jié)的溫度為1400℃～1800℃，反應(yīng)燒結(jié)的時(shí)間為1h～5h。第二預(yù)制坯和硅粉的質(zhì)量比為1∶(～4)。進(jìn)一步地，反應(yīng)燒結(jié)的溫度為1700℃～1800℃。具體地，步驟s170在真空高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行。將第二預(yù)制坯和硅粉進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，第二預(yù)制坯中的碳與滲入的硅反應(yīng)，生成鋅的碳化硅，并與原有的顆粒碳化硅相結(jié)合，游離硅填充了氣孔，...

3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進(jìn)行模壓成型，成型壓強(qiáng)為120mpa，保壓時(shí)間為50s，脫模得到***預(yù)制坯。對(duì)比例8對(duì)比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機(jī)中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時(shí)間為120s，得到***預(yù)制坯。對(duì)比例9對(duì)比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結(jié)溫度為1300℃。對(duì)比例10對(duì)比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結(jié)溫度為1900℃。對(duì)比例11...

所述在真空條件、700℃～900℃下進(jìn)行加熱處理的步驟中，加熱處理的時(shí)間為1h～4h。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述將所述造粒粉成型，得到***預(yù)制坯的步驟包括：將所述造粒粉先進(jìn)行模壓成型，成型壓力為70mpa～170mpa，保壓時(shí)間為10s～90s，然后進(jìn)行等靜壓成型，成型壓力為200mpa～400mpa，保壓時(shí)間為60s～180s，得到所述***預(yù)制坯。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述將所述造粒粉成型，得到***預(yù)制坯的步驟之后，所述將所述***預(yù)制坯與第二碳源混合加熱的步驟之前，還包括：將所述***預(yù)制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進(jìn)行排膠；及/或，所述將所述...

3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進(jìn)行模壓成型，成型壓強(qiáng)為120mpa，保壓時(shí)間為50s，脫模得到***預(yù)制坯。對(duì)比例8對(duì)比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機(jī)中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時(shí)間為120s，得到***預(yù)制坯。對(duì)比例9對(duì)比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結(jié)溫度為1300℃。對(duì)比例10對(duì)比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結(jié)溫度為1900℃。對(duì)比例11...

碳化硅的自擴(kuò)散系數(shù)小，在不添加燒結(jié)助劑的情況下，很難燒結(jié)，即使在高溫高壓下也很難燒結(jié)出致密的組織。而采用金屬元素的氧化物為燒結(jié)助劑能夠降低燒結(jié)溫度，促進(jìn)燒結(jié)體組織致密化，從而提高碳化硅陶瓷的力學(xué)性能。***分散劑包括四甲基氫氧化銨、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸銨、丙烯酸鈉、聚乙烯醇及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種。***分散劑能夠使碳化硅微粉和稀土元素的氯化物在***溶劑中混合均勻，從而利于后續(xù)的噴霧及熱處理過程。具體地，步驟s110包括：步驟s112：將金屬元素的氯化物、***分散劑、***溶劑及碳化硅微粉混合，得到***漿料。具體地，金屬元素的氯化物的加入量按金屬元素的氧化物的質(zhì)量為碳化硅微...

有些塑料本身已經(jīng)有很好的耐磨性，加入各種耐磨添加劑之后，可以更加改善其耐磨性。這些添加劑像聚四氟乙烯，二硫化鉬，石墨，硅利康油，玻纖，碳纖和芳香族聚酰胺纖維的添加劑制成的塑料復(fù)合材料具有自潤(rùn)性(selflubricating)，并可降低配合零件的壓力，從而提高材料的耐磨性。下面就來看看可以提高材料耐磨性的材料。1、聚四氟乙烯（PTFE，鐵氟龍）PTFE是所有耐加劑中有比較低的磨擦系數(shù)。在磨擦過程中磨出來的PTFE分子會(huì)在零件表面形成潤(rùn)滑的薄膜。PTFE在磨擦剪力下有很好的潤(rùn)滑性及耐磨性能，在高負(fù)荷應(yīng)中，PTFE是比較好的耐磨添加劑。這些高負(fù)荷用包括液壓式活塞環(huán)封、推力墊圈。**適當(dāng)?shù)腜TFE含...

