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傳統(tǒng)的制備方法中將金屬元素的氧化物直接與碳化硅微粉及分散劑、粘結(jié)劑等混合，能夠使金屬元素的分布更均勻，不會(huì)出現(xiàn)聚集區(qū)域，對(duì)力學(xué)性能的提升效果也更好。一實(shí)施方式的碳化硅陶瓷，由上述實(shí)施方式的碳化硅陶瓷的制備方法制備得到。一實(shí)施方式的半導(dǎo)體零件，由上述實(shí)施方式的碳化硅陶瓷加工處理得到。上述半導(dǎo)體零件由反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料制成。具體地，上述半導(dǎo)體零件的形狀為非標(biāo)。具體地，半導(dǎo)體零件的形狀可以為板狀、柱狀、環(huán)狀或其他不規(guī)則形狀。在其中一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體零件為吸盤底座、晶圓承載盤、半導(dǎo)體用機(jī)械手臂或異形件密封圈?？梢岳斫猓谄渌麑?shí)施例中，半導(dǎo)體零件不限于上述零件，還可以為其他零件。以下為具體實(shí)施...

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝盤組件，以及一種包括該工藝盤組件的半導(dǎo)體設(shè)備。背景技術(shù)：半導(dǎo)體設(shè)備通常由工藝腔和設(shè)置在工藝腔內(nèi)的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導(dǎo)體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性，通常采用電機(jī)等設(shè)備驅(qū)動(dòng)工藝盤旋轉(zhuǎn)，目前的工藝盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)通常包括滑動(dòng)軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸。其中，石英轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動(dòng)工藝盤旋轉(zhuǎn)，襯套套設(shè)在滑動(dòng)軸上，石英轉(zhuǎn)軸套設(shè)在襯套上，且滑動(dòng)軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸三者軸線重合，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動(dòng)軸的扭矩傳遞至石英轉(zhuǎn)...

對(duì)比例1對(duì)比例1的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：對(duì)比例1中不含有步驟(5)和步驟(6)。對(duì)比例2對(duì)比例2的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(5)為：將排膠后的***預(yù)制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，降溫得到第二預(yù)制坯。對(duì)比例3對(duì)比例3的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(5)中，壓力為8mpa。對(duì)比例4對(duì)比例4的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(1)為：將氧化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，氧化釔與...

然后將碳化硅顆粒在真空條件、700℃下進(jìn)行熱處理4h，得到預(yù)處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯醇溶解在水中形成溶液，將***碳源石墨和預(yù)處理顆粒在該溶液中均勻分散，再以環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合物作為粘結(jié)劑加入其中，進(jìn)行球磨，球磨過程中的轉(zhuǎn)速為100轉(zhuǎn)/分，球磨時(shí)間為5h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為60微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進(jìn)行模壓成型，成型壓強(qiáng)為70mpa，保壓時(shí)間為90s，脫模，然后置入真空包裝袋中，抽真空，**后置于等靜壓機(jī)中等靜壓成型，成型壓力為200mpa，保壓時(shí)間為60s，得到***預(yù)制坯。(4)將***預(yù)制坯放置于真空排膠...

冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實(shí)施例2本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為3∶100，得到氯化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為∶100，然后將氯化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑聚乙烯醇縮丁醛，然后加入粒徑為5μm碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質(zhì)量比為∶1的環(huán)氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化釔的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、800℃下進(jìn)行熱處理，得到預(yù)處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中形成溶液，將***碳源炭黑和預(yù)處理顆粒在該溶...

本發(fā)明涉及陶瓷領(lǐng)域，特別是涉及一種碳化硅陶瓷及其制備方法和半導(dǎo)體零件。背景技術(shù)：反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷是由細(xì)顆粒sic和添加劑壓制成素坯，在高溫下與液態(tài)硅接觸，坯體中的碳與滲入的si反應(yīng)，生成新的sic，并與原有顆粒sic相結(jié)合，游離硅填充了氣孔，從而得到高致密性的陶瓷材料。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅在燒結(jié)過程中尺寸幾乎無變化，相比于常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)碳化硅材料來說，加工成本大幅降低，廣泛應(yīng)用于石油、化工、航空航天、核工業(yè)及半導(dǎo)體等領(lǐng)域。但是反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料存在力學(xué)性能較差的問題，從而限制了反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料的應(yīng)用。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，有必要提供一種力學(xué)性能好的反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷的制備方法。此外，...

