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生成Gerber文件（1）生成Gerber文件：根據(jù)各EDA軟件操作，生成Gerber文件。（2）檢查Gerber文件：檢查Gerber文件步驟：種類→數(shù)量→格式→時間。Gerber文件種類及數(shù)量：各層線路、絲印層、阻焊層、鋼網層、鉆孔表、IPC網表必須齊全且不能重復。盲埋孔板或背鉆板輸出的鉆孔文件個數(shù)與孔的類型有關，有多少種盲埋孔或背鉆孔，就會對應有多少個鉆孔文件，要注意核實確認。Gerber文件格式：Mentor、Allegro、AD、Pads依據(jù)各EDA設計軟件操作手冊生成。所有Gerber文件生成時間要求保持在連續(xù)5分鐘以內。 IPC網表自檢將Gerber文件導入CAM350軟件進行I...

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅動端放置（5mm以內），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結構）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓撲結構，布局時串聯(lián)電阻靠近驅動端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳...

印制電路板的設計是以電路原理圖為根據(jù)，實現(xiàn)電路設計者所需要的功能。印刷電路板的設計主要指版圖設計，需要考慮外部接口、內部的電磁保護、散熱等因素布局。我們常用的設計軟件有AltiumDesigner、CadenceAllegro、PADS等等設計軟件。在高速設計中，可控阻抗板和線路阻抗的連續(xù)性是非常重要的問題。常見的阻抗單端50歐，差分100歐，如何保證信號完整性呢？我們常用的方式，信號線的相鄰層都有完整的GND平面，或者是電源平面。我們做用單片機做產品，一般情況下我們是沒必要做阻抗，它工作的頻率一般都是很低。您可以百度一下SI9000學習下阻抗計算的方法。PCB設計中關鍵信號布線方法。黃岡了解...

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工藝方面注意事項（1）質量較大、體積較大的SMD器件不要兩面放置；（2）質量較大的元器件放在板的中心；（3）可調元器件的布局要方便調試（如跳線、可變電容、電位器等）；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個；（5）SMD器件原點應在器件中心，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設置→整板扇出。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置。常見模塊布局參考5典型電路設計指導。PCB典型的電路設計指導。荊州打造PCB設計加工ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽...

評估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內無BGA封裝的芯片，一般可以用一個電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評估對象，如果BGA內的電源種類數(shù)≤3種，用一個電源平面，如果＞3種，則使用2個電源平面，如果＞6則使用3個電源平面，以此類推。備注：1、對于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評估：在確定了走線層...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區(qū)域設置如下特性：禁布區(qū)設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設置對應高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶有特殊要求除外。PCB設計中常用的電源電路有哪些？十堰PCB設計銷售絲印調整，子流程：設置字符格式→調整器件字符→添加特殊字符→添加特殊絲印。設置字符格式，字符的寬度...

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數(shù)據(jù)信號，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠端，對于地址及控制信號的也應該如此處理。2...

關鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號不要進入中頻、低頻信號布線區(qū)域。（3）時鐘信號：時鐘走線長度＞500Mil時必須內層布線，且距離板邊＞200Mil，時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號：5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。PCB設計中關鍵信號布線方法。黃石定制PCB設計教程繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，...

1VGA接口（1）VGA接口介紹VGA（VideoGraphicsArray）接口是顯卡上輸出模擬信號的接口，VGA接口是顯卡上應用為大范圍的接口類型，雖然液晶顯示器可以直接接收數(shù)字信號，但為了與VGA接口顯卡相匹配，也采用了VGA接口。一般VGA模擬信號在超過1280×1024分辨率以上的情況下就會出現(xiàn)明顯的失真、字跡模糊的現(xiàn)象，而此時DVI接口的畫面依舊清晰可見。DVI接口比較高可以提供8G/s的傳輸率，實現(xiàn)1920×1080的顯示要求。VGA插座共有15，除了2根NC信號、3根顯示數(shù)據(jù)總線和5個GND信號，比較重要的是3根RGB彩色分量信VGA號和2根掃描同步信號HSYNC和VSYNC針...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模...

DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區(qū)域設置如下特性：禁布區(qū)設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設置對應高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶有特殊要求除外。DDR模塊中管腳功能說明。鄂州正規(guī)PCB設計批發(fā)ADC和DAC是數(shù)字信號和模擬信號的接口，在通信領域，射頻信號轉換為中頻信號，中頻信號經過ADC轉換成...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。京曉科技與您分享PCB設...

電源模塊擺放電源模塊要遠離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶有指定位置除外。（2）驅動電路靠近接口擺放。（3）測溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠離大功率的功能模塊、散熱...

DDR與SDRAM信號的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號與地址\控制信號是參考不同的時鐘信號，數(shù)據(jù)信號參考DQS選通信號，地址\控制信號參考CK\CK#差分時鐘信號；而SDRAM信號的數(shù)據(jù)、地址、控制信號是參考同一個時鐘信號。2、數(shù)據(jù)信號參考的時鐘信號即DQS信號是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時鐘信號只有在上升沿有效，相對而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號加一位選通信號DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號參考相同組里的選通信號。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號與選通信號分成多組，同組...

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現(xiàn)銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區(qū)域內不能有非地網絡外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區(qū)所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網絡過孔存在，非地網絡過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴格按照工藝計...

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規(guī)則設置→確定組內長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內等長規(guī)則設置并確定組內基準線并鎖定。（2）單端蛇形線同網絡走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網絡走線間距≥20Mil。（3）差分線對內等長優(yōu)先在不匹配端做補償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對內間距，長度＞3倍差分線寬，（4）差分線對內≤3.125G等長誤差≤5mil，＞3.125G等長誤差≤2mil。（5）DDR同組等長：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。PCB布局布線設計規(guī)則。...

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號滿足一定的時序匹配關系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時鐘給系統(tǒng)提供參考時鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個時鐘，一個鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個時鐘周期內完成，對于SDRAM及其控制芯片，參考時鐘CLK1、CLK2由外部時鐘驅動產生，此...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時鐘頻率相同，并且內部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對整板布線約束的要求。同時也應該符合客戶對過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時需和客戶客戶溝通并記錄到《設計中心溝通記錄》郵件通知客戶確認。布線的流程步驟如下：關鍵信號布線→整板布線→ICT測試點添加→電源、地處理→等長線處理→布線優(yōu)化，關鍵信號布線關鍵信號布線的順序：射頻信號→中頻、低頻信號→時鐘信號→高速信號。關鍵信號的布線應該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號層走線。★依照布局情況短布線?！镒呔€間距單端線必須滿足3W以...

規(guī)則設置子流程：層疊設置→物理規(guī)則設置→間距規(guī)則設置→差分線規(guī)則設置→特殊區(qū)域規(guī)則設置→時序規(guī)則設置◆層疊設置：根據(jù)《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應的規(guī)則設置?！粑锢硪?guī)則設置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環(huán)≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求?！糸g距規(guī)則設置：根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設置間距規(guī)則，阻抗線距...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，...

結構繪制結構繪制子流程如下：繪制單板板框→繪制結構特殊區(qū)域及拼板→放置固定結構件。1.1.1繪制單板板框（1）將結構圖直接導入PCB文件且測量尺寸，確認結構圖形中結構尺寸單位為mm，顯示比例為1：1等大。（2）設計文件中，單位為mm，則精度為小數(shù)點后4位；單位為Mil，則精度為小數(shù)點后2位，兩種單位之間轉換至多一次，特殊要求記錄到《項目設計溝通記錄》中。（3）導入結構圖形并命名。（4）導入的結構圖形層命名方式為DXF_日期+版本，舉例：DXF_1031A1，線寬為0Mil。（5）結構圖形導入后應在EDA設計軟件視界正中，若偏移在一角，應整體移動結構圖形，使之位于正中。（6）根據(jù)結構圖形，繪制外...

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網絡名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應靠近PCB板名版本號，且長邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內不能有焊盤直徑大于0.5mm的導通孔，如有導通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無法噴碼或貼標簽。1、預留區(qū)域為涂滿油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內不能有高度超過25mm的元器件。2）其他絲?。核猩漕lPCB建議添加標準“RF”的絲印...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微帶線的結構如下圖中的圖1所示它是由導體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構成的傳輸線。微帶線是由介質基片，接地平板和導體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當在電磁發(fā)射源和需要保護的電路之間插入一高導電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻...

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...