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銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實(shí)施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實(shí)施例中，互連層b從調(diào)節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正上方。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開(kāi)的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應(yīng)于電信號(hào)(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層的磁沖擊。在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如，在一些實(shí)施例中。mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵...

為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，在過(guò)去的幾十年間，存儲(chǔ)單元組件的尺寸已經(jīng)不斷縮小。mtj器件超越其它存儲(chǔ)器類型的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅(qū)動(dòng)晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關(guān)的mtj器件提供電壓和/或電流。因?yàn)閙ram單元通常對(duì)寫(xiě)入操作使用相對(duì)高的電壓和/或電流，所以驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸可能相對(duì)較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對(duì)大尺寸的驅(qū)動(dòng)晶體管限制了存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實(shí)施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的存儲(chǔ)器陣列，存儲(chǔ)單元不...

=集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護(hù)環(huán)的電子元件。中文名集成電路芯片部件1硅基板部件2電路部件3固定封環(huán)目錄1結(jié)構(gòu)2案例集成電路芯片結(jié)構(gòu)編輯集成電路芯片電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊。固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊。接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接。防護(hù)環(huán)設(shè)置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。集成電路芯片案例編輯芯片命名方式太多了，一般都是字母+數(shù)字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個(gè)芯片系列的縮寫(xiě)。像MC開(kāi)始的多半是摩托羅拉的，MAX開(kāi)始的多半是美信的。中間的數(shù)字是功能...

中間填充層中可能還包含其他的中間基板層，元件被上下基板夾在中間填充層之中，與上下基板直接聯(lián)結(jié)或者與中間填充層中的其他中間基板層直接聯(lián)結(jié)。上基板，下基板，元件，中間基板通過(guò)焊接的方法電氣聯(lián)結(jié)和物理聯(lián)結(jié)。依據(jù)本申請(qǐng)另一方面通過(guò)本集成電路封裝方法封裝的集成電路有明顯的分層結(jié)構(gòu)，上下兩層基板層，中間的元件層，中間基板層，元件層或者中間基板層還被中間的填充層所包裹，填充層使用填充材料加強(qiáng)元件以及上下層的基板的固定，保證元件熱的導(dǎo)出，電的絕緣，以及整個(gè)集成電路的結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。上下兩層的基板是分層的，中間基板層也是分層的。設(shè)計(jì)好的金屬層通過(guò)聯(lián)結(jié)pad完成集成電路的互聯(lián)，滿足大電流互聯(lián)要求。深圳市美信...

圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。如截面圖所示，調(diào)節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調(diào)節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。調(diào)節(jié)mtj器件的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,的存儲(chǔ)器電路的示意圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,分別包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器...

圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200。圖2a是雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200的分解圖在圖2b中示出。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200包括印刷電路板202，印刷電路板202上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以204示出)。印刷電路板202一般是雙側(cè)的，集成電路204安裝在印刷電路板202的兩側(cè)上。熱接口材料206a、206b的層熱耦聯(lián)至集成電路204。一種常見(jiàn)的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導(dǎo)熱膏及類似物。在所描繪的實(shí)施例中，具有一對(duì)側(cè)板208a、208b的能夠移除的散熱器與熱接口...

所述印刷電路板具有布置在印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座中的連接側(cè)；安裝在印刷電路板上的一個(gè)或多個(gè)集成電路。與集成電路熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層6；以及與第二熱接口材料層6熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器，所述散熱器具有越過(guò)印刷電路板的與連接側(cè)相對(duì)的側(cè)延伸的頂表面。在6處，將兩個(gè)印刷電路裝配件相對(duì)地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)。在處，流程包括將每個(gè)冷卻管6的端部耦聯(lián)至分流管66a，以及將每個(gè)冷卻管6的第二端部耦聯(lián)至第二分流管66b。在處，流程包括將泵、熱交換器和儲(chǔ)液器與分流管6...

在互連層a的上表面上方形成多個(gè)底電極通孔。多個(gè)底電極通孔由介電層圍繞。在一些實(shí)施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開(kāi)口。然后通過(guò)在底電極通孔開(kāi)口內(nèi)的沉積工藝形成多個(gè)底電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)底電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)底電極通孔上方形成多個(gè)mtj器件、和。多個(gè)mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層與自由層分隔開(kāi)的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實(shí)施例中。自由層可以形成為接觸底...