有機(jī)半導(dǎo)體材料可分為有機(jī)物，聚合物和給體受體絡(luò)合物三類。有機(jī)半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力差，但是擁有加工處理方便，結(jié)實(shí)耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。3、非晶半導(dǎo)體材料非晶半導(dǎo)體按鍵合力的性質(zhì)分為共價(jià)鍵非晶半導(dǎo)體和離子鍵非晶半導(dǎo)體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸汽或?yàn)R射的方法制備。在工業(yè)上，非晶半導(dǎo)體材料主要用于制備像傳感器，太陽能鋰電池薄膜晶體管等非晶體半導(dǎo)體器件。4、化合物半導(dǎo)體材料化合物半導(dǎo)體材料種類繁多，按元素在周期表族來分類，分為三五族，二六族，四四族等。如今化合物半導(dǎo)體材料已經(jīng)在太陽能電池，光電器件，超高速器件，微波等領(lǐng)域占據(jù)重要位置，且不同種類具有不同的應(yīng)用?？傊?，半導(dǎo)體材料...

內(nèi)凸臺(tái)的中心形成有沿厚度方向貫穿內(nèi)凸臺(tái)的凸臺(tái)孔，調(diào)平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平孔，驅(qū)動(dòng)軸3上形成有調(diào)平螺紋孔，中心螺釘依次穿過調(diào)平孔、凸臺(tái)孔和調(diào)平螺紋孔，以將調(diào)平件8和驅(qū)動(dòng)軸3固定在內(nèi)凸臺(tái)上，調(diào)平件8能夠調(diào)整中心螺釘與傳動(dòng)筒4之間的角度。本實(shí)用新型對(duì)調(diào)平件8與驅(qū)動(dòng)軸3如何夾持內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)41不做具體限定，例如，如圖3所示，調(diào)平件8中形成有多個(gè)沿軸向延伸的調(diào)平通道，調(diào)平通道中設(shè)置有調(diào)平球，調(diào)平件8還包括多個(gè)調(diào)平螺釘，調(diào)平螺釘與調(diào)平球一一對(duì)應(yīng)，調(diào)平螺釘能夠推動(dòng)調(diào)平球沿調(diào)平通道移動(dòng)；調(diào)平件8中還形成有多個(gè)徑向延伸的楔形通道，楔形通道與調(diào)平通道一一對(duì)應(yīng)，且楔形通道沿徑向貫穿調(diào)平...

工藝盤轉(zhuǎn)軸1用于驅(qū)動(dòng)工藝盤01旋轉(zhuǎn)，工藝盤組件還包括驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2。如圖5至圖12所示，驅(qū)動(dòng)軸3包括驅(qū)動(dòng)連接部310和驅(qū)動(dòng)軸體部320，驅(qū)動(dòng)襯套2套設(shè)在驅(qū)動(dòng)連接部310外部，工藝盤轉(zhuǎn)軸1的底端形成有安裝孔，驅(qū)動(dòng)襯套2部分設(shè)置在該安裝孔中，工藝盤轉(zhuǎn)軸1通過驅(qū)動(dòng)襯套2、驅(qū)動(dòng)連接部310與驅(qū)動(dòng)軸體部320連接。其中，驅(qū)動(dòng)連接部310的橫截面為非圓形，驅(qū)動(dòng)襯套2的套孔與驅(qū)動(dòng)連接部310相匹配，工藝盤轉(zhuǎn)軸1的安裝孔與驅(qū)動(dòng)襯套2相匹配，驅(qū)動(dòng)軸3旋轉(zhuǎn)時(shí)，帶動(dòng)驅(qū)動(dòng)襯套2及工藝盤轉(zhuǎn)軸1旋轉(zhuǎn)。需要說明的是，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)連接部310匹配設(shè)置在驅(qū)動(dòng)襯套2的套孔中、驅(qū)動(dòng)襯套2匹配設(shè)置在工藝...