以糠醛與聚碳硅烷的混合物為***碳源和預(yù)處理顆粒在該溶液中均勻分散，再以聚乙烯醇、丙烯酸及聚乙烯醇縮丁醛的混合物為粘接劑加入其中，進(jìn)行球磨，球磨過程中的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分，球磨時(shí)間為1h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為80微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進(jìn)行模壓成型，成型壓強(qiáng)為170mpa，保壓時(shí)間為10s，脫模得，然后置入真空包裝袋中，抽真空，再置于等靜壓機(jī)中等靜壓成型，成型壓力為400mpa，保壓時(shí)間為180s，得到***預(yù)制坯。(4)將***預(yù)制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘1℃的速度升溫至900℃，保溫4h，得到排膠后的***預(yù)制坯。(5)...

為實(shí)現(xiàn)傳動(dòng)筒4的平穩(wěn)傳動(dòng)，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動(dòng)架9，傳動(dòng)架9的一端與傳動(dòng)筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動(dòng)架9的另一端用于與電機(jī)12的輸出軸連接，傳動(dòng)架9用于帶動(dòng)傳動(dòng)筒4轉(zhuǎn)動(dòng)。本實(shí)用新型對(duì)傳動(dòng)架9的結(jié)構(gòu)不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動(dòng)架9包括一對(duì)傳動(dòng)法蘭91和用于連接兩傳動(dòng)法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動(dòng)法蘭91通過聯(lián)軸器與電機(jī)12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性，推薦地，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實(shí)用新型的發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備出現(xiàn)旋轉(zhuǎn)卡頓的問題是因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)件之間的潤(rùn)滑油脂液...

半導(dǎo)體材料是什么？半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標(biāo)不可用，暫用當(dāng)前描述）。在一般情況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍。反映半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光、熱...

水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片。在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學(xué)氣相外延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法制成。1、元素半導(dǎo)體材料硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)***，他不僅是半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體器件和硅太陽能電...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實(shí)用新型將現(xiàn)有技術(shù)中旋轉(zhuǎn)件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉(zhuǎn)件在強(qiáng)度幾乎不變的同時(shí)，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性。進(jìn)一步推薦地，傳動(dòng)筒4的外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實(shí)用新型的第二個(gè)方面，還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設(shè)置在工藝腔中。在本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)連接部310為非圓柱體，驅(qū)...

驅(qū)動(dòng)軸3通過非圓柱體的驅(qū)動(dòng)連接部310與異形孔之間的配合將扭矩傳遞至驅(qū)動(dòng)襯套2，從而能夠在工藝盤組件進(jìn)行變速運(yùn)動(dòng)時(shí)，避免驅(qū)動(dòng)軸3與驅(qū)動(dòng)襯套2之間發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，保證了驅(qū)動(dòng)襯套2與驅(qū)動(dòng)軸3之間的對(duì)位精度，進(jìn)而提高了工藝盤轉(zhuǎn)軸1旋轉(zhuǎn)角度的控制精度。為實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)襯套2與工藝盤轉(zhuǎn)軸1的匹配，同時(shí)提高驅(qū)動(dòng)襯套2與工藝盤轉(zhuǎn)軸1之間的對(duì)位精度，推薦地，如圖5至圖12所示，驅(qū)動(dòng)襯套2的外壁上形成有至少一個(gè)定位凸起222，對(duì)應(yīng)的，安裝孔的側(cè)壁上形成有至少一個(gè)定位槽，定位凸起222一一對(duì)應(yīng)地插入定位槽中。如圖11、圖12所示為本實(shí)用新型的實(shí)施例中驅(qū)動(dòng)襯套2插入工藝盤轉(zhuǎn)軸1的底端安裝孔時(shí)，定位凸起222插入定位...