可以對(duì)磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實(shí)施一個(gè)或多個(gè)圖案化工藝以限定多個(gè)mtj器件、和。在其它實(shí)施例中，可以在不同時(shí)間形成多個(gè)mtj器件、和。的截面圖所示，在多個(gè)mtj器件、和上方形成多個(gè)頂電極通孔。多個(gè)頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實(shí)施例中?？梢栽诙鄠€(gè)mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開(kāi)口。然后通過(guò)沉積工藝在頂電極通孔開(kāi)口內(nèi)形成多個(gè)頂電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)頂電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化...

圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性?shī)A210a、210b、210c。所公開(kāi)的技術(shù)的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過(guò)印刷電路板202的與連接側(cè)304相對(duì)的側(cè)延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)板208形成。這些特征將在下面更詳細(xì)地討論。圖4a示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個(gè)包括系統(tǒng)板402，多個(gè)印刷電路板插座平行地安裝在系統(tǒng)板上，所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座標(biāo)記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每...

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。所述頂表面由越過(guò)印刷電路板的與連接側(cè)相對(duì)的側(cè)延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)板形成。這些特征將在下面更詳細(xì)地討論。圖a示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)相同的印刷電路裝配件a和b。印刷電路裝配件a和b中的每個(gè)包括系統(tǒng)板，多個(gè)印刷電路板插座平行地安裝在系統(tǒng)板上，所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座標(biāo)記為。冷卻管6鄰接地且平行于每個(gè)印刷電路板插座地安裝。熱接口材料層在冷卻管的與系統(tǒng)板相對(duì)的一側(cè)布置在每個(gè)冷卻管6上，并且熱耦聯(lián)至該冷卻管6。多個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件電耦聯(lián)至系統(tǒng)板，所述雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件中的一個(gè)雙列直插式存...

互連層a在存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?；ミB層a通過(guò)互連層b和多個(gè)通孔a連接至存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的位線bl。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過(guò)多個(gè)通孔b連接至第三互連層c。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)附加存儲(chǔ)單元可以布置在存儲(chǔ)單元a,上方。在這樣的實(shí)施例中。第四互連層d在存儲(chǔ)單元b,的工作mt...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)，誠(chéng)信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)?；ミB層從工作mtj器件正下方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正下方。在一些實(shí)施例中，集成電路還包括連接在字線和工作mtj器...

內(nèi)的工作mtj器件不受寫(xiě)入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒(méi)有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。類似地，連接至字線wl和wl的工作mtj器件也不受寫(xiě)入操作的步驟的影響。b的示意圖所示，通過(guò)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列的行中的存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件來(lái)實(shí)施寫(xiě)入操作的步驟。通過(guò)將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl并且將第三偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來(lái)實(shí)施寫(xiě)入操...

圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。如截面圖所示，調(diào)節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調(diào)節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。調(diào)節(jié)mtj器件的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,的存儲(chǔ)器電路的示意圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,分別包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器...

并且由此選擇性地對(duì)相關(guān)的工作mtj器件提供訪問(wèn)。例如，在寫(xiě)入操作期間，存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置可以對(duì)選擇的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件提供大于或等于小切換電流(即，足以使存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)改變的電流)電流，而對(duì)未選擇的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件提供小于小切換電流的電流。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本...

圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200。圖2a是雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200的分解圖在圖2b中示出。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200包括印刷電路板202，印刷電路板202上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以204示出)。印刷電路板202一般是雙側(cè)的，集成電路204安裝在印刷電路板202的兩側(cè)上。熱接口材料206a、206b的層熱耦聯(lián)至集成電路204。一種常見(jiàn)的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導(dǎo)熱膏及類似物。在所描繪的實(shí)施例中，具有一對(duì)側(cè)板208a、208b的能夠移除的散熱器與熱接口...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)，誠(chéng)信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。互連層從工作mtj器件正下方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正下方。在一些實(shí)施例中，集成電路還包括連接在字線和工作mtj器...

字線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列的一條或多條字線wl至wl，并且位線解碼器被配置成選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列的一條或多條位線bl至bl。通過(guò)選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條位線bl至bl，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問(wèn)多個(gè)工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，圖a至圖b示出了圖的存儲(chǔ)器電路的寫(xiě)入操作的一些實(shí)施例的示意圖和。示意圖和所示的寫(xiě)入操作是實(shí)施寫(xiě)入操作的方法的非限制性實(shí)例。在其它實(shí)施例中，可以可選地使用實(shí)施寫(xiě)入操作的其它方法。圖a至圖b中示出的寫(xiě)入操作在步驟。圖a所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器陣列的一行中的一個(gè)或...