3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進(jìn)行模壓成型，成型壓強(qiáng)為120mpa，保壓時(shí)間為50s，脫模得到***預(yù)制坯。對(duì)比例8對(duì)比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機(jī)中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時(shí)間為120s，得到***預(yù)制坯。對(duì)比例9對(duì)比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結(jié)溫度為1300℃。對(duì)比例10對(duì)比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實(shí)施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結(jié)溫度為1900℃。對(duì)比例11...

冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實(shí)施例2本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為3∶100，得到氯化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為∶100，然后將氯化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑聚乙烯醇縮丁醛，然后加入粒徑為5μm碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質(zhì)量比為∶1的環(huán)氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化釔的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、800℃下進(jìn)行熱處理，得到預(yù)處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中形成溶液，將***碳源炭黑和預(yù)處理顆粒在該溶...

為實(shí)現(xiàn)傳動(dòng)筒4的平穩(wěn)傳動(dòng)，可選地，如圖1至圖3所示，工藝盤組件還包括傳動(dòng)架9，傳動(dòng)架9的一端與傳動(dòng)筒4背離波浪管6的一端固定連接，傳動(dòng)架9的另一端用于與電機(jī)12的輸出軸連接，傳動(dòng)架9用于帶動(dòng)傳動(dòng)筒4轉(zhuǎn)動(dòng)。本實(shí)用新型對(duì)傳動(dòng)架9的結(jié)構(gòu)不做具體限定，例如，如圖3所示，傳動(dòng)架9包括一對(duì)傳動(dòng)法蘭91和用于連接兩傳動(dòng)法蘭91的法蘭連接件92。推薦地，下方的傳動(dòng)法蘭91通過聯(lián)軸器與電機(jī)12的輸出軸連接。為保證所述工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性，推薦地，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。本實(shí)用新型的發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備出現(xiàn)旋轉(zhuǎn)卡頓的問題是因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)件之間的潤滑油脂液...

應(yīng)使用子程序[1]。CNC加工(3張)CNC加工CNC優(yōu)缺點(diǎn)編輯CNC數(shù)控加工有下列優(yōu)點(diǎn)：①大量減少工裝數(shù)量，加工形狀復(fù)雜的零件不需要復(fù)雜的工裝。如要改變零件的形狀和尺寸，只需要修改零件加工程序，適用于新產(chǎn)品研制和改型。②加工質(zhì)量穩(wěn)定，加工精度高，重復(fù)精度高，適應(yīng)飛行器的加工要求。③多品種、小批量生產(chǎn)情況下生產(chǎn)效率較高，能減少生產(chǎn)準(zhǔn)備、機(jī)床調(diào)整和工序檢驗(yàn)的時(shí)間，而且由于使用**佳切削量而減少了切削時(shí)間。④可加工常規(guī)方法難于加工的復(fù)雜型面，甚至能加工一些無法觀測的加工部位。數(shù)控加工的缺點(diǎn)是機(jī)床設(shè)備費(fèi)用昂貴，要求維修人員具有較高水平。CNC加工數(shù)控加工編輯數(shù)控加工是指用數(shù)控的加工工具進(jìn)行的...

從而能夠緩解定位平面311兩側(cè)的應(yīng)力集中現(xiàn)象，提高了驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2上應(yīng)力分布的均勻性。并且，在本實(shí)施例中，兩圓柱面312與驅(qū)動(dòng)襯套2套孔中的相應(yīng)圓柱面相配合，能夠?qū)崿F(xiàn)定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅(qū)動(dòng)襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2在傳動(dòng)過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅(qū)動(dòng)軸3的軸線為對(duì)稱中心對(duì)稱設(shè)置，使得驅(qū)動(dòng)軸3與驅(qū)動(dòng)襯套2通過平面?zhèn)鲃?dòng)時(shí)受到的力矩也是中心對(duì)稱的，避免了驅(qū)動(dòng)襯套2與驅(qū)動(dòng)軸3的軸線之間發(fā)生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結(jié)構(gòu)的整體強(qiáng)度，推薦地，如圖6所示，驅(qū)動(dòng)襯套2包括相互連接的***襯套部...

