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再在高溫環(huán)境下進行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內部的結構會發(fā)生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內部形成一空腔結構。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產品制備的時間，且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～1μm，所述溝...

半導體兩端的溫差不同時，所產生的電動勢不同。在本方案中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯(lián)，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度，當環(huán)境溫度發(fā)...

之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內部形成一空腔結構。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結構，所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結構串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側兩端的第二金屬結構，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中，所述制備方法還包括：在所述金屬層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上對應所述溫度傳感器引出輸出端子處設有通孔。還公開了一種溫度傳感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜。所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，所述測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，...

在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結構(如圖4所示)。金屬鉑層30外側兩端淀積有一層第二金屬層40，該第二金屬層40可為金屬鋁層，用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子，即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應的溫度值。在一實施例中，因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結構如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露...

公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構；和第二金屬層，位于所述金屬鉑層外側兩端，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：多晶硅層，包括并排且間隔設置的n型多晶硅條和p型多...

第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結構，n型多晶硅和p型多晶硅通過金屬結構串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側兩端的第二金屬結構，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖5和圖6所示，氧化硅薄膜23上形成有一層多晶硅層50，該多晶硅層50包括并排且間隔設置的n型多晶硅條51和p型多晶硅條52。n型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅴ族元素形成導電類型為n型的多晶硅，且其內部摻雜均勻；p型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅，且其內部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設置，具有相同的間距。在多晶硅層...

會在半導體內部產生溫差電動勢，不同類型的半導體其溫差電動勢不同，將兩種半導體兩端連接形成閉合回路時，在回路中有電流產生，半導體兩端的溫差不同時，所產生的電動勢不同。在本方案中，采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯(lián)，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度，當環(huán)境溫度發(fā)生變化時，冷端和熱端的溫差發(fā)生變化，因此冷端的電勢會發(fā)生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度，即當前環(huán)境溫度。通常，形成測溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟...

上述溫度傳感器制備方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離，空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果，因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉，簡化了制備過程，節(jié)約制備時間，節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導熱率低，將測溫單元制備在氧化硅薄膜上，具有較好的測溫效果，使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。本發(fā)明還涉及一種溫度傳感器，包括：基底，基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖2c所示，基底包括硅片20和氧化硅薄膜23，硅片20和氧化硅薄膜之間形成有空腔22。...

空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜，通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜，保留空腔上方的硅，此時硅的厚度減小，繼續(xù)通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度，直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜，由此實現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過空腔隔離。此時，溫度傳感器的基作完成。在一實施例中，在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜，由于氧化硅內部存在較大的應力，氧化硅薄膜容易斷裂。在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜，可以平衡氧化硅內部應力。使氧化硅薄膜結構更加穩(wěn)定。步驟s：在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元...

凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務。測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構；和第二金屬層，位于所述金屬鉑層外側兩端。用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：多晶硅層，包括并排且間隔...

即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產品制備的時間，且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～μm，所述溝槽的深度范圍為μm～μm，所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm～μm。在其中一個實施例中，所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火，所述熱退火的溫度為℃。在其中一個實施例中，在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個實施例中，在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為：在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結...

圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖；圖為另一實施例中溫度傳感器側視圖；圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解，下面將參照相關附圖對進行更的描述。附圖中給出了的實施例。但是，可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地。提供這些實施例的目的是使對的公開內容更加透徹。除非另有定義。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制...

產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。步驟s：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結構，n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結構串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側兩端的第二金屬結構，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖，在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括金屬結構和第二金屬結構。金屬結構位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結構形成一串聯(lián)結構，因此，當具有m個多晶硅條時，需要m-個金屬結構使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅...

產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。步驟s：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結構，n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結構串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側兩端的第二金屬結構，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖，在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括金屬結構和第二金屬結構。金屬結構位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結構形成一串聯(lián)結構，因此，當具有m個多晶硅條時，需要m-個金屬結構使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅...

n型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅴ族元素形成導電類型為n型的多晶硅，且其內部摻雜均勻；p型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅，且其內部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設置，具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層，第三金屬層包括金屬結構和第二金屬結構。金屬結構位于相鄰多晶硅條之間，該多晶硅條通過金屬結構連接，金屬結構具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結構形成一串聯(lián)結構，因此，當具有m個多晶硅條時，需要m-個金屬結構使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅...

公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務。即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器，利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯...

基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結構，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層，該金屬層為金屬鉑層...

如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結構，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層，該金屬層為金屬鉑層，即熱電阻傳感結構選用鉑熱電阻。在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積...