在各個(gè)實(shí)施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示，在互連層a的上表面上方形成多個(gè)底電極通孔。多個(gè)底電極通孔由介電層圍繞。在一些實(shí)施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開(kāi)口。然后通過(guò)在底電極通孔開(kāi)口內(nèi)的沉積工藝形成多個(gè)底電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)底電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)底電極通孔上方形成多個(gè)mtj器件、和。多個(gè)mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層與自由層分隔開(kāi)的...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公開(kāi)一般地涉及液體冷卻的集成電路系統(tǒng)、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術(shù)：現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)產(chǎn)生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產(chǎn)生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲(chǔ)芯片的集成電路產(chǎn)生的。為了合適地運(yùn)行，這些計(jì)算機(jī)...

上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內(nèi)層金屬層通過(guò)聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內(nèi)層金屬層通過(guò)聯(lián)接pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱以外，上層基板內(nèi)部還有一層或者多層金屬層，并通過(guò)開(kāi)孔沉金，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯(lián)結(jié)pad就是此集成電路的聯(lián)結(jié)pad，留待pcb應(yīng)用。下層基板可選的可以有多層金屬層，除了外層金屬層用作此集成電路的聯(lián)結(jié)pad外，下層基板還可以有多層金屬層，并通過(guò)開(kāi)孔沉金...

以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫(xiě)入操作的步驟通過(guò)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列的行中的存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件來(lái)實(shí)施。通過(guò)將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來(lái)實(shí)施寫(xiě)入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a。內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件...

這是一種在小型化和高功率密度產(chǎn)品上比較成功的封裝結(jié)構(gòu)。同樣的，bga封裝也具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能以及更短的電氣聯(lián)結(jié)路線從而在多引腳的cpu以及內(nèi)存芯片上得到廣泛應(yīng)用。本申請(qǐng)?jiān)诖嘶A(chǔ)上，提出了一種封裝結(jié)構(gòu)，該方法結(jié)合qfn和bga封裝的優(yōu)點(diǎn)，滿足大電流聯(lián)結(jié)，小封裝尺寸，多層結(jié)構(gòu)的聯(lián)結(jié)結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，性價(jià)比高，具有較高的經(jīng)濟(jì)性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：依據(jù)本申請(qǐng)一方面本集成電路封裝結(jié)構(gòu)包括上基板，下基板，中間填充層，中間填充層中可能還包含其他的中間基板層，元件被上下基板夾在中間填充層之中，與上下基板直接聯(lián)結(jié)或者與中間填充層中的其他中間基板層直接聯(lián)結(jié)。上基板，下基板，元件，中間基板...

為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，在過(guò)去的幾十年間，存儲(chǔ)單元組件的尺寸已經(jīng)不斷縮小。mtj器件超越其它存儲(chǔ)器類型的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅(qū)動(dòng)晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關(guān)的mtj器件提供電壓和/或電流。因?yàn)閙ram單元通常對(duì)寫(xiě)入操作使用相對(duì)高的電壓和/或電流，所以驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸可能相對(duì)較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對(duì)大尺寸的驅(qū)動(dòng)晶體管限制了存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實(shí)施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的存儲(chǔ)器陣列，存儲(chǔ)單元不...

銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實(shí)施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實(shí)施例中，互連層b從調(diào)節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正上方。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開(kāi)的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應(yīng)于電信號(hào)(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層的磁沖擊。在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如，在一些實(shí)施例中。mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵...

每個(gè)系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲(chǔ)模塊之間交錯(cuò)的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對(duì)地放置在一起時(shí)，每個(gè)系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊由在另一個(gè)系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲(chǔ)模塊，同時(shí)仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù)，而沒(méi)有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲(chǔ)模塊描述了不同實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到的是，所公開(kāi)的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。系統(tǒng)100包括計(jì)算部件120，所述計(jì)算...

圖至圖中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實(shí)施例中，通過(guò)在襯底上方形成層間介電(ild)層來(lái)形成互連層a。在一些實(shí)施例中，ild層可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)附加介電層與襯底分隔開(kāi)。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實(shí)施蝕刻工藝來(lái)去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來(lái)圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如。化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)...

本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)，誠(chéng)信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)?？稍诟鱾€(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，為便于描述。在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個(gè)實(shí)施例和和布置的具體實(shí)例等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述所示的...

互連層a在存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?；ミB層a通過(guò)互連層b和多個(gè)通孔a連接至存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的位線bl。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過(guò)多個(gè)通孔b連接至第三互連層c。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)附加存儲(chǔ)單元可以布置在存儲(chǔ)單元a,上方。在這樣的實(shí)施例中。第四互連層d在存儲(chǔ)單元b,的工作mt...