半導(dǎo)體材料是什么？半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標(biāo)不可用，暫用當(dāng)前描述）。在一般情況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍。反映半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光、熱...

為地方財(cái)政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年投資利潤率，投資利稅率，全部投資回報(bào)率，全部投資回收期，固定資產(chǎn)投資回收期（含建設(shè)期），項(xiàng)目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力。民營企業(yè)貼近市場、嗅覺敏銳、機(jī)制靈活，在推進(jìn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力建設(shè)方面起到重要作用。認(rèn)定國家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)和培育工業(yè)設(shè)計(jì)企業(yè)，有助于企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力進(jìn)一步升級(jí)。同時(shí)，大量民營企業(yè)走在科技、產(chǎn)業(yè)、時(shí)尚的**前沿，能夠綜合運(yùn)用科技成果和工學(xué)、美學(xué)、心理學(xué)、經(jīng)濟(jì)學(xué)等知識(shí)，對(duì)工業(yè)產(chǎn)品的功能、結(jié)構(gòu)、形態(tài)及包裝等進(jìn)行整合優(yōu)化創(chuàng)新，服務(wù)于工業(yè)設(shè)計(jì)，豐富產(chǎn)品品種、提升產(chǎn)品附加值，進(jìn)而創(chuàng)造出新技術(shù)、新模式、新業(yè)態(tài)。經(jīng)過多年的積累，我省制造...

自然界中的物質(zhì)，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異可劃分為導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導(dǎo)電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導(dǎo)體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。它的導(dǎo)電能力會(huì)隨溫度、光照及摻入雜質(zhì)的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型，這是其***應(yīng)用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能，用來制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過電子和空穴這兩種載流子來實(shí)現(xiàn)的，因此相應(yīng)的有N型和P型之分。半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

自然界中的物質(zhì)，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異可劃分為導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導(dǎo)電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導(dǎo)體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。它的導(dǎo)電能力會(huì)隨溫度、光照及摻入雜質(zhì)的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型，這是其***應(yīng)用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能，用來制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過電子和空穴這兩種載流子來實(shí)現(xiàn)的，因此相應(yīng)的有N型和P型之分。半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

半導(dǎo)體材料的應(yīng)用半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用：半導(dǎo)體的***個(gè)應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器，就是點(diǎn)接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個(gè)金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導(dǎo)體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導(dǎo)體的四個(gè)效應(yīng)都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學(xué)家研制成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池。1932年，德國先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導(dǎo)體紅外探測器，在二戰(zhàn)中用于偵測飛機(jī)和艦船。二戰(zhàn)時(shí)盟軍在半導(dǎo)體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測器多次偵測到了德國的飛機(jī)。...

上述碳化硅陶瓷的制備方法能夠獲得具有較好的力學(xué)性能的碳化硅陶瓷。附圖說明圖1為一實(shí)施方式的碳化硅陶瓷的制備方法的工藝流程圖。具體實(shí)施方式為了便于理解本發(fā)明，下面將結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更***的描述。具體實(shí)施方式中給出了本發(fā)明的較佳的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹***。除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體地實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)...