本發(fā)明涉及溫度傳感器領域，特別是涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術：溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的基底。溫度傳感器通常以導熱率低的材料做基底，如在二氧化硅上淀積測溫材料形成溫度傳感器。在工藝制程中，通過氧化硅片以在硅片表面生產一層二氧化硅，其中，二氧化硅的導熱率較低，但是硅的導熱率較高，為避免通過基底下部的硅導熱，通常還需通過深槽刻蝕的方式對氧化硅層背面的硅進行刻蝕，如通過氫氧化鉀的刻蝕液進行濕法刻蝕，也可用深反應離子刻蝕(deepreactiveionetching)工藝進行干法刻蝕。無論是濕法刻蝕還是干法刻蝕，其工藝時間都會較長且成本較高。技術實現(xiàn)要素：基于...

圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖；圖為另一實施例中溫度傳感器側視圖；圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解，下面將參照相關附圖對進行更的描述。附圖中給出了的實施例。但是，可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地。提供這些實施例的目的是使對的公開內容更加透徹。除非另有定義。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制...

再在高溫環(huán)境下進行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內部的結構會發(fā)生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內部形成一空腔結構。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開，基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產品制備的時間，且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～1μm，所述溝...

公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構；和第二金屬層，位于所述金屬鉑層外側兩端，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：多晶硅層，包括并排且間隔設置的n型多晶硅條和p型多...

會在半導體內部產生溫差電動勢，不同類型的半導體其溫差電動勢不同，將兩種半導體兩端連接形成閉合回路時，在回路中有電流產生，半導體兩端的溫差不同時，所產生的電動勢不同。在本方案中，采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯(lián)，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度，當環(huán)境溫度發(fā)生變化時，冷端和熱端的溫差發(fā)生變化，因此冷端的電勢會發(fā)生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度，即當前環(huán)境溫度。通常，形成測溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟...

m需為偶數(shù)。第二金屬結構62淀積于多晶硅層外側的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中，第三金屬層60為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結構，利用兩不同類型的半導體兩端的溫度不同時，會在半導體內部產生溫差電動勢，不同類型的半導體其溫差電動勢不同，將兩種半導體兩端連接形成閉合回路時，在回路中有電流產生，半導體兩端的溫差不同時，所產生的電動勢不同。在本方案中，采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯(lián)，可以增強溫度傳感器的靈敏度。在一實施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度，當環(huán)境溫度發(fā)生變化時，冷端和熱...

如真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境，保證在熱退火過程中硅不會與環(huán)境中的物質發(fā)生化學反應。在本實施例中。熱退火在氫氣環(huán)境中進行。步驟s：氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通過熱氧化工藝氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如圖c所示)。在℃～℃的高溫環(huán)境中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務...

其具體形成過程為：步驟s：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示，在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，該多晶硅層包括并排且間隔設置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅴ族元素形成導電類型為n型的多晶硅，且其內部摻雜均勻。p型多晶硅可為在多晶硅內部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅，且其內部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中。n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型，多晶硅條平行設置，具有相同的間距。步驟s：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結構...

利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應的溫度值。通常，形成測溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟s133：在金屬層上形成鈍化層，并在鈍化層上對應所述溫度傳感器引出輸出端子處設有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結構如金屬鋁和金屬鉑，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對金屬層進行保護。同時，需要在對應溫度傳感器引出端子處開設通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設的氧化硅層和氮化...

且所述硅片在空腔上方連接起來，將所述空腔封閉。對開設有溝槽的硅片進行適當?shù)臒崽幚?，當硅片被加熱到一定溫度時，硅原子的振動能較大，導致原子的移動能加強，硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設有溝槽，且溝槽側壁的間距較小，當硅原子遷移運動達到一定程度時，硅原子會進入溝槽內，硅片內部的溝槽會發(fā)生形變，溝槽上部被硅封閉，若干溝槽中間部位相互連通，形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間，空腔的上部和下部均具有硅結構，上下硅結構被空腔隔離開。在一實施例中，熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距，可以得到不同形態(tài)的空腔，且間距越大，所需的退火溫度就越高，但是退火的持續(xù)時間不超過min。在本實施例中，溝...

在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜，可以平衡氧化硅內部應力。使氧化硅薄膜結構更加穩(wěn)定。步驟s：在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。在溫度傳感器基作完成后，需要做基底上形成測溫單元，測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通...

基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測溫單元，測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結構，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層，該金屬層為金屬鉑層...