表1實(shí)施例和對(duì)比例的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出，實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度均在400mpa左右，實(shí)施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度甚至高達(dá)451mpa，遠(yuǎn)高于對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度。實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實(shí)施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能較好。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為...

為實(shí)現(xiàn)傳動(dòng)筒4的平穩(wěn)傳動(dòng)，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動(dòng)架9，傳動(dòng)架9的一端與傳動(dòng)筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動(dòng)架9的另一端用于與電機(jī)12的輸出軸連接，傳動(dòng)架9用于帶動(dòng)傳動(dòng)筒4轉(zhuǎn)動(dòng)。本實(shí)用新型對(duì)傳動(dòng)架9的結(jié)構(gòu)不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動(dòng)架9包括一對(duì)傳動(dòng)法蘭91和用于連接兩傳動(dòng)法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動(dòng)法蘭91通過聯(lián)軸器與電機(jī)12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性，推薦地，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實(shí)用新型的發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備出現(xiàn)旋轉(zhuǎn)卡頓的問題是因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)件之間的潤(rùn)滑油脂液...

工藝盤組件還包括軸承座10，傳動(dòng)筒4的外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42設(shè)置在軸承座10內(nèi)，且傳動(dòng)筒4的兩端設(shè)置在軸承座10外；外凸臺(tái)與軸承座10的內(nèi)壁之間設(shè)置有前述的軸承，使得傳動(dòng)筒4能夠繞軸線相對(duì)軸承座10旋轉(zhuǎn)；為便于安裝，如圖3所示，軸承座10可以包括上法蘭101和下法蘭102，上法蘭101和下法蘭102上均形成有軸孔，傳動(dòng)筒4朝向工藝盤01的一端穿過上法蘭101上的軸孔，傳動(dòng)筒4背離工藝盤01的一端穿過下法蘭102上的軸孔。為保證定位傳動(dòng)筒4的軸向定位，避免傳動(dòng)筒4在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)晃動(dòng)，推薦地，上述滾針軸承為推力滾針軸承，且位于外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42背離工藝盤01一側(cè)的推力滾針軸承與下法蘭102之間還設(shè)置有碟形彈...

再進(jìn)行等靜壓成型的兩步成型方式能夠得到密度更大、更均勻的***預(yù)制坯。步驟s140：將***預(yù)制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進(jìn)行排膠。具體地，排膠過程在真空排膠爐中進(jìn)行。通過上述排膠過程能夠除去***預(yù)制坯中的粘結(jié)劑、分散劑等有機(jī)物質(zhì)。步驟s150：將***預(yù)制坯與第二碳源混合加熱，使第二碳源呈液態(tài)，然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預(yù)制坯。具體地，第二碳源包括石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、瀝青、酚醛樹脂及環(huán)氧樹脂中的至少一種。在本實(shí)施方式中，第二碳源與***碳源可以相同，也可以不同。具體地，步驟s150包括：將***預(yù)制坯與第二碳源在28...

附圖標(biāo)記說明01：工藝盤1：工藝盤轉(zhuǎn)軸2：驅(qū)動(dòng)襯套210：***襯套部211：驅(qū)動(dòng)通孔211a：避讓槽220：第二襯套部221：軸通孔222：定位凸起3：驅(qū)動(dòng)軸310：驅(qū)動(dòng)連接部320：驅(qū)動(dòng)軸體部311：定位平面312：圓柱面4：傳動(dòng)筒41：內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42：外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)43：擋環(huán)槽5：密封襯套6：波浪管7：擋環(huán)8：調(diào)平件9：傳動(dòng)架91：傳動(dòng)法蘭92：法蘭連接件10：軸承座101：上法蘭102：下法蘭11：升降機(jī)構(gòu)12：電機(jī)13：定位塊具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式*用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。本...