內(nèi)凸臺(tái)的中心形成有沿厚度方向貫穿內(nèi)凸臺(tái)的凸臺(tái)孔，調(diào)平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平孔，驅(qū)動(dòng)軸3上形成有調(diào)平螺紋孔，中心螺釘依次穿過調(diào)平孔、凸臺(tái)孔和調(diào)平螺紋孔，以將調(diào)平件8和驅(qū)動(dòng)軸3固定在內(nèi)凸臺(tái)上，調(diào)平件8能夠調(diào)整中心螺釘與傳動(dòng)筒4之間的角度。本實(shí)用新型對(duì)調(diào)平件8與驅(qū)動(dòng)軸3如何夾持內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)41不做具體限定，例如，如圖3所示，調(diào)平件8中形成有多個(gè)沿軸向延伸的調(diào)平通道，調(diào)平通道中設(shè)置有調(diào)平球，調(diào)平件8還包括多個(gè)調(diào)平螺釘，調(diào)平螺釘與調(diào)平球一一對(duì)應(yīng)，調(diào)平螺釘能夠推動(dòng)調(diào)平球沿調(diào)平通道移動(dòng)；調(diào)平件8中還形成有多個(gè)徑向延伸的楔形通道，楔形通道與調(diào)平通道一一對(duì)應(yīng)，且楔形通道沿徑向貫穿調(diào)平...

工藝盤組件還包括軸承座10，傳動(dòng)筒4的外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42設(shè)置在軸承座10內(nèi)，且傳動(dòng)筒4的兩端設(shè)置在軸承座10外；外凸臺(tái)與軸承座10的內(nèi)壁之間設(shè)置有前述的軸承，使得傳動(dòng)筒4能夠繞軸線相對(duì)軸承座10旋轉(zhuǎn)；為便于安裝，如圖3所示，軸承座10可以包括上法蘭101和下法蘭102，上法蘭101和下法蘭102上均形成有軸孔，傳動(dòng)筒4朝向工藝盤01的一端穿過上法蘭101上的軸孔，傳動(dòng)筒4背離工藝盤01的一端穿過下法蘭102上的軸孔。為保證定位傳動(dòng)筒4的軸向定位，避免傳動(dòng)筒4在轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)晃動(dòng)，推薦地，上述滾針軸承為推力滾針軸承，且位于外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42背離工藝盤01一側(cè)的推力滾針軸承與下法蘭102之間還設(shè)置有碟形彈...

得到排膠后的***預(yù)制坯。(5)將排膠后的***預(yù)制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮?dú)饧訅褐?mpa，進(jìn)行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預(yù)制坯的孔隙中，降溫得到第二預(yù)制坯。(6)將第二預(yù)制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機(jī)加工得到排膠后的第二預(yù)制坯。(7)將排膠后的第二預(yù)制坯和硅粉按質(zhì)量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1600℃，保溫時(shí)間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實(shí)施例3本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質(zhì)量比為5∶100，得...

所述***分散劑和所述第二分散劑相互獨(dú)立地選自四甲基氫氧化銨、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸銨、丙烯酸鈉、聚乙烯醇及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種；及/或，所述粘結(jié)劑包括酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚乙烯醇、羧甲基纖維素鈉、丙烯酸及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種；及/或，所述碳化硅微粉的粒徑為μm～μm；及/或，所述稀土元素包括釔、釹、鈰、鑭及釤中的至少一種。一種碳化硅陶瓷，由上述碳化硅陶瓷的制備方法制備得到。一種半導(dǎo)體零件，由上述碳化硅陶瓷加工處理得到。上述碳化硅陶瓷的制備方法先采用金屬的氯化物、環(huán)氧丙烷、***分散劑和***溶劑與碳化硅微粉混合，金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀，然后在真空條件、70...

八0%的硅單晶、大部份鍺單晶以及銻化銦單晶是用此法出產(chǎn)的，其中硅單晶的**大直徑已經(jīng)達(dá)三00毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已經(jīng)出產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體籠蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以出產(chǎn)鍺單晶。水平定向結(jié)晶法主要用于砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于碲化鎘、砷化鎵。用各種法子出產(chǎn)的體單晶再經(jīng)由晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、侵蝕、清洗、檢測、封裝等全體或者部份工序以提供相應(yīng)的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的法子...

所述奧氏體不銹鋼具體可以是316l不銹鋼，即，驅(qū)動(dòng)軸3、傳動(dòng)筒4和工藝盤轉(zhuǎn)軸1中至少一者的材料為316l不銹鋼。本實(shí)用新型將現(xiàn)有技術(shù)中旋轉(zhuǎn)件常用的304不銹鋼材料替換為316l不銹鋼，使得旋轉(zhuǎn)件在強(qiáng)度幾乎不變的同時(shí)，電阻率***降低，從而保證了工藝盤組件運(yùn)動(dòng)的流暢性。進(jìn)一步推薦地，傳動(dòng)筒4的外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42與軸承座10之間的軸承材料也采用奧氏體不銹鋼(推薦為316l不銹鋼)。作為本實(shí)用新型的第二個(gè)方面，還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中，工藝盤組件為上文中描述的工藝盤組件，工藝盤組件的工藝盤01設(shè)置在工藝腔中。在本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)連接部310為非圓柱體，驅(qū)...

所述第二基準(zhǔn)塊與**基準(zhǔn)塊一體成型；所述**基準(zhǔn)塊的一側(cè)設(shè)置有**基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)塊上設(shè)置有第二基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)面垂直于**基準(zhǔn)面，所述**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面的連接處設(shè)置有與**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊遠(yuǎn)離圓弧避讓槽的一側(cè)設(shè)置有圓弧基準(zhǔn)臺(tái)，所述圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的圓心位于**基準(zhǔn)面與第二基準(zhǔn)面的連接處。采用此技術(shù)方案，設(shè)置的**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧避讓槽不*有助于抓數(shù)治具的加工，而且有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧基準(zhǔn)臺(tái)有助于通過圓弧的切邊抓數(shù)以計(jì)算或抓取半導(dǎo)體零件的尺寸以及導(dǎo)角的尺寸。作為推薦，所示抓數(shù)治具還設(shè)置...

2.汽車光電子市場。目前汽車防撞雷達(dá)已在很多***車上得到了實(shí)用，將來肯定會(huì)越來越普及。汽車防撞雷達(dá)一般工作在毫米波段，所以肯定離不開砷化鎵甚至磷化銦，它的中頻部分才會(huì)用到鍺硅。由于全球汽車工業(yè)十分龐大，因此這是一個(gè)必定會(huì)并發(fā)的巨大市場。3.半導(dǎo)體照明技術(shù)的迅猛發(fā)展?；诎雽?dǎo)體發(fā)光二極管（LED）的半導(dǎo)體光源具有體積小、發(fā)熱量低、耗電量小、壽命長、反應(yīng)速度快、環(huán)保、耐沖擊不易破、廢棄物可回收，沒有污染，可平面封裝、易開發(fā)成輕薄短小產(chǎn)品等優(yōu)點(diǎn)，具有重大的經(jīng)濟(jì)技術(shù)價(jià)值和市場前景。特別是基于LED的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保優(yōu)點(diǎn)，在全球能源資源有限和保護(hù)環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的雙重背景下，...

所述第二基準(zhǔn)塊與**基準(zhǔn)塊一體成型；所述**基準(zhǔn)塊的一側(cè)設(shè)置有**基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)塊上設(shè)置有第二基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)面垂直于**基準(zhǔn)面，所述**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面的連接處設(shè)置有與**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊遠(yuǎn)離圓弧避讓槽的一側(cè)設(shè)置有圓弧基準(zhǔn)臺(tái)，所述圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的圓心位于**基準(zhǔn)面與第二基準(zhǔn)面的連接處。采用此技術(shù)方案，設(shè)置的**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧避讓槽不*有助于抓數(shù)治具的加工，而且有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧基準(zhǔn)臺(tái)有助于通過圓弧的切邊抓數(shù)以計(jì)算或抓取半導(dǎo)體零件的尺寸以及導(dǎo)角的尺寸。作為推薦，所示抓數(shù)治具還設(shè)置...

半導(dǎo)體材料是什么？半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標(biāo)不可用，暫用當(dāng)前描述）。在一般情況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍。反映半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光、熱...